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公开(公告)号：JP4896373B2
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：JP2003558422
申请日：2002-12-18
Inventor： レイモンド エイチ． クラフト， , ジョン ティー． ストレム， , ドナルド ビー． スノウ，
CPC classification number: G01B11/254 , G01B11/245 , G01C11/06 , G06T7/521 , H05K13/0015
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公开(公告)号：JP4555900B2
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：JP2006502763
申请日：2004-01-29
Inventor： ディヴィッド ビーグルホール
IPC: G01N21/21
CPC classification number: G01N21/211
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13.发明专利
公开(公告)号：JP2010520616A
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：JP2009551728
申请日：2008-02-28
CPC classification number: G01N21/1717 , G01N21/95684 , G01N29/2418 , G01N2021/1725 , G01N2021/8416 , G01N2021/95638
Abstract: 製造プロセスを評価するための方法を記載する。 該方法は、光学ポンプビームパルスを生成することと、該光学ポンプビームパルスを試料の表面に向けることと、を含む。 プローブパルスを生成し、該プローブパルスを該試料の該表面に向ける。 プローブパルス応答信号を検出する。 音響信号に応じて変化する該プローブパルスの変化は、プローブパルス応答信号を形成する。 該試料を作るために使用される、１つ以上の製造プロセスステップの評価は、該プローブパルス応答信号に基づいて行われる。 さらに、該方法は、ＣＭＰプロセスのプロセス制御に使用されてもよい。 また、装置も記載される。
【選択図】図３-
公开(公告)号：JP2010503862A
公开(公告)日：2010-02-04
申请号：JP2009528415
申请日：2007-09-10
Inventor： ガン・スン
IPC: G01N21/88 , G06T1/00 , H01L21/027
CPC classification number: G01N21/9501 , G01N21/21 , G01N21/93 , G01N21/95607 , G01N2021/8887
Abstract: A system and method for inspection a substrate for various defects is herein disclosed. Polarizing filters are used to improve the contrast of polarization dependent defects such as defocus and exposure defects, while retaining the same sensitivity to polarization independent defects, such as pits, voids, cracks, chips and particles.
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15.发明专利
公开(公告)号：JP2008516229A
公开(公告)日：2008-05-15
申请号：JP2007535661
申请日：2004-10-07
Inventor： エー ジョージ アントネリ , マイケル コテルヤンスキー , トン ジェン , グレイ タス , ディー アンドレ ミラー , ジェー クリストファー モラス , グエナディー ラザロヴ , エル ジェミー リュトケ , ピー シーン レアリー
IPC: G01N21/00
CPC classification number: G01N21/211 , G01N21/8422
Abstract: 光学計測システム（50）は、二酸化ケイ素、金属または半導体基板を覆う炭素ドープ酸化物のような光学的に透明な誘電体膜（310）の弾性係数を求めるための、データ解析方法を備える。 屈折率は、偏光解析器で測定され、レーザ光線の波長は、レーザ分光計を使用して測定される。 屈折角は、ウエハ表面に焦点を定めた光パルス（325）を導き、ウエハをz方向に移動して第１の一組の座標（x
1 , y
1 , z
1 ）（330）を測定し、ウエハ表面に光パルス（325）を導いて第２の一組の座標（x
2 , y
2 , z
2 ）を測定することによって求められ、これらの座標を用いて入射角を計算し、計算した入射角から屈折角を計算し、計算した屈折角から音速vを求めて、求めた音速vを用いて体積弾性係数を計算する。 ツールごとの得られる結果の変動を約0.5%以下に抑えるために、ハードウェアの較正および光学計測システムの調整も提供される。
【選択図】図３-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI553771B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW100134632
申请日：2011-09-26
Applicant: 魯道夫科技股份有限公司 , RUDOLPH TECHNOLOGIES, INC.
Inventor： 索登 羅夫 , SOWDEN, RALPH , 巴爾 凱文 , BARR, KEVIN , 拉伯吉 馬修 , LABERGE, MATTHEW , 帕姆 特若伊 , PALM, TROY , 班森 丹尼斯 , BENSON, DENNIS
IPC: H01L21/683
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公开(公告)号：TWI460413B
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：TW096125147
申请日：2007-07-11
Applicant: 魯道夫科技股份有限公司 , RUDOLPH TECHNOLOGIES, INC.
Inventor： 曼珠莎孟德魯 , MEHENDALE, MANJUSHA , 米契爾柯笛洋斯基 , KOTEL YANSKII, MICHAEL J. , 侯炎文 , HOU, YANWEN , 吉姆恩達柯 , ONDERKO, JAMES , 葛雷塔司 , TAS, GURAY
CPC classification number: G01N21/211 , G01N21/636 , G01N21/8422 , G01N21/9501 , G01N21/956
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公开(公告)号：TW201314831A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW100134632
申请日：2011-09-26
Applicant: 魯道夫科技股份有限公司 , RUDOLPH TECHNOLOGIES, INC.
Inventor： 索登 羅夫 , SOWDEN, RALPH , 巴爾 凱文 , BARR, KEVIN , 拉伯吉 馬修 , LABERGE, MATTHEW , 帕姆 特若伊 , PALM, TROY , 班森 丹尼斯 , BENSON, DENNIS
IPC: H01L21/683
Abstract: 一種可移動的半導體基材支撐件，包含一控制裝置，可自一個以上感測器接收資料，並提供控制信號給一個以上致動器。該控制裝置耦接於並可隨著該可移動的基材支撐件移動，以有助於該基材支撐件本身的彈性及複雜作業。
Abstract in simplified Chinese: 一种可移动的半导体基材支撑件，包含一控制设备，可自一个以上传感器接收数据，并提供控制信号给一个以上致动器。该控制设备耦接于并可随着该可移动的基材支撑件移动，以有助于该基材支撑件本身的弹性及复杂作业。
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19.发明专利包含邊緣球狀物移除處理的晶圓製造監視系統與方法 WAFER FABRICATION MONITORING SYSTEMS AND METHODS, INCLUDING EDGE BEAD REMOVAL PROCESSING 审中-公开包含边缘球状物移除处理的晶圆制造监视系统与方法 WAFER FABRICATION MONITORING SYSTEMS AND METHODS, INCLUDING EDGE BEAD REMOVAL PROCESSING
公开(公告)号：TW200845259A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW097106463
申请日：2008-02-25
Applicant: 魯道夫科技股份有限公司 RUDOLPH TECHNOLOGIES, INC.
Inventor： 艾倫 卡爾森 CARLSON, ALAN , 李段 LE, TUAN D. , 艾傑 潘 PAI, AJAY , 安東尼 菲利普 PHILIP, ANTONY RAVI
IPC: H01L
CPC classification number: G06T7/0006 , G01N21/9501 , G01N21/9503 , G01N2021/8841 , G01R31/2831 , G01R31/303 , G06T2207/30148 , H01L21/67253
Abstract: 例如根據EBR線檢測之用以監視半導體晶圓製造處理的系統與方法,包含在製造的中間階段捕捉晶圓的至少一影像。所捕捉的影像被壓縮,以產生該晶圓的至少一邊緣區域的合成代表圖。一邊緣球狀物在代表圖中係被識別,及至少一特性屬性係由所識別之區域中抽出。所抽出之特性屬性係被自動評鑑,及有關於製造處理狀態的資訊係根據該評鑑加以產生。例如,對製造處理的推薦修改,不論是製造現行階段之上游或下游(或兩者)均可以產生及實施。
Abstract in simplified Chinese: 例如根据EBR线检测之用以监视半导体晶圆制造处理的系统与方法,包含在制造的中间阶段捕捉晶圆的至少一影像。所捕捉的影像被压缩,以产生该晶圆的至少一边缘区域的合成代表图。一边缘球状物在代表图中系被识别,及至少一特性属性系由所识别之区域中抽出。所抽出之特性属性系被自动评鉴,及有关于制造处理状态的信息系根据该评鉴加以产生。例如,对制造处理的推荐修改,不论是制造现行阶段之上游或下游(或两者)均可以产生及实施。
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公开(公告)号：TWI567381B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW104105024
申请日：2010-11-16
Applicant: 魯道夫科技股份有限公司 , RUDOLPH TECHNOLOGIES, INC.
CPC classification number: G01N21/9501 , G01N21/9505
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