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公开(公告)号：CN1770456A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510092119.7
申请日：2005-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/101 , B82Y10/00 , G11B9/02 , G11C11/22
Abstract: 提供了一种具有探针阵列的电阻式存储装置及其制造方法。所述电阻式存储装置包括：存储部分，其具有依次形成在第一衬底上的底电极和铁电层；探针部分，其具有设置在第二衬底上的电阻式探针的阵列，所述电阻式探针的尖端面对所述铁电层使得所述电阻式探针能够在所述铁电层上写和读数据；以及粘合层，其将所述电阻式探针抓住并固定在所述铁电层上或所述铁电层上方。该电阻式存储装置的制造方法包括：在第一衬底上依次形成底电极和铁电层；在第二衬底上形成用于写和读数据的电阻式探针的阵列；以及使用粘合层将所述第一衬底晶片级结合到所述第二衬底上使得所述电阻式探针的尖端面对所述铁电层的表面。
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公开(公告)号：CN1653605A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN03810407.5
申请日：2003-05-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01Q60/40 , G11B9/02 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/1418 , G11B11/08
Abstract: 提出一种具有电阻尖端的半导体探针、制作半导体探针的方法以及使用半导体探针来记录和复制信息的方法。半导体探针包括尖端和悬臂梁。尖端掺杂有第一杂质。尖端位于悬臂梁的端部上。尖端包括电阻区域和第一、第二半导体电极区域。电阻区域位于尖端顶点，且轻度掺杂有不同于第一杂质的第二杂质。第一和第二半导体电极区域重度掺杂有第二杂质且与电阻区域接触。
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公开(公告)号：CN1490889A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN03154602.1
申请日：2003-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/08 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/1472 , G11B9/149 , G11B11/08 , G11B13/06
Abstract: 本发明提供一种高密度数据存储介质及其制造方法，一种高密度存储装置及使用其写入、读取及擦除数据的方法。数据存储介质包括下电极，沉积在下电极上的绝缘层，沉积在绝缘层上并具有多个突出部(由于其和光子的碰撞而从其中发射光电子)的光电发射层，和沉积在光电发射层上并存储从光电发射层发射的光电子的电介质层。数据存储装置包括支撑数据存储介质的平台，驱动平台的扫描器，设置在数据存储介质上方并包括与数据存储介质形成电场的尖端的探针，和支撑设置在其一端的尖端以维持数据存储介质和尖端间预定距离的悬臂，把驱动信号、数据写入和擦除信号施加到扫描器和探针并检测数据读取信号的电路单元，把光照射到数据存储介质的光源。
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公开(公告)号：CN103716557B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201310464857.4
申请日：2013-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/374 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种图像传感器和一种包括该图像传感器的图像处理系统。图像传感器包括：像素阵列，包括多个单位像素，每个单位像素包括单个晶体管和与单个晶体管的本体连接的光电二极管；行驱动器块，被构造成使像素阵列中的多个行中的一个行能够进入读出模式；以及读出块，被构造成感测并放大进入读出模式的行中包括的多个单位像素中的每个单位像素输出的像素信号。
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公开(公告)号：CN100593723C
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200610121326.5
申请日：2006-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体探头和一种利用所述半导体探头写入和读取信息的方法。所述半导体探头包括悬臂和形成于所述悬臂的一个末端部分上的尖端，从而在位于形成了电极的表面上的铁电媒质上写入信息或从其上读取信息。所述尖端包括轻度掺杂了半导体杂质的电阻性区域和重度掺杂了半导体杂质的导电区域。所述悬臂包括形成于面对所述媒质的底面上的静电力生成电极。通过在形成于所述铁电媒质上的电极和所述静电力生成电极之间有选择地施加电压调整所述尖端和所述媒质之间的接触力。从而使尖端的磨损降至最低，并确保高记录密度下的写入/读取性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101131837A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710096092.8
申请日：2007-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B9/04 , B82Y10/00 , G11B9/1409 , G11B9/149
Abstract: 一种高密度数据存储装置以及利用该装置的数据记录或再现方法，所述装置和方法能够在无接触的情况下记录或再现高密度数据，从而防止由于接触而造成的数据错误。所述高密度数据存储装置使用记录介质和探针。记录介质是由相变材料或氧化物阻抗变化材料制成的的薄膜；探针具有成形在其下部的尖端，所述尖端在与所述记录介质顶部间隔开的情况下移动。而且，通过电场或热量辐射实现数据的记录或再现，所述电场和热量辐射在探针的顶端产生，记录介质和探针之间无直接接触，从而能够消除起因于在记录介质和探针之间的接触的不稳定性，也能够没有错误地稳定地实现向/从记录介质的数据记录或再现。
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公开(公告)号：CN100356542C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200380110246.4
申请日：2003-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01Q60/30 , G01Q80/00 , G11B9/1409
Abstract: 提供了一种制造具有电阻尖端的半导体探针的方法。该方法包括：在掺杂第一杂质的基板上形成掩模层以及在未被掩模层覆盖的基板上形成用第二杂质重度掺杂的第一和第二半导体电极区，退火第一和第二半导体电极区，将第一和第二半导体电极区的第二参杂剂扩散到彼此面对的部分以在第一和第二半导体电极区的外边界形成用第二杂质轻度掺杂的电阻区，以预定的形状构图掩模层并蚀刻未被构图后的掩模层覆盖的基板的部分顶部表面来形成电阻尖端。
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公开(公告)号：CN1822220A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610001111.X
申请日：2006-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11B9/02 , G11C11/5657 , Y10S977/947
Abstract: 本发明提供了一种铁电记录介质及其写入方法。该铁电记录介质包括：铁电层，当接收预定的矫顽电压时铁电层反转其极化；非易失性各向异性导电层，形成在铁电层上。当各向异性导电层接收低于矫顽电压的第一电压时，其电阻减小，当各向异性导电层接收高于矫顽电压的第二电压时，其电阻增大。通过铁电层的极化状态和各向异性导电层的电阻的结合来存储多位信息。因此，可在铁电记录介质的一个畴上表示多位信息。
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公开(公告)号：CN1811944A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510134516.6
申请日：2005-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01Q70/16 , G01Q70/14 , G01Q80/00 , G11B9/1409
Abstract: 本发明提供了一种具有电阻性尖端的半导体探针和制造该半导体探针的方法。掺杂有第一杂质的电阻性尖端包括：电阻性区域，形成在电阻性尖端的顶部，轻掺杂有第二杂质，第二杂质与第一杂质的极性相反；第一半导体电极区域和第二半导体电极区域，形成在电阻性尖端的斜侧面上，重掺杂有第二杂质。半导体探针包括：电阻性尖端；悬臂，电阻性尖端位于悬臂的端部上；介电层，位于悬臂上并覆盖电阻性区域；金属屏蔽，位于介电层上并具有形成在与电阻性区域对应的位置处的开口。因此，提高了半导体探针的空间分辨率。
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公开(公告)号：CN1767025A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510102838.2
申请日：2005-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B9/02
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/02 , G11B9/1409 , G11B9/1472
Abstract: 提供了一种铁电记录介质，包括：铁电记录层，由极性可反转的铁电材料形成；各向异性导电层，覆盖铁电记录层并能够基于外部的能量变成导电体或非导电体。
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