公开(公告)号：TWI676253B

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：TW104141901

申请日：2015-12-14

Applicant: 日商吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 池元義彦 ,  IKEMOTO, YOSHIHIKO ,  澤地茂典 ,  SAWACHI, SHIGENORI ,  谷口文彦 ,  TANIGUCHI, FUMIHIKO ,  勝又章夫 ,  KATSUMATA, AKIO

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31

公开(公告)号：TW201803036A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW106107950

申请日：2017-03-10

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 竹原靖之 ,  TAKEHARA, YASUYUKI ,  北野一彥 ,  KITANO, KAZUHIKO

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/28 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L23/13 ,  H01L23/142 ,  H01L23/293 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/4926 ,  H01L23/544 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244

Abstract: 在此提供一種半導體封裝件之製造方法，為用以於將半導體裝置配置於基材時獲得高對準精確度。半導體封裝件包含基材、半導體裝置及樹脂絕緣層。基材設置有凹部。半導體裝置配置於基材之設置有凹部之表面。樹脂絕緣層覆蓋半導體裝置。半導體封裝件亦可更包含位於基材與半導體裝置之間之接合層。接合層亦可具有露出凹部之開口部，樹脂絕緣層亦可接觸於開口部之側壁。

Abstract in simplified Chinese: 在此提供一种半导体封装件之制造方法，为用以于将半导体设备配置于基材时获得高对准精确度。半导体封装件包含基材、半导体设备及树脂绝缘层。基材设置有凹部。半导体设备配置于基材之设置有凹部之表面。树脂绝缘层覆盖半导体设备。半导体封装件亦可更包含位于基材与半导体设备之间之接合层。接合层亦可具有露出凹部之开口部，树脂绝缘层亦可接触于开口部之侧壁。

公开(公告)号：TW201801260A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW106104969

申请日：2017-02-15

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 鈴原將文 ,  SUZUHARA, MASAFUMI

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/49524 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4842 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49565 ,  H01L23/49582

Abstract: 在此提供一種半導體封裝件及其製造方法，其改善外部連接端子之側表面之焊料濕潤性。半導體封裝件包含晶粒墊、多個外部連接端子、半導體晶片及密封材。多個外部連接端子配置於前述晶粒墊之周邊。半導體晶片配置於前述晶粒墊之上表面，且電性連接於前述多個外部連接端子。密封材掩埋前述晶粒墊、前述多個外部連接端子及前述半導體晶片，且露出前述多個外部連接端子之各個外側端部。半導體封裝件之特徵在於前述多個外部連接端子之各個外部連接端子於前述外側端部之側表面含有第一區域，且於前述第一區域施設鍍層。

Abstract in simplified Chinese: 在此提供一种半导体封装件及其制造方法，其改善外部连接端子之侧表面之焊料湿润性。半导体封装件包含晶粒垫、多个外部连接端子、半导体芯片及密封材。多个外部连接端子配置于前述晶粒垫之周边。半导体芯片配置于前述晶粒垫之上表面，且电性连接于前述多个外部连接端子。密封材掩埋前述晶粒垫、前述多个外部连接端子及前述半导体芯片，且露出前述多个外部连接端子之各个外侧端部。半导体封装件之特征在于前述多个外部连接端子之各个外部连接端子于前述外侧端部之侧表面含有第一区域，且于前述第一区域施设镀层。

公开(公告)号：TW201801204A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW106115284

申请日：2017-05-09

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 稲岡俊幸 ,  INAOKA, TOSHIYUKI ,  吉川雄一郎 ,  YOSHIKAWA, YUICHIRO ,  浦辻淳広 ,  URATSUJI, ATSUHIRO ,  吉光克司 ,  YOSHIMITSU, KATSUSHI

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/28 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L21/4871 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15747

Abstract: 本發明之目的在於提供一種半導體封裝，係縮小密封樹脂的體積，而在半導體晶片的厚度厚且相鄰的半導體晶片間的距離較窄時亦可容易地進行樹脂埋入，以及提供一種薄型半導體封裝，係最終製品不包含支撐用平板。本發明之解決手段為一種半導體封裝，其特徵在於具有在由鍍銅所構成之支撐體的凹槽部內收容半導體晶片之構造，該支撐體係具有收容半導體晶片之凹槽部。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的在于提供一种半导体封装，系缩小密封树脂的体积，而在半导体芯片的厚度厚且相邻的半导体芯片间的距离较窄时亦可容易地进行树脂埋入，以及提供一种薄型半导体封装，系最终制品不包含支撑用平板。本发明之解决手段为一种半导体封装，其特征在于具有在由镀铜所构成之支撑体的凹槽部内收容半导体芯片之构造，该支撑体系具有收容半导体芯片之凹槽部。

公开(公告)号：TW201731037A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW105139748

申请日：2016-12-01

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 林直毅 ,  HAYASHI, NAOKI

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/06 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/215 ,  H01L2924/01029

Abstract: 在此提供一種接合方法，係於半導體裝置之晶片之雙面所形成之電極與配線之間建構高程度熱可靠性之接合。半導體封裝件之製造方法包含以下步驟。以夾住接合膜之方式將半導體晶片接合於第一基板上。於半導體晶片上形成第一絕緣膜。於第一絕緣膜形成第一通孔。以經由第一通孔而電性連接於半導體晶片之方式於第一絕緣膜上形成第一配線。於接合膜形成第二通孔。以經由第二通孔而電性連接於半導體晶片之方式於半導體晶片之下形成第二配線。

Abstract in simplified Chinese: 在此提供一种接合方法，系于半导体设备之芯片之双面所形成之电极与配线之间建构高程度热可靠性之接合。半导体封装件之制造方法包含以下步骤。以夹住接合膜之方式将半导体芯片接合于第一基板上。于半导体芯片上形成第一绝缘膜。于第一绝缘膜形成第一通孔。以经由第一通孔而电性连接于半导体芯片之方式于第一绝缘膜上形成第一配线。于接合膜形成第二通孔。以经由第二通孔而电性连接于半导体芯片之方式于半导体芯片之下形成第二配线。

公开(公告)号：TW201640629A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：TW105103225

申请日：2016-02-02

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 廣部正雄 ,  HIROBE, MASAO

IPC: H01L23/36 ,  H05K7/20

CPC classification number: H01L23/3675 ,  H01L23/04 ,  H01L23/10 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/562 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/059 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/16153 ,  H01L2924/1616 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0655 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/0715 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/0675

Abstract: 配置於半導體晶片及基板之散熱板因伴隨熱膨脹或熱收縮之應力，而有自散熱板及基板剝離之問題。本發明之其中一目的在於解決此問題而提供包括基板、半導體晶片及散熱板之半導體裝置。基板表面包含絕緣材料。半導體晶片以覆晶方式連接於基板上。散熱板經由熱介面材料黏著於半導體晶片，且於半導體晶片之外側固定至基板。散熱板具有突起部及應力吸收部。突起部位於散熱板黏著於半導體晶片之部分及固定於基板之部分之間，並朝向基板突出且藉由導電性樹脂黏著於基板。根據本發明能夠防止散熱板因伴隨熱膨脹或熱收縮之應力而自散熱板及基板剝離。

Abstract in simplified Chinese: 配置于半导体芯片及基板之散热板因伴随热膨胀或热收缩之应力，而有自散热板及基板剥离之问题。本发明之其中一目的在于解决此问题而提供包括基板、半导体芯片及散热板之半导体设备。基板表面包含绝缘材料。半导体芯片以覆晶方式连接于基板上。散热板经由热界面材料黏着于半导体芯片，且于半导体芯片之外侧固定至基板。散热板具有突起部及应力吸收部。突起部位于散热板黏着于半导体芯片之部分及固定于基板之部分之间，并朝向基板突出且借由导电性树脂黏着于基板。根据本发明能够防止散热板因伴随热膨胀或热收缩之应力而自散热板及基板剥离。

公开(公告)号：TWI557868B

公开(公告)日：2016-11-11

申请号：TW101134430

申请日：2012-09-20

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 澤地茂典 ,  SAWACHI, SHIGENORI ,  山方修武 ,  YAMAGATA, OSAMU ,  井上廣司 ,  INOUE, HIROSHI ,  板倉悟 ,  ITAKURA, SATORU ,  近井智哉 ,  CHIKAI, TOMOSHIGE ,  堀將彥 ,  HORI, MASAHIKO ,  勝又章夫 ,  KATSUMATA, AKIO

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TWI550792B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：TW103102077

申请日：2014-01-21

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 井上廣司 ,  INOUE, HIROSHI ,  勝又章夫 ,  KATSUMATA, AKIO ,  澤地茂典 ,  SAWACHI, SHIGENORI ,  山方修武 ,  YAMAGATA, OSAMU

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TW201622080A

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：TW104140735

申请日：2015-12-04

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 橋本聖昭 ,  HASHIMOTO, KIYOAKI

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L25/0652 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/562 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/83

Abstract: 課題在於提供一種高度可靠性且高度設計自由度之半導體封裝及其製造方法。半導體封裝包含一第一半導體裝置、一第一密封體、一第一配線、一中間緩衝層及一第二密封體。第一半導體裝置設置於一支撐基板上。第一密封體覆蓋前述第一半導體裝置。第一配線設置於前述第一密封體上且連接至前述第一半導體裝置。中間緩衝層覆蓋前述第一配線。第二密封體設置於前述中間緩衝層上。製成前述第一密封體之絕緣材料與製成前述中間緩衝層之絕緣材料相異，且製成前述第二密封體之絕緣材料與製成前述中間緩衝層之絕緣材料相異。

Abstract in simplified Chinese: 课题在于提供一种高度可靠性且高度设计自由度之半导体封装及其制造方法。半导体封装包含一第一半导体设备、一第一密封体、一第一配线、一中间缓冲层及一第二密封体。第一半导体设备设置于一支撑基板上。第一密封体覆盖前述第一半导体设备。第一配线设置于前述第一密封体上且连接至前述第一半导体设备。中间缓冲层覆盖前述第一配线。第二密封体设置于前述中间缓冲层上。制成前述第一密封体之绝缘材料与制成前述中间缓冲层之绝缘材料相异，且制成前述第二密封体之绝缘材料与制成前述中间缓冲层之绝缘材料相异。

公开(公告)号：TW201606970A

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：TW104123201

申请日：2015-07-17

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 池元義彦 ,  IKEMOTO, YOSHIHIKO ,  井上広司 ,  INOUE, HIROSHI ,  石堂仁則 ,  ISHIDO, KIMINORI ,  松原寛明 ,  MATSUBARA, HIROAKI ,  今泉有加里 ,  IMAIZUMI, YUKARI

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/492 ,  H01L23/538 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/562 ,  H01L24/19 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2224/83

Abstract: 本發明提供一種低外形、低熱阻的半導體裝置及其製造方法。 一種半導體裝置，其特徵在於具備：支撐板(1)；半導體晶片(2)，其係透過接著層以元件電路面為上方而搭載於支撐板(1)之一方的主面；絕緣材料層(4)，其係用以密封前述半導體晶片(2)及其周邊；開口，其係在前述絕緣材料層(4)中，形成於前述半導體晶片(2)之前述元件電路面上所配置的電極上；導電部(6)，其係以與前述半導體晶片之前述電極連接的方式形成於前述開口內；配線層(5)，其係以與前述導電部(6)連接之方式形成於前述絕緣材料層(4)上，且一部分朝向前述半導體晶片(2)之周邊區域延伸；以及外部電極(7)，其係形成於前述配線層(5)上，前述支撐板(1)為從複合支撐板所分離出之構成複合支撐板之最上層的平板，該複合支撐板係將在半導體裝置之製造過程中所使用的複數個平板予以積層而構成。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种低外形、低热阻的半导体设备及其制造方法。 一种半导体设备，其特征在于具备：支撑板(1)；半导体芯片(2)，其系透过接着层以组件电路面为上方而搭载于支撑板(1)之一方的主面；绝缘材料层(4)，其系用以密封前述半导体芯片(2)及其周边；开口，其系在前述绝缘材料层(4)中，形成于前述半导体芯片(2)之前述组件电路面上所配置的电极上；导电部(6)，其系以与前述半导体芯片之前述电极连接的方式形成于前述开口内；配线层(5)，其系以与前述导电部(6)连接之方式形成于前述绝缘材料层(4)上，且一部分朝向前述半导体芯片(2)之周边区域延伸；以及外部电极(7)，其系形成于前述配线层(5)上，前述支撑板(1)为从复合支撑板所分离出之构成复合支撑板之最上层的平板，该复合支撑板系将在半导体设备之制造过程中所使用的复数个平板予以积层而构成。