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公开(公告)号：CN110034099A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201810971335.6
申请日：2018-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/64 , H01L27/108
Abstract: 本公开提供了一种包括电容器的半导体器件。该半导体器件包括：在基板上的开关元件；在开关元件上的焊盘隔离层；导电焊盘，穿过焊盘隔离层并电连接到开关元件；绝缘图案，在焊盘隔离层上并具有比水平宽度大的高度；下电极，在绝缘图案的侧表面上并与导电焊盘接触；电容器电介质层，在下电极上并具有单晶电介质层和多晶电介质层，该单晶电介质层与该多晶电介质层相比相对靠近绝缘图案的侧表面；以及上电极，在电容器电介质层上。
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公开(公告)号：CN108807345A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810369447.4
申请日：2018-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L28/75 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/02244 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/02356 , H01L21/02362 , H01L28/91 , H01L28/40 , H01G4/10
Abstract: 电容器包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；电介质层，设置在第一电极和第二电极之间；以及籽晶层，设置在第一电极和电介质层之间。电介质层包括具有四方晶体结构的电介质材料。籽晶层包括满足晶格常数条件或键长条件中的至少一个的籽晶材料。
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公开(公告)号：CN102760661B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210132762.8
申请日：2012-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02178 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/02312 , H01L21/28282 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L28/91 , H01L29/66795 , H01L29/7926
Abstract: 形成氧化物层的方法。所述方法包括：在基底表面上形成反应-抑制官能团的层；在所述反应-抑制官能团的层上形成金属或半导体的前体的层；和氧化所述金属或半导体的前体以获得金属氧化物或半导体氧化物的层。根据所述方法，可形成具有高的厚度均匀性的氧化物层并且可制造具有优异的电特性的半导体器件。
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公开(公告)号：CN101800220A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010002113.7
申请日：2010-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/00 , H01L27/108
CPC classification number: H01L28/56 , H01L21/02189 , H01L21/022 , H01L21/02244 , H01L21/02247 , H01L21/31683 , H01L21/318 , H01L27/1085 , H01L28/40 , H01L28/75
Abstract: 一种具有改进电性能的电介质层的半导体器件及其相关方法，该半导体器件包括：下金属层、电介质层和上金属层，依次设置在半导体基板上；以及插入层，设置在电介质层与下金属层和上金属层中至少之一之间，其中电介质层包括金属氧化物膜，插入层包括金属材料膜。
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公开(公告)号：CN111063672B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201910480502.1
申请日：2019-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种电容器和一种具有该电容器的半导体装置。所述电容器包括：下电极，包括第一金属材料并且具有几纳米的范围内的第一晶粒尺寸；介电层，覆盖下电极并且具有值为晶粒膨胀比乘以第一晶粒尺寸的值的第二晶粒尺寸；以及上电极，包括第二金属材料并且覆盖介电层。上电极具有比第二晶粒尺寸小的第三晶粒尺寸。
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公开(公告)号：CN115588659A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202210781489.5
申请日：2022-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/64 , H10B99/00 , H01L27/105
Abstract: 本发明提供一种电容器结构和包括该电容器结构的半导体存储器件。电容器结构包括下电极、上电极以及插设在下电极和上电极之间的电容器电介质膜，其中下电极包括包含第一金属元素的电极膜，以及在电极膜和电容器电介质膜之间的包含第一金属元素的氧化物的掺杂的氧化物膜，掺杂的氧化物膜进一步包括第二金属元素和杂质元素，第二金属元素包括第5族至第11族和第15族金属元素中的至少一种，杂质元素包括硅(Si)、铝(Al)、锆(Zr)和铪(Hf)中的至少一种。
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公开(公告)号：CN114068812A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110837411.6
申请日：2021-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L49/02 , H01L27/108
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，所述装置包括：半导体衬底上的多个下电极；支承图案，其在下电极的侧部连接下电极；以及电介质层，其覆盖下电极和支承图案，其中：每一个下电极包括：支柱部分，其在垂直于半导体衬底的顶表面的竖直方向上延伸；以及突起，其从支柱部分的侧壁突出，以接触支承图案，支柱部分包括导电材料，突起与支柱部分包括相同的导电材料，并且进一步掺有杂质。
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公开(公告)号：CN102760661A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210132762.8
申请日：2012-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02178 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/02312 , H01L21/28282 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L28/91 , H01L29/66795 , H01L29/7926
Abstract: 形成氧化物层的方法。所述方法包括：在基底表面上形成反应-抑制官能团的层；在所述反应-抑制官能团的层上形成金属或半导体的前体的层；和氧化所述金属或半导体的前体以获得金属氧化物或半导体氧化物的层。根据所述方法，可形成具有高的厚度均匀性的氧化物层并且可制造具有优异的电特性的半导体器件。
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