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公开(公告)号：CN114093854A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202110899111.0
申请日：2021-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/31
Abstract: 根据本发明构思的半导体封装包括：第一半导体芯片，配置为包括第一半导体器件、第一半导体衬底、穿透所述第一半导体衬底的多个贯通电极、以及布置在所述第一半导体衬底的上表面上的多个第一芯片连接焊盘；多个第二半导体芯片，依次堆叠在所述第一半导体芯片的上表面上，并且配置为各自包括第二半导体衬底、由所述第一半导体芯片控制的第二半导体器件、以及布置在所述第二半导体衬底的上表面上的多个第二芯片连接焊盘；多条接合线，配置为将所述多个第一芯片连接焊盘连接到所述多个第二芯片连接焊盘；以及多个外部连接端子，附接到所述第一半导体芯片。
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公开(公告)号：CN112420628A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010599860.7
申请日：2020-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L25/07
Abstract: 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：封装基底；第一半导体芯片，设置在封装基底上；至少一个第二半导体芯片，设置在第一半导体芯片的上表面的一个区域上；散热构件，设置在第一半导体芯片的上表面的另一区域和第二半导体芯片的上表面的至少一个区域中，并且具有形成有至少一个沟槽的上表面；以及模制构件，覆盖第一半导体芯片、第二半导体芯片、封装基底的上表面和散热构件的侧表面，并且填充所述至少一个沟槽并同时暴露散热构件的上表面。
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公开(公告)号：CN110875282A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910480913.0
申请日：2019-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/367 , H01L25/18
Abstract: 一种半导体封装可包括：第一半导体芯片，位于布线衬底上并电连接到所述布线衬底；中间层，位于所述第一半导体芯片上且覆盖所述第一半导体芯片的整个表面；第二半导体芯片，位于所述中间层上并电连接到所述布线衬底；模制层，位于所述布线衬底上并覆盖所述第一半导体芯片及所述第二半导体芯片，所述模制层包括一个或多个内表面，所述一个或多个内表面界定模制通孔孔洞，所述模制通孔孔洞暴露出所述中间层的表面的一部分；电磁屏蔽层，位于所述模制层的所述一个或多个内表面上，且还位于所述模制层的一个或多个外表面上；以及散热层，位于所述模制通孔孔洞中的所述电磁屏蔽层上，使得所述散热层填充所述模制通孔孔洞。
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公开(公告)号：CN110581119A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910479544.3
申请日：2019-06-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 可以提供一种半导体封装，包括：封装衬底；半导体芯片，在封装衬底的第一表面上；连接衬底，在封装衬底上，与半导体芯片间隔开并围绕半导体芯片，连接衬底包括穿透连接衬底的多个导电连接结构；多个第一连接元件，在半导体芯片与封装衬底之间，并且将半导体芯片电连接至封装衬底；多个第二连接元件，在连接衬底与封装衬底之间，并且将连接衬底电连接至封装衬底；模具层，包封半导体芯片和连接衬底；以及上部再分布图案，在模具层和半导体芯片上，并且电连接至多个导电连接结构中的相应导电连接结构。
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公开(公告)号：CN110299354A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910046513.9
申请日：2019-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/552
Abstract: 半导体封装包括：封装基板；下半导体芯片，在封装基板上；散热构件，在下半导体芯片上，所述散热构件具有水平单元和与水平单元相连的竖直单元；第一半导体芯片堆叠和第二半导体芯片堆叠，在水平单元上；以及模制构件，其围绕所述下半导体芯片、第一半导体芯片堆叠和第二半导体芯片堆叠以及散热构件。竖直单元可以布置在第一半导体芯片堆叠和第二半导体芯片堆叠之间，并且竖直单元的上表面可以在模制构件中暴露。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111092074B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN201910873305.6
申请日：2019-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10D80/30 , H10B80/00 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/98
Abstract: 半导体封装包括：封装基板；第一半导体器件，布置在封装基板上；第一半导体器件上的至少一个第二半导体器件，从俯视图看部分地覆盖第一半导体器件；散热绝缘层，涂覆在第一半导体器件和至少一个第二半导体器件上；导电散热结构，布置在第一半导体器件的未被第二半导体器件覆盖的部分上的散热绝缘层上；以及封装基板上的模制层，覆盖第一半导体器件和至少一个第二半导体器件。散热绝缘层由电绝缘且导热材料形成，并且导电散热结构由导电和导热材料形成。
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公开(公告)号：CN112420628B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202010599860.7
申请日：2020-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L25/07
Abstract: 提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：封装基底；第一半导体芯片，设置在封装基底上；至少一个第二半导体芯片，设置在第一半导体芯片的上表面的一个区域上；散热构件，设置在第一半导体芯片的上表面的另一区域和第二半导体芯片的上表面的至少一个区域中，并且具有形成有至少一个沟槽的上表面；以及模制构件，覆盖第一半导体芯片、第二半导体芯片、封装基底的上表面和散热构件的侧表面，并且填充所述至少一个沟槽并同时暴露散热构件的上表面。
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公开(公告)号：CN115881692A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211140509.7
申请日：2022-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L23/528 , H01L25/065
Abstract: 公开了一种半导体封装，可以包括竖直堆叠的半导体芯片以及将半导体芯片彼此连接的第一连接端子、第二连接端子和第三连接端子。每个半导体芯片可以包括半导体衬底、在半导体衬底上的互连层、通过半导体衬底与互连层连接的贯穿电极、以及在互连层上的第一组、第二组和第三组。互连层可以包括绝缘层以及在绝缘层中的第一金属层和第二金属层。第一组和第二组可以与第二金属层接触，并且第三组可以与第二金属层间隔开。第一组和第三组中的每一组可以包括以多对一的方式与第一连接端子和第三连接端子中的对应一个连接的焊盘。第二组可以包括以一对一的方式与第二连接端子连接的焊盘。
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公开(公告)号：CN115312474A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210409190.7
申请日：2022-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/38 , H01L23/482 , H01L23/485 , H01L23/488
Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：第一封装件基底；第一半导体芯片，在第一封装件基底上；多个第一芯片凸块，在第一封装件基底与第一半导体芯片之间；多个第二半导体芯片，顺序地堆叠在第一半导体芯片上；模制构件，覆盖所述多个第二半导体芯片，在第一半导体芯片上；和热电冷却层，附接到第一半导体芯片的表面上。热电冷却层包括：冷却材料层，沿着第一半导体芯片的表面延伸；第一电极图案，当在平面图中观察所述半导体封装件时围绕所述多个第一芯片凸块被布置的区域，在冷却材料层中；和第二电极图案，当在平面图中观察半导体封装件时围绕第一电极图案，在冷却材料层中。
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公开(公告)号：CN115249676A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210119737.X
申请日：2022-02-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/482 , H01L23/485
Abstract: 一种半导体封装包括下重分布层、下半导体芯片、以及附接到下重分布层的多个导电连接结构。上重分布层设置在下半导体芯片和多个导电连接结构上。上半导体芯片具有与下半导体芯片的有源面相对应的有源面，并设置在上重分布层上。下半导体芯片包括半导体衬底，该半导体衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。上布线结构设置在半导体衬底的第一表面上。掩埋电力轨道填充从第一表面朝向第二表面延伸的掩埋轨道孔的一部分。贯通电极填充从第二表面朝向第一表面延伸的通孔。
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