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公开(公告)号：CN115411063A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210577683.1
申请日：2022-05-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种磁性存储器件，其包括依次堆叠在衬底上的被钉扎磁性图案和自由磁性图案、在被钉扎磁性图案和自由磁性图案之间的隧道势垒图案、在自由磁性图案上的顶电极、以及在自由磁性图案和顶电极之间的盖图案。盖图案包括下盖图案、在下盖图案和顶电极之间的上盖图案、在下盖图案和上盖图案之间的第一非磁性图案、以及在第一非磁性图案和上盖图案之间的第二非磁性图案。下盖图案和上盖图案中的每个包括非磁性金属。第一非磁性图案和第二非磁性图案包括彼此不同的金属。
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公开(公告)号：CN102479918B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201110386624.8
申请日：2011-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , H01L27/228
Abstract: 公开了形成磁性隧道结结构和形成磁性随机存取存储器的方法。一种制造磁性隧道结结构的方法，包括：通过在基板上顺序地堆叠第一磁性层、隧道介电层、和第二磁性层来形成磁性隧道结层。掩模图案形成在第二磁性层的区域上。通过执行至少一个蚀刻处理和至少一个氧化处理多次来形成磁性隧道结层图案和在磁性隧道结层图案的至少一个侧壁上的侧壁介电层图案。至少一个蚀刻处理可以包括第一蚀刻处理，其使用惰性气体和掩模图案来蚀刻磁性隧道结层的一部分以形成第一蚀刻产物。至少一个氧化处理包括第一氧化处理，其氧化附着在磁性隧道结层的蚀刻侧上的第一蚀刻产物。
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公开(公告)号：CN114824061A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202111596582.0
申请日：2021-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：基板；在基板上的下电极；在下电极上的磁隧道结结构，该磁隧道结结构包括依次堆叠的钉扎层、隧道势垒层和自由层；在磁隧道结结构上的上电极；以及在自由层和上电极之间的氧化控制层，该氧化控制层包括至少一个过滤层和至少一个氧化物层，其中所述至少一个过滤层包括MoCoFe。
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公开(公告)号：CN102479918A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110386624.8
申请日：2011-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , H01L27/228
Abstract: 公开了形成磁性隧道结结构和形成磁性随机存取存储器的方法。一种制造磁性隧道结结构的方法，包括：通过在基板上顺序地堆叠第一磁性层、隧道介电层、和第二磁性层来形成磁性隧道结层。掩模图案形成在第二磁性层的区域上。通过执行至少一个蚀刻处理和至少一个氧化处理多次来形成磁性隧道结层图案和在磁性隧道结层图案的至少一个侧壁上的侧壁介电层图案。至少一个蚀刻处理可以包括第一蚀刻处理，其使用惰性气体和掩模图案来蚀刻磁性隧道结层的一部分以形成第一蚀刻产物。至少一个氧化处理包括第一氧化处理，其氧化附着在磁性隧道结层的蚀刻侧上的第一蚀刻产物。
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公开(公告)号：CN110896128B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201910603076.6
申请日：2019-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明构思的示例实施方式提供了包括自旋轨道转矩线的半导体器件以及操作该半导体器件的方法。该半导体器件包括：存储层，包括至少一个第一磁性层；以及参考层，面对存储层并包括至少一个第二磁性层。该器件还包括在存储层和参考层之间的隧道势垒层。该器件还包括与存储层相邻的至少一个自旋轨道转矩线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116264817A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211596076.6
申请日：2022-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁阻随机存取存储器件包括：被钉扎层；在被钉扎层上的隧道势垒层；在隧道势垒层上的自由层结构，该自由层结构包括多个磁性层和分别在相邻的磁性层之间的多个金属插入层；以及在自由层结构上的上氧化物层，其中每个金属插入层包括掺有磁性材料的非磁性金属材料，所述多个金属插入层彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN101359718A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810136087.X
申请日：2008-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1683 , Y10T428/24273
Abstract: 一种制造相变存储器器件的方法，包括：在第一层中形成开口，在该开口中和第一层上形成相变材料，将相变材料加热到足以使开口中的相变材料回流的第一温度，其中第一温度小于相变材料的熔融点，并且在将相变材料加热到第一温度之后，对相变材料构图，以限定开口中的相变元件。
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公开(公告)号：CN118541013A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410162526.3
申请日：2024-02-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供磁存储器件和用于制造其的方法。所述磁存储器件包括：钉扎层图案；包括硼(B)的自由层图案；在所述钉扎层图案和所述自由层图案之间的隧道势垒层图案；与所述隧道势垒层图案间隔开、其间有所述自由层图案的氧化物层图案，所述氧化物层图案包括金属硼酸盐；以及与所述自由层图案间隔开、其间有所述氧化物层图案的封盖层图案，所述封盖层图案包括金属硼化物，其中在所述自由层图案的硼浓度与所述氧化物层图案的硼浓度之间的差为10原子％或更小，并且在所述氧化物层图案的硼浓度与所述封盖层图案的硼浓度之间的差为10原子％或更小。
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公开(公告)号：CN107689419B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201710654882.7
申请日：2017-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件能够通过使用包括多层结构的双向阈值开关(OTS)选择元件而提高存储器件的可靠性。非易失性存储器件包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；选择元件层，在第一电极和第二电极之间，其与到第一电极相比，更靠近第二电极设置，并且其包括第一硫族化物层和第二硫族化物层。第一硫族化物层包括第一硫族化物材料，第二硫族化物层包括第二硫族化物材料。在第一电极和选择元件层之间的存储层包括不同于第一硫族化物材料和第二硫族化物材料的第三硫族化物材料。
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公开(公告)号：CN115768239A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211067312.5
申请日：2022-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁性存储器件可以包括堆叠在基板上的被钉扎磁性图案和自由磁性图案、在被钉扎磁性图案和自由磁性图案之间的隧道势垒图案、在自由磁性图案上的覆盖图案、以及在自由磁性图案和覆盖图案之间的非磁性图案。自由磁性图案可以在隧道势垒图案和覆盖图案之间。非磁性图案可以包括第一非磁性金属和硼，覆盖图案包括第二非磁性金属。第二非磁性金属的硼化物形成能可以高于第一非磁性金属的硼化物形成能。
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