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11.

发明公开
制备氟化硅化合物的方法无效

公开(公告)号：CN1336902A

公开(公告)日：2002-02-20

申请号：CN00802650.5

申请日：2000-09-12

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 福村考记 , 岛冈隆 , 及川英明 , 园田宽 , 后藤谦一 , 成濑纯子 , 林秀俊 , 安武刚

IPC: C01B33/10 , C07F7/12

CPC classification number: C07F7/123 , C07F7/0876

Abstract: 这里公开的是一种方便有效地制备氟化硅化合物的方法,包括将具有至少一个选自与硅原子结合的羟基、烷氧基和芳氧基的基团的硅化合物与由式(1)代表的化合物反应从而氟化所述基团,式中R1、R2、R3和R4可相同或不同,并且各代表取代或未取代、饱和或不饱和的烷基,或取代或未取代的芳基;R1和R2或R3和R4可结合形成具有一个或多个氮原子或具有一个或多个氮原子和其它杂原子的环;或者R1和R3可结合形成具有两个或多个氮原子或具有两个或多个氮原子和其它杂原子的环。

12.

发明公开
氟磷酸硼锂络合物、含有氟磷酸硼锂的组合物、氟磷酸硼锂、锂二次电池用添加剂、电池用非水电解液、及锂二次电池有权

公开(公告)号：CN110891958A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201880046798.X

申请日：2018-07-06

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 张涵 , 清水雄介 , 后藤谦一 , 大西仁志 , 宫田玄

IPC: C07F9/14 , H01M10/0567

Abstract: 氟磷酸硼锂络合物，其包含：化合物A，其是选自式(I)表示的氟磷酸硼锂的组中的1种；化合物B，其是选自式(II)～(IX)表示的化合物组中的1种。R0表示烃基，R1～R7各自独立地表示氢原子或取代基，R8、R9、R10、R11、及R13～R21各自独立地表示取代基，R12、R22、及R23各自独立地表示2价的连接基团。

13.

发明公开
二氟磷酸锂的制造方法无效

公开(公告)号：CN110198915A

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201880007730.0

申请日：2018-01-19

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 后藤谦一 , 铃木诚

IPC: C01B25/455

Abstract: 本发明提供二氟磷酸锂的制造方法，其包括下述工序：准备包含二氟磷酸锂的粗产物的工序；将前述粗产物溶解于混合溶剂中而得到溶液的工序，所述混合溶剂是将选自由乙酸乙酯、丙酮、二甲氧基乙烷、二乙二醇二甲基醚及三乙二醇二甲基醚组成的组中的至少1种溶剂(X)、和选自由甲苯、二甲苯、己烷、乙腈、碳酸二甲酯、碳酸甲乙酯及碳酸二乙酯组成的组中的至少1种溶剂(Y)以70/30～95/5的范围内的质量比(前述溶剂(X)/前述溶剂(Y))混合而得到的；和从前述溶液中取出二氟磷酸锂的工序。

14.

发明授权
高分子压电材料及其制造方法以及压电元件有权

公开(公告)号：CN102349170B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201080011561.1

申请日：2010-03-15

Applicant: 三井化学株式会社 , 学校法人关西大学

Inventor： 吉田光伸 , 味冈正伸 , 后藤谦一 , 藤隐一郎 , 伊崎健晴 , 小野木隆行 , 田实佳郎 , 宇杉真一 , 狩野武志 , 麻生善昭

IPC: H01L41/08 , C08J5/18 , C08L67/04 , C08L101/12 , H01L41/193 , H01L41/45

CPC classification number: H01L41/193 , B29C55/005 , C08G63/08 , H01L41/45

Abstract: 本发明提供一种高分子压电材料，其含有重均分子量为5万～100万的具有光学活性的螺旋手性高分子，在25℃的压电常数d14大于等于10pC/N，利用X射线衍射法所得的结晶度为40％～80％，且雾度为0.5～30。

15.

发明授权
制备缩聚聚合物化合物的方法失效

公开(公告)号：CN1071340C

公开(公告)日：2001-09-19

申请号：CN96119223.2

申请日：1996-10-19

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 玉井正司 , Y·森 , 后藤谦一 , 渡迈胜治 , 高后修 , 清水耕太郎 , 片冈利之 , 黑木贵志 , 山下涉 , 水木秀树 , 永田辉幸

IPC: C08G63/06 , C08G63/87

CPC classification number: C08G73/1007 , C08G63/823 , C08G63/87 , C08G69/04 , C08G69/28 , C08G75/26

Abstract: 本发明提供以乳酸聚合物为代表的缩聚型聚合物，其制备方法，其中所用缩聚剂和中间体。本发明具体提供聚酰胺、聚酰亚胺、聚硫酯和聚酯等缩聚聚合物制备方法，其中包括将含羧基的化合物与含活性氢的化合物在卤代亚胺盐存在下键合。本发明提供聚合物重复单元中具有可控D/L-异构体比值的优异聚乳酸及其制备方法以及其中所用卤代亚胺盐和酰基氯中间体化合物。

16.

发明授权
氟磷酸硼锂络合物、含有氟磷酸硼锂的组合物、电池用非水电解液、及锂二次电池有权

公开(公告)号：CN110891958B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN201880046798.X

申请日：2018-07-06

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 张涵 , 清水雄介 , 后藤谦一 , 大西仁志 , 宫田玄

IPC: C07F9/14 , H01M10/0567

Abstract: 氟磷酸硼锂络合物，其包含：化合物A，其是选自式(I)表示的氟磷酸硼锂的组中的1种；化合物B，其是选自式(II)～(IX)表示的化合物组中的1种。R0表示烃基，R1～R7各自独立地表示氢原子或取代基，R8、R9、R10、R11、及R13～R21各自独立地表示取代基，R12、R22、及R23各自独立地表示2价的连接基团。

17.

发明授权
光学材料用聚合性组合物和光学材料有权

公开(公告)号：CN105960425B

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201580007093.3

申请日：2015-02-05

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 塚田英孝 , 伊藤伸介 , 柿沼直志 , 后藤谦一 , 中川俊彦 , 山崎聪

IPC: C08G18/73 , C08G18/38 , G02B1/04 , G02C7/02 , G02C7/10

Abstract: 本发明的光学材料用聚合性组合物包含：多异氰酸酯(a)和多硫醇(b)，所述多异氰酸酯(a)包含脂肪族多异氰酸酯(a1)及脂肪族多异氰酸酯的改性物(a2)；所述多硫醇(b)具有二官能以上的硫醇基，改性物(a2)在多异氰酸酯(a)中以60重量％以下的量被包含。

18.

发明公开
二氟磷酸锂的制造方法无效

公开(公告)号：CN110225881A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201880008548.7

申请日：2018-01-25

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 后藤谦一 , 铃木诚

IPC: C01B25/455 , H01M10/0567

Abstract: 本发明提供二氟磷酸锂的制造方法，其包括下述工序：通过将六氟磷酸锂、选自由磷的氧化物(A)及磷酸的锂盐(B)组成的组中的至少1种、和碳原子数为6～12的烃溶剂混合，从而得到第1原料混合物的工序；通过将得到的前述第1原料混合物中包含的前述烃溶剂的至少一部分除去，从而得到第2原料混合物的工序；和通过使前述第2原料混合物反应，从而制造包含二氟磷酸锂的粗产物的工序。

19.

发明公开
电池用非水电解液及锂二次电池有权

公开(公告)号：CN107534185A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680027382.4

申请日：2016-05-26

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 宫里将敬 , 田中敏弘 , 林刚史 , 后藤谦一

IPC: H01M10/0567 , H01M4/58 , H01M4/66 , H01M10/052 , H01M10/058

CPC classification number: H01M10/0567 , H01M4/525 , H01M4/58 , H01M4/587 , H01M4/66 , H01M4/661 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/0568 , H01M10/0569 , H01M10/058 , H01M10/0585 , H01M2300/004 , Y02E60/122 , Y02T10/7011

Abstract: 电池用非水电解液，其含有添加剂(X)，所述添加剂(X)为选自由单氟磷酸锂、二氟磷酸锂、下述式(XA)表示的化合物、及磺酸酯化合物组成的组中的至少1种化合物，相对于电池用非水电解液总量而言，铝元素的含量为0.001质量ppm以上且低于5质量ppm。式(XA)中，M表示硼原子或磷原子，X表示卤素原子，R表示碳原子数为1～10的亚烷基、碳原子数为1～10的卤代亚烷基、碳原子数为6～20的亚芳基、或碳原子数为6～20的卤代亚芳基(这些基团可在结构中含有取代基或杂原子)，m表示1～3的整数，n表示0～4的整数，q表示0或1。