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公开(公告)号：CN103716557A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310464857.4
申请日：2013-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/374 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/37457 , G06T5/20 , G06T2207/10024 , G06T2207/10028 , H01L27/14605 , H01L27/14614 , H01L27/14616 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/37455 , H04N5/3765 , H04N5/378 , H04N5/63
Abstract: 本发明提供了一种图像传感器和一种包括该图像传感器的图像处理系统。图像传感器包括：像素阵列，包括多个单位像素，每个单位像素包括单个晶体管和与单个晶体管的本体连接的光电二极管；行驱动器块，被构造成使像素阵列中的多个行中的一个行能够进入读出模式；以及读出块，被构造成感测并放大进入读出模式的行中包括的多个单位像素中的每个单位像素输出的像素信号。
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公开(公告)号：CN101131837B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200710096092.8
申请日：2007-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B9/04 , B82Y10/00 , G11B9/1409 , G11B9/149
Abstract: 一种高密度数据存储装置以及利用该装置的数据记录或再现方法，所述装置和方法能够在无接触的情况下记录或再现高密度数据，从而防止由于接触而造成的数据错误。所述高密度数据存储装置使用记录介质和探针。记录介质是由相变材料或氧化物阻抗变化材料制成的的薄膜；探针具有成形在其下部的尖端，所述尖端在与所述记录介质顶部间隔开的情况下移动。而且，通过电场或热量辐射实现数据的记录或再现，所述电场和热量辐射在探针的顶端产生，记录介质和探针之间无直接接触，从而能够消除起因于在记录介质和探针之间的接触的不稳定性，也能够没有错误地稳定地实现向/从记录介质的数据记录或再现。
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公开(公告)号：CN101165816B
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200710096631.8
申请日：2007-04-19
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力财团
CPC classification number: G01Q60/30
Abstract: 本发明提供了一种具有浮凸电阻性尖端的半导体探针及该半导体探针的制造方法。该半导体探针包括沿交叉悬臂长度方向的第一方向在悬臂上突出到预定高度的突出部分、形成在该突出部分上的浮凸电阻性尖端、和在该突出部分的浮凸电阻性尖端的任一侧形成的第一和第二半导体电极区，其中该悬臂掺杂第一掺杂剂，第一和第二半导体电极区和浮凸电阻性尖端掺杂极性不同于第一掺杂剂的第二掺杂剂，且浮凸电阻性尖端以低于第一和第二半导体电极区的浓度掺杂。
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公开(公告)号：CN101183566A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710186767.8
申请日：2007-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01Q60/30 , G01Q80/00 , H01C13/00 , Y10T29/49082
Abstract: 本发明提供一种具有电阻性尖端的半导体探针以及所述半导体探针的制造方法。所述半导体探针包括：电阻性尖端，其掺有第一杂质，且其顶部掺有低浓度的第二杂质，所述第二杂质与所述第一杂质极性相反，其中在所述电阻性尖端的斜面上形成掺有高浓度第二杂质的第一和第二半导体电极区；形成于所述电阻性尖端上的电介质层；电场屏蔽件，其形成于所述电介质层上，且连同所述电介质层一起在所述电阻性尖端的顶部上形成平面；以及具有末端的悬臂，所述电阻性尖端位于所述末端上。
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公开(公告)号：CN100372013C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN03154602.1
申请日：2003-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/08 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/1472 , G11B9/149 , G11B11/08 , G11B13/06
Abstract: 本发明提供一种高密度数据存储介质及其制造方法，一种高密度存储装置及使用其写入、读取及擦除数据的方法。数据存储介质包括下电极，沉积在下电极上的绝缘层，沉积在绝缘层上并具有多个突出部(由于其和光子的碰撞而从其中发射光电子)的光电发射层，和沉积在光电发射层上并存储从光电发射层发射的光电子的电介质层。数据存储装置包括支撑数据存储介质的平台，驱动平台的扫描器，设置在数据存储介质上方并包括与数据存储介质形成电场的尖端的探针，和支撑设置在其一端的尖端以维持数据存储介质和尖端间预定距离的悬臂，把驱动信号、数据写入和擦除信号施加到扫描器和探针并检测数据读取信号的电路单元，把光照射到数据存储介质的光源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101159171B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200710092110.5
申请日：2007-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种具有楔形电阻性尖端的半导体探针及该半导体探针的制造方法。所述半导体探针包括：掺杂有第一杂质的电阻性尖端，具有掺杂有极性与所述第一杂质相反的低浓度的第二杂质的电阻区，并在所述电阻性尖端的两侧斜面上具有掺杂有高浓度的第二杂质的第一和第二半导体电极区；和悬臂，在其边缘上具有所述电阻性尖端，其中所述电阻性尖端的端部具有楔形。
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公开(公告)号：CN100521275C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200510135660.1
申请日：2005-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种MLD(磁逻辑装置)以及制造和操作该磁逻辑装置的方法。所述MLD包括：第一互连部分；下磁层，形成在所述第一互连部分上，所述下磁层的磁方向被固定为预定方向；非磁层，形成在所述下磁层上；上磁层，形成在所述非磁层上，所述上磁层的磁方向与所述下磁层的磁方向平行或反向平行；第二互连部分，形成在所述上磁层上。第一电流源置于第一互连部分的一端和第二互连部分的一端之间，第二电流源置于第一互连部分的另一端和第二互连部分的另一端之间。
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公开(公告)号：CN101490750A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780026478.X
申请日：2007-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/127
CPC classification number: G11B9/02
Abstract: 本发明提供了用于从信息存储介质的表面电荷读取信息的电场信息读头，该电场信息读头包括：半导体衬底，具有在面向记录介质的表面的一端的中部中形成的电阻区域，该电阻区域用杂质轻掺杂；以及源极区域和漏极区域，在电阻区域的两侧上形成，该源极区域和漏极区域与电阻区域相比用杂质更重地掺杂。源极区域和漏极区域沿半导体衬底的面向记录介质的表面延伸，电极分别与源极区域和漏极区域电连接。此外，本发明提供了电场信息读头的制造方法以及在晶片上批量制造电场信息读头的方法。
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公开(公告)号：CN100375295C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN03810213.7
申请日：2003-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: G01Q60/30
Abstract: 本发明公开了一种利用自对准工艺制造具有场效应晶体管(FET)沟道结构的扫描探针显微镜(SPM)的探针的方法。所提供的方法包括：第一步骤，在衬底上形成第一形状的掩膜层，并在衬底中的除了由掩膜层所遮盖的区域以外的区域中形成源极区和漏极区；第二步骤，沿垂直于掩膜层的方向构图第一形状的光阻材料，并进行蚀刻工艺，以形成第二形状的掩膜层；以及第三步骤，蚀刻衬底中的除了由掩膜层遮盖的区域以外的区域以形成探针。所提供的方法将尖端的中心与源极区和漏极区之间存在的沟道中心对准，以实现数十纳米大小的尖端。从而，利用具有尖端的这种探针可以轻易制造纳米器件。
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公开(公告)号：CN1963953A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610121326.5
申请日：2006-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体探头和一种利用所述半导体探头写入和读取信息的方法。所述半导体探头包括悬臂和形成于所述悬臂的一个末端部分上的尖端，从而在位于形成了电极的表面上的铁电媒质上写入信息或从其上读取信息。所述尖端包括轻度掺杂了半导体杂质的电阻性区域和重度掺杂了半导体杂质的导电区域。所述悬臂包括形成于面对所述媒质的底面上的静电力生成电极。通过在形成于所述铁电媒质上的电极和所述静电力生成电极之间有选择地施加电压调整所述尖端和所述媒质之间的接触力。从而使尖端的磨损降至最低，并确保高记录密度下的写入/读取性能。
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