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公开(公告)号：CN114068812B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202110837411.6
申请日：2021-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，所述装置包括：半导体衬底上的多个下电极；支承图案，其在下电极的侧部连接下电极；以及电介质层，其覆盖下电极和支承图案，其中：每一个下电极包括：支柱部分，其在垂直于半导体衬底的顶表面的竖直方向上延伸；以及突起，其从支柱部分的侧壁突出，以接触支承图案，支柱部分包括导电材料，突起与支柱部分包括相同的导电材料，并且进一步掺有杂质。
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公开(公告)号：CN120076323A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510379978.1
申请日：2020-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：在衬底上的着落焊盘；在着落焊盘上并连接到着落焊盘的下电极，该下电极包括外部分和在外部分内部的内部分，该外部分包括第一区域和第二区域；在下电极上以沿着外部分的第一区域延伸的电介质膜；以及在电介质膜上的上电极，其中下电极的外部分包括金属掺杂剂，外部分的第一区域中的金属掺杂剂的浓度不同于外部分的第二区域中的金属掺杂剂的浓度。
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公开(公告)号：CN113964269A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111189869.1
申请日：2018-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L49/02
Abstract: 电容器包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；电介质层，设置在第一电极和第二电极之间，电介质层包括铪和锆中至少之一；第一插入层，设置在第一电极和电介质层之间；以及第二插入层，设置在电介质层和第二电极之间。第一插入层包括与形成电介质层的铪或锆不同的第一导电材料。第二插入层包括与形成电介质层的铪或锆不同的第二导电材料。第一导电材料和第二导电材料各自的晶格常数与电介质层的电介质材料的水平晶格常数具有2％或更小的晶格失配。
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公开(公告)号：CN112750833A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011169193.5
申请日：2020-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L49/02
Abstract: 公开了一种半导体装置。半导体装置包括：接地垫，位于基底上；下电极，位于接地垫上，下电极电连接到接地垫；介电层，位于下电极上，介电层沿下电极的轮廓延伸；上电极，位于介电层上；以及上板电极，位于上电极上并在其中包括第一氟(F)，其中，上板电极包括面对上电极的界面，并且其中，上板电极包括第一氟的浓度随着距上板电极的所述界面的距离增大而减小的部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112103290A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010552109.1
申请日：2020-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L49/02
Abstract: 本公开涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：在衬底上的着落焊盘；在着落焊盘上并连接到着落焊盘的下电极，该下电极包括外部分和在外部分内部的内部分，该外部分包括第一区域和第二区域；在下电极上以沿着外部分的第一区域延伸的电介质膜；以及在电介质膜上的上电极，其中下电极的外部分包括金属掺杂剂，外部分的第一区域中的金属掺杂剂的浓度不同于外部分的第二区域中的金属掺杂剂的浓度。
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公开(公告)号：CN109841622A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810936865.7
申请日：2018-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件。所述半导体存储器件包括位于衬底上的第一电极、位于衬底上的第二电极、位于第一电极与第二电极之间的介电层结构以及位于介电层结构与第一电极之间的结晶诱导层。介电层结构包括第一介电层和位于第一介电层上的第二介电层，第一介电层包括第一介电材料，第二介电层包括第二介电材料。
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公开(公告)号：CN110034099B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201810971335.6
申请日：2018-08-24
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
Abstract: 本公开提供了一种包括电容器的半导体器件。该半导体器件包括：在基板上的开关元件；在开关元件上的焊盘隔离层；导电焊盘，穿过焊盘隔离层并电连接到开关元件；绝缘图案，在焊盘隔离层上并具有比水平宽度大的高度；下电极，在绝缘图案的侧表面上并与导电焊盘接触；电容器电介质层，在下电极上并具有单晶电介质层和多晶电介质层，该单晶电介质层与该多晶电介质层相比相对靠近绝缘图案的侧表面；以及上电极，在电容器电介质层上。
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公开(公告)号：CN112750950A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011153547.7
申请日：2020-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L49/02 , H01L27/108
Abstract: 公开了一种半导体装置。半导体装置可以包括接地垫和下电极，下电极位于接地垫上且连接到接地垫并且包括外部部分和在外部部分内部的内部部分。外部部分包括第一区域和第二区域。半导体装置还可以包括下电极的外部部分的第一区域上的介电膜和位于介电膜上的上电极。下电极的外部部分的第一区域可以包括硅(Si)掺杂剂，介电膜不沿着外部部分的第二区域延伸。外部部分的第一区域中的硅掺杂剂的浓度不同于外部部分的第二区域中的硅掺杂剂的浓度并且比内部部分中的硅掺杂剂的浓度高。
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