公开(公告)号：TWI641088B

公开(公告)日：2018-11-11

申请号：TW104115674

申请日：2015-05-15

Applicant: 日商吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 本多広一 ,  HONDA, HIROKAZU ,  渡邉真司 ,  WATANABE, SHINJI ,  岩崎俊寬 ,  IWASAKI, TOSHIHIRO ,  石堂仁則 ,  ISHIDO, KIMINORI ,  丹羽康一郎 ,  NIWA, KOICHIRO ,  宮腰武 ,  MIYAKOSHI, TAKESHI ,  細山田澄和 ,  HOSOYAMADA, SUMIKAZU ,  熊谷欣一 ,  KUMAGAYA, YOSHIKAZU ,  近井智哉 ,  CHIKAI, TOMOSHIGE ,  中村慎吾 ,  NAKAMURA, SHINGO ,  作元祥太朗 ,  SAKUMOTO, SHOTARO ,  松原寬明 ,  MATSUBARA, HIROAKI

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/34 ,  H01L21/56

公开(公告)号：TW201810450A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106120272

申请日：2017-06-16

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 町田紘一 ,  MACHIDA, HIROKAZU ,  北野一彥 ,  KITANO, KAZUHIKO

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L23/142 ,  H01L21/4803 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/544 ,  H01L23/552 ,  H01L24/03 ,  H01L24/04 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/0665

Abstract: 在此提供一種具備高良率之半導體封裝件之製造方法。關於本發明之一實施型態之半導體封裝件之製造方法包含以下步驟。蝕刻基材之第一面及位於第一面與第二面間之側面部，且於第一面及側面部附著相異於金屬之其他金屬。此基材包含至少一種類之金屬且具有相對之第一面及第二面。於基材之第二面以外部端子非朝向第二面之方式配置具備外部端子之半導體裝置。形成樹脂絕緣層以覆蓋半導體裝置。於樹脂絕緣層上形成第一導電層。於第一導電層及樹脂絕緣層形成開口部以露出外部端子。於基材之第一面與側面部、於第一導電層上及於開口部內形成鍍覆層。

Abstract in simplified Chinese: 在此提供一种具备高良率之半导体封装件之制造方法。关于本发明之一实施型态之半导体封装件之制造方法包含以下步骤。蚀刻基材之第一面及位于第一面与第二面间之侧面部，且于第一面及侧面部附着相异于金属之其他金属。此基材包含至少一种类之金属且具有相对之第一面及第二面。于基材之第二面以外部端子非朝向第二面之方式配置具备外部端子之半导体设备。形成树脂绝缘层以覆盖半导体设备。于树脂绝缘层上形成第一导电层。于第一导电层及树脂绝缘层形成开口部以露出外部端子。于基材之第一面与侧面部、于第一导电层上及于开口部内形成镀覆层。

公开(公告)号：TW201806452A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：TW106103960

申请日：2017-02-07

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 松原寛明 ,  MATSUBARA, HIROAKI ,  近井智哉 ,  CHIKAI, TOMOSHIGE ,  林直毅 ,  HAYASHI, NAOKI ,  岩崎俊寛 ,  IWASAKI, TOSHIHIRO

IPC: H05K1/02 ,  H05K3/18 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/5384 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244

Abstract: 本發明之目的在於提供一種不會妨礙信號線等的微細化，且不需增加膜厚而使電流量大的配線圖案的載流能力提高的配線構造。 本發明的配線構造係具備：樹脂層1、及形成在前述樹脂層1的配線3；前述樹脂層1係在形成有配線的區域內具有複數條平行的溝2；前述配線3係由在形成有前述配線的區域內的樹脂層表面1a及前述複數條溝的內壁面1b所形成的鍍覆膜所構成。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的在于提供一种不会妨碍信号线等的微细化，且不需增加膜厚而使电流量大的配线图案的载流能力提高的配线构造。 本发明的配线构造系具备：树脂层1、及形成在前述树脂层1的配线3；前述树脂层1系在形成有配线的区域内具有复数条平行的沟2；前述配线3系由在形成有前述配线的区域内的树脂层表面1a及前述复数条沟的内壁面1b所形成的镀覆膜所构成。

公开(公告)号：TW201737363A

公开(公告)日：2017-10-16

申请号：TW106100195

申请日：2017-01-04

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 橋本聖昭 ,  HASHIMOTO, KIYOAKI ,  山本佑子 ,  YAMAMOTO, YUKO

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L23/49827 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/27 ,  H01L24/30 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/29195 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3511

Abstract: 在此提供一種半導體封裝件之製造方法，其能夠比以往更為減少用以形成通孔之元件，進而形成通孔。所提供之半導體封裝件之製造方法包含以下步驟。於支撐板上形成絕緣材料層。於前述絕緣材料層形成通孔。於前述絕緣材料層上配置半導體元件，且前述半導體元件之電極位於前述通孔之上。去除前述支撐板。於前述絕緣材料層之相反於前述半導體元件之表面、前述通孔及前述半導體元件之前述電極之表面形成晶種層。於前述通孔形成金屬層。

Abstract in simplified Chinese: 在此提供一种半导体封装件之制造方法，其能够比以往更为减少用以形成通孔之组件，进而形成通孔。所提供之半导体封装件之制造方法包含以下步骤。于支撑板上形成绝缘材料层。于前述绝缘材料层形成通孔。于前述绝缘材料层上配置半导体组件，且前述半导体组件之电极位于前述通孔之上。去除前述支撑板。于前述绝缘材料层之相反于前述半导体组件之表面、前述通孔及前述半导体组件之前述电极之表面形成晶种层。于前述通孔形成金属层。

公开(公告)号：TW201721821A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：TW105139747

申请日：2016-12-01

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 林直毅 ,  HAYASHI, NAOKI

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/312 ,  H01L21/288

CPC classification number: H01L23/49822 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/92244

Abstract: 在此提供一種配線基板及其製作方法，配線基板中，能夠施加大電流之厚配線層與能夠微細加工之薄配線層共存於同一層。所提供之配線基板包含設置於第一配線上且具有通孔之絕緣膜，以及位於絕緣膜上之第二配線。第二配線包含堆疊構造，堆疊構造包含第一層及位於第一層上且接觸於第一層之第二層。第二層經由通孔直接接觸於第一配線。第二層之與第一層重疊之區域中之膜厚相異於第二層於通孔內之膜厚。

Abstract in simplified Chinese: 在此提供一种配线基板及其制作方法，配线基板中，能够施加大电流之厚配线层与能够微细加工之薄配线层共存于同一层。所提供之配线基板包含设置于第一配在线且具有通孔之绝缘膜，以及位于绝缘膜上之第二配线。第二配线包含堆栈构造，堆栈构造包含第一层及位于第一层上且接触于第一层之第二层。第二层经由通孔直接接触于第一配线。第二层之与第一层重叠之区域中之膜厚相异于第二层于通孔内之膜厚。

公开(公告)号：TW201709468A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW105120901

申请日：2016-07-01

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 石堂仁則 ,  ISHIDO, KIMINORI ,  玉川道昭 ,  TAMAKAWA, MICHIAKI ,  岩崎俊寛 ,  IWASAKI, TOSHIHIRO

IPC: H01L23/532

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/19105

Abstract: 本發明係提供一種半導體裝置，其中，絕緣材料層不含諸如玻璃布或不織布之強化纖維，且該裝置能使金屬薄膜佈線層小型化、金屬導孔的孔徑減小，以及使層間的厚度減少。該半導體裝置係包括絕緣材料層以及翹曲調整層。該絕緣材料層係包括以不含強化纖維之絕緣材料所密封的一個或多個之半導體元件、複數個金屬薄膜佈線層、以及金屬導孔，且該金屬導孔使該金屬薄膜佈線層相互電性連接，以及使該半導體元件之電極和該金屬薄膜佈線層相互電性連接。而該翹曲調整層係設置於該絕緣材料層的一個主面上，以抵消該絕緣材料層的翹曲，進而減少該半導體裝置的翹曲。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种半导体设备，其中，绝缘材料层不含诸如玻璃布或不织布之强化纤维，且该设备能使金属薄膜布线层小型化、金属导孔的孔径减小，以及使层间的厚度减少。该半导体设备系包括绝缘材料层以及翘曲调整层。该绝缘材料层系包括以不含强化纤维之绝缘材料所密封的一个或多个之半导体组件、复数个金属薄膜布线层、以及金属导孔，且该金属导孔使该金属薄膜布线层相互电性连接，以及使该半导体组件之电极和该金属薄膜布线层相互电性连接。而该翘曲调整层系设置于该绝缘材料层的一个主面上，以抵消该绝缘材料层的翘曲，进而减少该半导体设备的翘曲。

公开(公告)号：TW201637253A

公开(公告)日：2016-10-16

申请号：TW104141077

申请日：2015-12-08

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 松原寛明 ,  MATSUBARA, HIROAKI ,  岩崎俊寛 ,  IWASAKI, TOSHIHIRO ,  近井智哉 ,  CHIKAI, TOMOSHIGE ,  石堂仁則 ,  ISHIDO, KIMINORI ,  渡邉真司 ,  WATANABE, SHINJI ,  玉川道昭 ,  TAMAKAWA, MICHIAKI

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2224/83

Abstract: 本發明之課題在於提供一種具有高的遮磁效果之不揮發性磁性記憶元件之遮磁封裝。上述課題之解決手段為一種不揮發性磁性記憶元件之遮磁封裝，其係包括：包含軟磁性材料之支撐板12、形成於支撐板上之第1絕緣材料層13、與元件電路面為相反側之面經固定於第1絕緣材料層上的不揮發性磁性記憶元件11、密封不揮發性磁性記憶元件及其周邊之第2絕緣材料層14、設於第2絕緣材料層內之配線層15、設於第2絕緣材料層內之包含軟磁性材料之軟磁性物質層15b或25、設於第2絕緣材料層內且將不揮發性磁性記憶元件之元件電路面的電極與配線層連接之導電部16、與不揮發性磁性記憶元件的側面有間隔距離且以將不揮發性磁性記憶元件側面的一部分或全部圍起之方式配置為壁狀的含軟磁性材料之遮磁構件17；軟磁性物質層與前述遮磁構件磁性連接。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题在于提供一种具有高的遮磁效果之不挥发性磁性记忆组件之遮磁封装。上述课题之解决手段为一种不挥发性磁性记忆组件之遮磁封装，其系包括：包含软磁性材料之支撑板12、形成于支撑板上之第1绝缘材料层13、与组件电路面为相反侧之面经固定于第1绝缘材料层上的不挥发性磁性记忆组件11、密封不挥发性磁性记忆组件及其周边之第2绝缘材料层14、设于第2绝缘材料层内之配线层15、设于第2绝缘材料层内之包含软磁性材料之软磁性物质层15b或25、设于第2绝缘材料层内且将不挥发性磁性记忆组件之组件电路面的电极与配线层连接之导电部16、与不挥发性磁性记忆组件的侧面有间隔距离且以将不挥发性磁性记忆组件侧面的一部分或全部围起之方式配置为壁状的含软磁性材料之遮磁构件17；软磁性物质层与前述遮磁构件磁性连接。

公开(公告)号：TW201637102A

公开(公告)日：2016-10-16

申请号：TW105109982

申请日：2016-03-30

Applicant: 日商吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 渡邉真司 ,  WATANABE, SHINJI ,  岩崎俊寬 ,  IWASAKI, TOSHIHIRO ,  玉川道昭 ,  TAMAKAWA, MICHIAKI

IPC: H01L21/52 ,  H01L23/34

CPC classification number: H01L25/0655 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L25/50 ,  H01L2021/60022 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/82005 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2924/18162

Abstract: 降低自半導體晶片之元件表面至半導體封裝之表面之熱阻抗為目的之一。此外，易於實現金屬之分割圖案化，大幅降低因矽與金屬之熱膨脹係數差異而發生之應力，且提升對應環境之可靠度為目的之一。再者，藉由不使用TIM材料製造半導體封裝而實現成本降低亦為目的之一。在此提供一種半導體封裝包含半導體晶片、第一配線及第二配線。半導體晶片具有配置有電極之元件表面及相反於此元件表面之背表面，樹脂覆蓋半導體晶片。第一配線直接連接至此電極或經由配置於此樹脂之第一開口部連接至此電極。第二配線經由配置於此樹脂之第二開口連接至此背表面。

Abstract in simplified Chinese: 降低自半导体芯片之组件表面至半导体封装之表面之热阻抗为目的之一。此外，易于实现金属之分割图案化，大幅降低因硅与金属之热膨胀系数差异而发生之应力，且提升对应环境之可靠度为目的之一。再者，借由不使用TIM材料制造半导体封装而实现成本降低亦为目的之一。在此提供一种半导体封装包含半导体芯片、第一配线及第二配线。半导体芯片具有配置有电极之组件表面及相反于此组件表面之背表面，树脂覆盖半导体芯片。第一配线直接连接至此电极或经由配置于此树脂之第一开口部连接至此电极。第二配线经由配置于此树脂之第二开口连接至此背表面。

公开(公告)号：TW201628135A

公开(公告)日：2016-08-01

申请号：TW105101999

申请日：2016-01-22

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 田中義浩 ,  TANAKA, YOSHIHIRO

IPC: H01L23/047 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49513 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29014 ,  H01L2224/29015 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: 課題在於使用焊料等之第一金屬固定半導體元件而製造半導體裝置時，控制熔融之焊料之流動方向及蔓延範圍，以防止劣質發生。本發明之一實施型態提供一種半導體裝置，其包括一半導體元件及一基島。基島具有一表面，且用以使用一第一金屬將半導體元件固定於表面，於表面之一部分藉由一第二金屬形成一圖案，第一金屬於熔融時與第二金屬之濕潤性大於與表面之濕潤性。

Abstract in simplified Chinese: 课题在于使用焊料等之第一金属固定半导体组件而制造半导体设备时，控制熔融之焊料之流动方向及蔓延范围，以防止劣质发生。本发明之一实施型态提供一种半导体设备，其包括一半导体组件及一基岛。基岛具有一表面，且用以使用一第一金属将半导体组件固定于表面，于表面之一部分借由一第二金属形成一图案，第一金属于熔融时与第二金属之湿润性大于与表面之湿润性。

公开(公告)号：TWI458061B

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：TW100105917

申请日：2011-02-23

Applicant: 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

Inventor： 山方修武 ,  YAMAGATA, OSAMU

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/19 ,  H01L24/12 ,  H01L24/20 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00