公开(公告)号：CN105374933A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510500987.8

申请日：2015-08-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金起园 ,  姜玟阿 ,  朴淳五 ,  朴容星 ,  吴世忠

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明构思提供磁存储器件及其形成方法。该方法包括：在基板上顺序地形成第一磁性导电层和盖层；图案化盖层和第一磁性导电层以形成第一磁性导电图案和盖图案；在基板上形成暴露盖图案的层间绝缘层；去除盖图案以暴露第一磁性导电图案；在第一磁性导电图案和层间绝缘层上形成隧穿势垒层和第二磁性导电层；以及图案化第二磁性导电层和隧穿势垒层以形成第二磁性导电图案和隧穿势垒图案。

公开(公告)号：CN102024903B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201010282801.3

申请日：2010-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴世忠 ,  李将银 ,  李济珩 ,  金佑填 ,  林佑昶 ,  郑峻昊 ,  崔锡宪

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/02 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3286 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 一种磁存储器件可以包括第一垂直磁性层、在第一垂直磁性层上的非磁性层、以及在非磁性层上的第一结磁性层，其中，非磁性层在第一垂直磁性层和第一结磁性层之间。隧道势垒可以在第一结磁性层上，其中，第一结磁性层在非磁性层和隧道势垒之间。第二结磁性层可以在隧道势垒上，其中，隧道势垒在第一结磁性层和第二结磁性层之间，并且第二垂直磁性层可以在第二结磁性层上，其中，第二结磁性层在隧道势垒和第二垂直磁性层之间。

公开(公告)号：CN103579496A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310308784.X

申请日：2013-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴赞真 ,  金佑填 ,  权亨峻 ,  朴淳五 ,  朴钟撤 ,  吴世忠

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/1659 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供了磁性器件及其制造方法。所述器件包括磁隧道结，磁隧道结含有：下部磁性结构、上部磁性结构、以及插入它们之间的隧道势垒。所述隧道势垒的宽度大于所述下部磁性结构的宽度。

公开(公告)号：CN102468425A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110349182.X

申请日：2011-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金佑填 ,  李将银 ,  吴世忠 ,  金英铉 ,  崔锡宪 ,  林佑昶

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/10 ,  G11C11/02 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/224 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供了一种磁存储器件。该磁存储器件包括磁图案、参考图案、插设在磁图案与参考图案之间的隧道势垒图案以及设置在磁图案内部的至少一个磁段。该磁段为磁化方向至少具有在垂直于磁图案的磁化方向的平面内的分量的磁材料。

公开(公告)号：CN1755832A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200510091181.4

申请日：2005-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李将银 ,  吴世忠 ,  裴晙洙 ,  金炫助 ,  河永奇 ,  南坰兑

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/00

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/161

Abstract: 一种磁随机存取存储器件，可以包括半导体衬底、磁隧道结(MTJ)结构、接触栓塞和数字线。更具体，MTJ结构可以在半导体衬底上，以及数字线可以邻近磁隧道结结构。此外，接触栓塞可以在磁隧道结结构和半导体衬底之间提供电连接，接触栓塞设置在磁隧道结结构和半导体衬底之间。也论述了相关的方法。

公开(公告)号：CN114824061A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202111596582.0

申请日：2021-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相奂 ,  金英铉 ,  金哉勋 ,  申喜珠 ,  吴世忠

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 一种半导体器件包括：基板；在基板上的下电极；在下电极上的磁隧道结结构，该磁隧道结结构包括依次堆叠的钉扎层、隧道势垒层和自由层；在磁隧道结结构上的上电极；以及在自由层和上电极之间的氧化控制层，该氧化控制层包括至少一个过滤层和至少一个氧化物层，其中所述至少一个过滤层包括MoCoFe。

公开(公告)号：CN107611256B

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201710056924.7

申请日：2017-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基雄 ,  金起园 ,  吴世忠 ,  朴容星 ,  金柱显

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 磁器件包括自由层；钉扎层；隧道势垒，设置在自由层和钉扎层之间；极化增强层，设置在隧道势垒和钉扎层之间；以及阻挡层，设置在极化增强层和钉扎层之间，其中阻挡层包括第一扩散陷阱层和设置在第一扩散陷阱层上的第二扩散陷阱层。

公开(公告)号：CN109755380A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811317780.7

申请日：2018-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹相俊 ,  金相局 ,  金哉勋 ,  卢恩仙 ,  吴世忠 ,  李成喆 ,  郑大恩

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/08

Abstract: 提供了磁存储器件。一种磁存储器件包括：在基板上的第一电极；磁隧道结图案，包括顺序堆叠在第一电极上的第一磁性层、隧道势垒层和第二磁性层；以及在磁隧道结图案上的第二电极。第一电极和/或第二电极关于磁隧道结图案的表面结合能相对低。

公开(公告)号：CN109713122A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201811213731.9

申请日：2018-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴容星 ,  金佑塡 ,  朴正宪 ,  吴世忠 ,  李俊明 ,  赵显

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08

Abstract: 提供了制造MRAM器件的方法和MRAM器件。该方法可以包括：在基板的上表面上形成第一电极；在第一电极上形成第一磁性层；在第一磁性层上形成隧道势垒结构；在隧道势垒结构上形成第二磁性层；以及在第二磁性层上形成第二电极。隧道势垒结构可以包括第一隧道势垒层和第二隧道势垒层，第一隧道势垒层和第二隧道势垒层顺序地堆叠在第一磁性层上并且可以沿着可与基板的上表面平行的水平方向具有彼此不同的电阻率分布。

公开(公告)号：CN103633240B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201310366932.3

申请日：2013-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴世忠 ,  金基雄 ,  金英铉 ,  金晥均 ,  朴相奂

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/02 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/3295 ,  H01L27/224 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 提供了具有垂直磁性隧道结的磁性存储器件。该器件包括磁性隧道结，其中磁性隧道结包括自由层结构、钉扎层结构、和它们之间的隧道势垒。钉扎层结构可以包括具有本征垂直磁化特性的第一磁性层、具有本征平面内磁化特性的第二磁性层、和插入第一磁性层与第二磁性层之间的交换耦合层。交换耦合层可以具有使第一磁性层与第二磁性层之间的反铁磁交换耦合最大化的厚度，而第二磁性层可以至少部分地因为与第一磁性层的反铁磁交换耦合而展示出垂直磁化方向。