-
公开(公告)号：CN115407619B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202211139652.4
申请日：2022-09-19
IPC: G03F7/20 , C01B32/194 , C01B32/184
Abstract: 本发明属于新型碳基光刻技术领域，具体公开了一种可擦除石墨烯及其光刻方法与应用，该光刻方法至少包括以下步骤：采用激光直写处理氧化石墨烯，制备石墨烯的同时光刻图案，然后对激光处理后的氧化石墨烯进行氧气等离子体处理，即可擦除激光直写的石墨烯。本发明采用激光直写和氧气等离子体处理的光刻方法，既能够实现光刻石墨烯图案，又能逆向把石墨烯图案擦除，以便于多次反复光刻，制备复杂结构的石墨烯器件，另一方面可以在局部或全部擦除表面石墨烯后填充生长其他的材料体系，促进石墨烯器件兼容多材料体系，从而完善提高石墨烯器件的性能。
-
公开(公告)号：CN117195992A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311202710.8
申请日：2023-09-18
IPC: G06N3/067
Abstract: 本申请实施例提供一种光计算芯片，该光计算芯片包括依次堆叠的相干耦合VCSEL阵列层、缓冲层和光探测器层；其中：所述相干耦合VCSEL阵列层用于将第一电信号转换为第一光信号并输出；所述缓冲层用于传播所述第一光信号，所述第一光信号在传播过程中相互耦合形成输出信号；所述光探测器层用于获取输出信号的输出光强，并将所述输出光强转换为第二电信号输出。本申请实施例的光计算芯片不需要通过额外的相干激光源进行光注入锁相来实现相干耦合，基于相干耦合VCSEL阵列层可以实现整个光计算系统的芯片级集成，促进基于VCSEL的光计算应用。
-
-
公开(公告)号：CN117457399A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311608680.0
申请日：2023-11-28
Abstract: 本申请实施例提供一种基于二维材料的超级电容制备方法，该制备方法包括：获取二维材料并进行烘干处理；将烘干后的二维材料和预设的辅助金属混合，以得到混合物；在预设压力下将所述混合物压成片状，以得到片状混合物；在预设压强下，对所述片状混合物进行微波辐射以得到反应物；从所述反应物中筛选出反应后的二维材料；基于所述反应后的二维材料制备电容电极；将制成的电容电极和预先制成的集流体、隔膜和外壳组装在一起，并加注电解质，以得到超级电容。本申请实施例的技术方案可以通过优化二维材料改善电容电极结构，从而有效提升超级电容的容量、能量密度和功率密度，同时操作简便、生产成本低，适用于批量化生产场景。
-
公开(公告)号：CN116468092A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310541447.9
申请日：2023-05-12
IPC: G06N3/067 , G06N3/0442
Abstract: 本申请实施例提供一种光处理装置及相关设备，其中，光处理装置包络衍射神经网络，所述衍射神经网络接收光场信息，并根据所述光场信息输出光特征信息；所述光场信息包括光信号；光电突触器件，所述光电突触器件接收所述衍射神经网络输出的光特征信息，并基于所述光特征信息产生电流响应。本申请实施例通过光电突触器件与衍射神经网络相结合，模拟人脑的计算能力，可以进行更广泛的逻辑处理，提高图像识别的准确率，实现更广泛的应用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111816458A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010656283.0
申请日：2020-07-09
Abstract: 本发明公开了超级电容器及制备方法，属于电容器领域。本发明的超级电容器的第一电极和第二电极的线宽均可在100nm-18000nm之间，相对于现有的超级电容器而言有效的增大了电极的比表面积，从而提升超级电容器的能量密度。超级电容器的制备方法通过采用第一预设波长的诱导光束还原氧化层，利用预设抑制还原方法抑制还原氧化层的预设区域，从而生成线宽可低于20μm的电极，大大的提高了超级电容器中还原态氧化石墨烯的比表面积。
-
公开(公告)号：CN111755601A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010657592.X
申请日：2020-07-09
Abstract: 本发明公开了相变存储器、光信号处理系统及方法，属于光电领域。本发明的相变存储器由衬底和相变层组成，相变层采用二维光学相变材料具有非线性光学特性，能够实现光信号存储效应，功率低且体积小；基于相变存储器的光信号处理方法及系统可支持对光信号的采集，能耗的功率相当于由1W/μm2降至0.1W/μm2，远低于现有的人工视觉系统的消耗功率，且本发明的光信号处理系统采用器件的集成度高，可广范围应用于便捷式节能设备中。
-
公开(公告)号：CN111489076A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010267929.6
申请日：2020-04-07
Applicant: 顾敏
Inventor： 顾敏
IPC: G06Q10/06
Abstract: 本发明公开了一体化工艺危害分析方法、系统及存储介质，所述方法包括：获取不同生产状态下发生偏离和引发偏离的原因；根据偏离原因的概率、使能事件和条件修正计算不期望事件发生的潜在概率；根据偏离的原因和后果严重性矩阵生成不期望事件的后果严重性等级；根据潜在风险等级对不期望事件进行预防性措施动作；获取预防性措施动作实施后不期望事件的残留概率；根据潜在风险等级对不期望事件进行保护性措施动作；获取保护性措施动作实施后不期望事件的残留后果严重性等级；根据不期望事件的残留概率、残留后果严重性和风险矩阵生成残留风险等级。本发明有效地避免了传统分析方法的不足和缺点。
-
公开(公告)号：CN115390366B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202210992808.7
申请日：2022-08-18
Abstract: 本发明涉及石墨烯的超精细光刻技术领域，特别涉及一种超越衍射极限的石墨烯结构及其双光束光刻方法，包括：采用石墨粉通过Hummers方法获得氧化石墨烯悬浮液，接着将所述氧化石墨烯悬浮液旋涂在PET薄膜上，制备得到氧化石墨烯薄膜；采用环形还原光束和球面氧化光束的双光束激光光刻系统对所述氧化石墨烯薄膜进行光刻。本发明采用环形还原光束和球面氧化光束同时对氧化石墨烯薄膜进行光刻，可以制造出超越衍射极限的精细化平行线型图案，实现最小线宽为90nm的LSG图案，通过控制双光束的激光功率和扫速可以制造出不同平均线宽和平均间距的LSG平行图案，该图案可以用于制作超级电容的电极，其比容量最高可以达到308F/g。
-
公开(公告)号：CN116828970A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202211148117.5
申请日：2022-09-19
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了平面结构忆阻器及其制备方法，属于半导体领域。本发明的平面结构忆阻器采用平面“三明治”结构，两个电极设置于同一平面，且分别位于变阻层的变阻区域两侧，本发明的这种结构相对于现有的忆阻器而言具有更好的柔韧性、可拉伸、厚度薄，便于集成；同时电极包括金属电极和还原氧化石墨烯电极两种，相对于现有的非金属电极石墨烯而言，便于制备，可大规模生产。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
96
records
(took 0.025 seconds)
