公开(公告)号：CN100392811C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200480024999.8

申请日：2004-08-31

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 才本芳久 ,  片冈真 ,  五十岚康二 ,  早川慎一

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/68 ,  C09J7/02

Abstract: 本发明涉及防止半导体晶片在金属制膜时的金属非制膜面的损伤，还能够减少晶片表面污染的粘接膜。通过用在至少层叠1层气体透过度小于等于5.0cc/m2·day·atm的膜的基材膜的单表面形成有粘接剂层的粘接膜，保护金属非制膜面，可以省却使用溶剂的清洗工序，进而还可以减少金属非制膜面的污染性，提高生产率和作业性。

公开(公告)号：CN1846295A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN200480024999.8

申请日：2004-08-31

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 才本芳久 ,  片冈真 ,  五十岚康二 ,  早川慎一

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/68 ,  C09J7/02

Abstract: 本发明涉及防止半导体晶片在金属制膜时的金属非制膜面的损伤，还能够减少晶片表面污染的粘接膜。通过用在至少层叠1层气体透过度小于等于5.0cc/m2·day·atm的膜的基材膜的单表面形成有粘接剂层的粘接膜，保护金属非制膜面，可以省却使用溶剂的清洗工序，进而还可以减少金属非制膜面的污染性，提高生产率和作业性。

公开(公告)号：CN1222017C

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN02143541.3

申请日：2002-09-27

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 宫川诚史 ,  片冈真 ,  藤井靖久 ,  才本芳久 ,  早川慎一

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/29 ,  C09J2201/162 ,  C09J2203/326 ,  H01L2221/68327

Abstract: 以提供一种具有优良密合性、防破损性和非污染性的半导体晶片表面保护用粘结膜为目的，提供了一种半导体晶片表面保护用粘结膜，其特征在于：在基材膜的一个表面上设置至少一层中间层，和粘结剂层，粘结剂层(B)在50～100℃下的储藏弹性模数(G’)最小值(G’min)为0.07～5MPa，中间层的至少一层(C)50℃下的储藏弹性模数在0.001MPa以上和0.07MPa以下，而且粘结剂层(B)的厚度(tb，单位：微米)与具有上述弹性模数的中间层(C)的总厚度(tc，单位：微米)满足下述关系式(1)：tc≥3tb…(1)。