公开(公告)号：TW201538680A

公开(公告)日：2015-10-16

申请号：TW104106523

申请日：2015-03-02

Applicant: 公立大學法人大阪府立大學 ,  OSAKA PREFECTURE UNIVERSITY PUBLIC CORPORATION

Inventor： 八木繁幸 ,  YAGI, SHIGEYUKI

IPC: C09K11/06 ,  C07D209/86 ,  C07F15/00 ,  H05B33/14 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/0085 ,  C07D401/14 ,  C07F15/0033 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/185 ,  H01L51/5016

Abstract: 本發明係提供一種新的銥錯合物及使用其之有機電場發光元件。銥錯合物包含銥原子，及與其配位之以下述式(L1)所示之第1配位子；(式中，附*的原子為配位至銥的配位原子，R1為拉電子取代基，R2至R6分別為取代基，m為1至3，n為0至4，p為0至4，q為1至3，p+q≦5，r為0至4，s為1至3，r+s≦5，t及u分別為0至4)。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种新的铱错合物及使用其之有机电场发光组件。铱错合物包含铱原子，及与其配位之以下述式(L1)所示之第1配位子；(式中，附*的原子为配位至铱的配位原子，R1为拉电子取代基，R2至R6分别为取代基，m为1至3，n为0至4，p为0至4，q为1至3，p+q≦5，r为0至4，s为1至3，r+s≦5，t及u分别为0至4)。

公开(公告)号：TW201530847A

公开(公告)日：2015-08-01

申请号：TW103134534

申请日：2014-10-03

Applicant: 公立大學法人大阪府立大學 ,  OSAKA PREFECTURE UNIVERSITY PUBLIC CORPORATION

Inventor： 林晃敏 ,  HAYASHI, AKITOSHI ,  辰巳砂昌弘 ,  TATSUMISAGO, MASAHIRO ,  忠永清治 ,  TADANAGA, KIYOHARU

IPC: H01M10/0562 ,  H01M4/36 ,  H01M4/62 ,  H01M4/139 ,  H01M4/13 ,  H01M10/052 ,  H01M10/058

CPC classification number: H01M4/0407 ,  H01M4/13 ,  H01M4/139 ,  H01M4/366 ,  H01M4/62 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/054 ,  H01M10/0562 ,  H01M10/058 ,  H01M2300/0068 ,  Y02T10/7011

Abstract: 一種全固體鹼金屬二次電池用的含固體電解質之層的形成用溶液，包含有：來自作為固體電解質製造用的原料之A2S和MxSy(A係由Li及Na所選出，M係由P、Si、Ge、B、Al及Ga所選出，x和y係依M的種類而給與化學計量比之數)之成分；非極性有機溶劑；及極性有機溶劑，係具有比前述非極性有機溶劑高0.3以上的極性值。

Abstract in simplified Chinese: 一种全固体碱金属二次电池用的含固体电解质之层的形成用溶液，包含有：来自作为固体电解质制造用的原料之A2S和MxSy(A系由Li及Na所选出，M系由P、Si、Ge、B、Al及Ga所选出，x和y系依M的种类而给与化学计量比之数)之成分；非极性有机溶剂；及极性有机溶剂，系具有比前述非极性有机溶剂高0.3以上的极性值。

公开(公告)号：TWI457476B

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：TW098119223

申请日：2009-06-09

Applicant: 愛沃特股份有限公司 ,  AIR WATER INC. ,  公立大學法人大阪府立大學 ,  PUBLIC UNIVERSITY CORPORATION, OSAKA PREFECTURE UNIVERSITY

Inventor： 川村啟介 ,  KAWAMURA, KEISUKE ,  泉勝俊 ,  IZUMI, KATSUTOSHI ,  淺村英俊 ,  ASAMURA, HIDETOSHI ,  橫山敬志 ,  YOKOYAMA, TAKASHI

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/8258 ,  C30B25/02 ,  C30B29/36 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/8213

公开(公告)号：TW200927357A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：TW097139693

申请日：2008-10-16

Applicant: 石川金屬股份有限公司 ISHIKAWA METAL CO., LTD. ,  公立大學法人 大阪府立大學 OSAKA PREFECTURE UNIVERSITY PUBLIC CORPORATION

Inventor： 濱田真行 HAMADA, NAOYUKI ,  高木督 TAKAGI, MASARU ,  東健司 HIGASHI, KENJI ,  瀧川順庸 TAKIGAWA, YORINOBU ,  上杉德照 UESUGI, TOKUTERU

IPC: B23K ,  C22C

CPC classification number: C22C13/00 ,  B23K35/262 ,  B23K2201/36

Abstract: 關於無鉛焊料雖然已有許多之報告,但綜合性地滿足作為接著用硬焊料之數個評價項目方面,Sn-3Ag-0.5Cu組成之焊料係被視為有用的。但是,Sn-3Ag-0.5Cu組成之焊料在强度可靠性有問題。其原因係由於Ag3Sn的粒子之粗大化,故考慮使Ag減少作為强度可靠性提升之1個手段。但是,Ag的減少亦有關於使最開始的强度本身減少。為了補償由於減低Ag的含量而降低之强度,添加Zn作為第4元素,以提供Sn-Ag-Cu-Zn的4元系組成之焊料。

Abstract in simplified Chinese: 关于无铅焊料虽然已有许多之报告,但综合性地满足作为接着用硬焊料之数个评价项目方面,Sn-3Ag-0.5Cu组成之焊料系被视为有用的。但是,Sn-3Ag-0.5Cu组成之焊料在强度可靠性有问题。其原因系由于Ag3Sn的粒子之粗大化,故考虑使Ag减少作为强度可靠性提升之1个手段。但是,Ag的减少亦有关于使最开始的强度本身减少。为了补偿由于减低Ag的含量而降低之强度,添加Zn作为第4元素,以提供Sn-Ag-Cu-Zn的4元系组成之焊料。

公开(公告)号：TW200425764A

公开(公告)日：2004-11-16

申请号：TW092130541

申请日：2003-10-31

Applicant: 大阪府 OSAKA PREFECTURE ,  星電股份有限公司 HOSIDEN CORPORATION

Inventor： 泉勝俊 IZUMI, KATSUTOSHI ,  中尾基 NAKAO, MOTOI ,  大林義昭 OHBAYASHI, YOSHIAKI ,  啓治 MINE, KEIJI ,  平井誠作 HIRAI, SEISAKU ,  條邊文彥 JOBE, FUMIHIKO ,  田中智之 TANAKA, TOMOYUKI

IPC: H04R

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639

Abstract: 本發明的目的在於提供一種單結晶氮化鎵局部化之基板及其製造方法，係適合應用於：在同一矽基板上，將電子裝置和光裝置混載之電子–光混合裝置的製造中。構成：在矽基板100上，形成碳化矽300，並且利用在前述碳化矽300上，局部地形成單結晶氮化鎵410，而在矽基板100上，具有局部地使單結晶氮化鎵410成長的區域。作為形成前述單結晶氮化鎵410時的罩幕，係使用氮化矽220。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的在于提供一种单结晶氮化镓局部化之基板及其制造方法，系适合应用于：在同一硅基板上，将电子设备和光设备混载之电子–光混合设备的制造中。构成：在硅基板100上，形成碳化硅300，并且利用在前述碳化硅300上，局部地形成单结晶氮化镓410，而在硅基板100上，具有局部地使单结晶氮化镓410成长的区域。作为形成前述单结晶氮化镓410时的罩幕，系使用氮化硅220。

公开(公告)号：EP1777195A4

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：EP05734218

申请日：2005-04-19

Applicant: JAPAN SCIENCE & TECH AGENCY ,  OSAKA PREFECTURE ,  TAIYO NIPPON SANSO CORP ,  OTSUKA CHEMICAL CO LTD ,  NISSIN ELECTRIC CO LTD ,  PUBLIC UNIVERSITY CORP OSAKA PREFECTURE UNIVERSITY

Inventor： NAKAYAMA YOSHIKAZU ,  NOSAKA TOSHIKAZU ,  SUEKANE OSAMU ,  NAGASAKA TAKESHI ,  GOTO TOSHIKI ,  TSUCHIYA HIROYUKI ,  SHIONO KEISUKE

IPC: C01B31/02 ,  B32B9/00 ,  B82B1/00 ,  D02G3/02 ,  D03D15/12

CPC classification number: C01B31/00 ,  B82B1/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/00 ,  C01B32/158 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/08 ,  Y10S977/742 ,  Y10T428/24372 ,  Y10T428/2918 ,  Y10T428/292

Abstract: An aggregate of carbon-based fine structures in which a plurality of carbon-based fine structures are collected, wherein respective carbon-based fine structures are oriented in the same direction. The above aggregate of carbon-based fine structures is an aggregate of a plurality of carbon-based fine structures in a state they are pulled by one another with strong interaction, and has such a length that allows the improvement of the handeability and workability thereof.

Abstract translation: 在其中基于碳的精细结构的多元被收集的碳基的精细结构的集合体，worin respectivement基于碳的精细结构被定向在相同的方向。 基于碳的精细结构的上述聚合是基于碳的精细结构的在它们通过彼此具有很强的相互作用弹起的状态的多个聚集体，并且已经研究了长度做允许handeability和加工性的提高。

公开(公告)号：TW201739964A

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：TW105142315

申请日：2016-12-20

Applicant: 地方獨立行政法人大阪府立產業技術綜合研究所 ,  TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE OF OSAKA PREFECTURE ,  帝國離子股份有限公司 ,  TEIKOKU ION CO., LTD.

Inventor： 林彰平 ,  HAYASHI, SHOHEI ,  森河務 ,  MORIKAWA, TSUTOMU ,  中出卓男 ,  NAKADE, TAKUO ,  長瀧敬行 ,  NAGATAKI, TAKAYUKI ,  川脇拓哉 ,  KAWAWAKI, TAKUYA ,  北條將史 ,  HOJO, MASAFUMI ,  中村孝司 ,  NAKAMURA, TAKASHI

IPC: C25D3/06

CPC classification number: C25D3/06

Abstract: 本發明提供鍍鉻液及電鍍方法，以及前述鍍鉻液之製造方法，係於鍍覆處理中，可抑制在陽極之6價鉻濃度之增加，能經歷長期間進行良好的鉻鍍覆。 本發明之鍍鉻液，其特徵係其包含：3價鉻離子、以及選自鈀離子及金離子所成群中至少1種。此外，本發明之鍍鉻液，其特徵係其包含：3價鉻離子、6價鉻離子、以及選自鈀離子及金離子所成群中至少1種。鍍鉻液藉由含有鈀離子及/或金離子，可抑制在陽極之6價鉻濃度之增加，能經歷長期間進行良好的鍍覆處理。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供镀铬液及电镀方法，以及前述镀铬液之制造方法，系于镀覆处理中，可抑制在阳极之6价铬浓度之增加，能经历长期间进行良好的铬镀覆。 本发明之镀铬液，其特征系其包含：3价铬离子、以及选自钯离子及金离子所成群中至少1种。此外，本发明之镀铬液，其特征系其包含：3价铬离子、6价铬离子、以及选自钯离子及金离子所成群中至少1种。镀铬液借由含有钯离子及/或金离子，可抑制在阳极之6价铬浓度之增加，能经历长期间进行良好的镀覆处理。

公开(公告)号：TWI599544B

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：TW103102098

申请日：2014-01-21

Applicant: 三菱化學股份有限公司 ,  MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION ,  公立大學法人大阪府立大學 ,  OSAKA PREFECTURE UNIVERSITY PUBLIC CORPORATION

Inventor： 小西康裕 ,  KONISHI, YASUHIRO ,  斎藤範三 ,  SAITOH, NORIZOH ,  安保貴永 ,  ANBO, TAKANORI ,  寺澤薫 ,  TERAZAWA, KAORU ,  龍野孝一郎 ,  RYUNO, KOICHIRO ,  二宮康裕 ,  NINOMIYA, YASUHIRO

IPC: C02F3/34 ,  C02F1/70 ,  C02F11/02 ,  B01D61/00 ,  B01D63/00

CPC classification number: C12P3/00 ,  B22F9/24 ,  B22F2301/25 ,  B22F2301/255 ,  B22F2304/058 ,  C02F3/00 ,  C02F3/006 ,  C02F3/1268 ,  C02F3/346 ,  C02F2101/20 ,  C02F2101/203 ,  C02F2305/06 ,  C22B3/18 ,  C22B3/22 ,  C22B11/04 ,  Y02P10/234 ,  Y02P20/582 ,  Y02W10/15

公开(公告)号：TW201609616A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：TW103144087

申请日：2014-12-17

Applicant: 史鐵勒製藥股份有限公司 ,  STELLA PHARMA CORPORATION ,  公立大學法人大阪府立大學 ,  OSAKA PREFECTURE UNIVERSITY PUBLIC CORPORATION

Inventor： 竹中宏誌 ,  TAKENAKA, HIROSHI ,  大田洋一郎 ,  OHTA, YOICHIRO ,  田口祐輔 ,  TAGUCHI, YUSUKE ,  上田沙悠里 ,  UEDA, SAYURI ,  石野祐子 ,  ISHINO, YUKO ,  吉川智裕 ,  YOSHIKAWA, TOMOHIRO ,  中嶌秀紀 ,  NAKASHIMA, HIDEKI ,  上原幸樹 ,  UEHARA, KOHKI ,  切畑光統 ,  KIRIHATA, MITSUNORI

IPC: C07C229/36 ,  C07F5/04 ,  C07B59/00

CPC classification number: C07F5/027 ,  C07C229/36 ,  C07C251/24 ,  C07C271/22 ,  Y02P20/55

Abstract: 本發明係提供一種2-氟-4-二羥硼基-L-苯基丙胺酸之製造方法及2-氟-4-二羥硼基-L-苯基丙胺酸之前驅物。係製備並使用下述式所表示之化合物： 此處，R1表示溴基、碘基、氯基、硝基、或胺基，R2表示鹵基、硝基、胺基、Sn(R6)3、N=N-NR7R8、OSO2R9、NR10R11、經取代或未經取代之苯基碘、經取代或未經取代之雜環基碘、或硼酸或者硼酸酯之任一者(此處，R6表示碳數為1~7之烷基或苄基；R7及R8可相同或不同，表示氫、碳數為1~7之烷基、經鹵素取代之碳數為1~7之烷基、經任意取代之苯基，或者與N一同形成具有3~7個 原子之環結構；R9表示碳數為1~7之烷基、經鹵素取代之碳數為1~7之烷基、或經任意取代之苯基；R10及R11可相同或不同，表示碳數為1~7之烷基、經鹵素取代之碳數為1~7之烷基、經任意取代之苯基，或者與N一同形成具有3~7個原子之環結構)(其中，R1與R2之至少任一者必須為溴基、碘基、或氯基)；R30表示氫或羧基之保護基PG1，R40或R50獨立地表示氫、或胺基之保護基PG2，或是NR40R50成為一體而表示C6H5(C6H5)C=N)。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种2-氟-4-二羟硼基-L-苯基丙胺酸之制造方法及2-氟-4-二羟硼基-L-苯基丙胺酸之前驱物。系制备并使用下述式所表示之化合物： 此处，R1表示溴基、碘基、氯基、硝基、或胺基，R2表示卤基、硝基、胺基、Sn(R6)3、N=N-NR7R8、OSO2R9、NR10R11、经取代或未经取代之苯基碘、经取代或未经取代之杂环基碘、或硼酸或者硼酸酯之任一者(此处，R6表示碳数为1~7之烷基或苄基；R7及R8可相同或不同，表示氢、碳数为1~7之烷基、经卤素取代之碳数为1~7之烷基、经任意取代之苯基，或者与N一同形成具有3~7个 原子之环结构；R9表示碳数为1~7之烷基、经卤素取代之碳数为1~7之烷基、或经任意取代之苯基；R10及R11可相同或不同，表示碳数为1~7之烷基、经卤素取代之碳数为1~7之烷基、经任意取代之苯基，或者与N一同形成具有3~7个原子之环结构)(其中，R1与R2之至少任一者必须为溴基、碘基、或氯基)；R30表示氢或羧基之保护基PG1，R40或R50独立地表示氢、或胺基之保护基PG2，或是NR40R50成为一体而表示C6H5(C6H5)C=N)。

公开(公告)号：TW201533013A

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：TW104103249

申请日：2015-01-30

Applicant: 史鐵勒製藥股份有限公司 ,  STELLA PHARMA CORPORATION ,  公立大學法人大阪府立大學 ,  OSAKA PREFECTURE UNIVERSITY PUBLIC CORPORATION

Inventor： 竹中宏誌 ,  TAKENAKA, HIROSHI ,  大田洋一郎 ,  OHTA, YOICHIRO ,  田口祐輔 ,  TAGUCHI, YUSUKE ,  上田沙悠里 ,  UEDA, SAYURI ,  石野祐子 ,  ISHINO, YUKO ,  吉川智裕 ,  YOSHIKAWA, TOMOHIRO ,  中嶌秀紀 ,  NAKASHIMA, HIDEKI ,  上原幸樹 ,  UEHARA, KOHKI ,  切畑光統 ,  KIRIHATA, MITSUNORI

IPC: C07C47/54 ,  C07F5/02 ,  C07F5/04 ,  C07B59/00 ,  A61K51/04 ,  A61K101/02

CPC classification number: C07F5/025 ,  C07B59/00 ,  C07B59/004 ,  C07B2200/05 ,  C07C45/63 ,  C07C47/55

Abstract: 本發明之目的在於提供一種新穎之18F標記化BPA(4-二羥硼基苯丙胺酸)之製造方法、以及18F標記化BPA之前驅物。藉由調製並使用由下述式所表示之化合物而可調製18F標記化BPA； 此處，R1表示溴基、碘基、氟基、二氮雜硼環己烷衍生物、BX3-、或BX3-M+，X表示鹵素，M+表示1價之單原子陽離子、多原子陽離子、或錯合陽離子。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的在于提供一种新颖之18F标记化BPA(4-二羟硼基苯丙胺酸)之制造方法、以及18F标记化BPA之前驱物。借由调制并使用由下述式所表示之化合物而可调制18F标记化BPA； 此处，R1表示溴基、碘基、氟基、二氮杂硼环己烷衍生物、BX3-、或BX3-M+，X表示卤素，M+表示1价之单原子阳离子、多原子阳离子、或错合阳离子。