半导体装置
    14.
    发明公开
    半导体装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN119993936A

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202411441525.9

    申请日:2024-10-16

    Abstract: 一种半导体装置包括具有半导体集成电路的半导体芯片。冷却通道的至少一部分形成在半导体芯片中。第一毛细芯结构可以布置在冷却通道的底部上,该底部在横向方向上平行于半导体芯片的上表面。第一毛细芯结构可以通过毛细作用使液体冷却剂沿着冷却通道的底部在横向方向上移动。第二毛细芯结构可以沿着蒸汽室的内表面布置并可以通过毛细作用使液体冷却剂沿着蒸汽室的内表面移动。

    微机电系统传感器
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116374939A

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202211288148.0

    申请日:2022-10-20

    Abstract: 提供了一种微机电系统(MEMS)传感器,包括:基板,包括第一空腔;第一框架,包括至少部分地与第一空腔重叠的第二空腔,第一框架的至少一部分与基板间隔开;多个谐振器,多个谐振器中的每一个包括与第一框架连接的第一端以及延伸到第二空腔中的第二端;以及第二框架,包括与第一框架连接的第一区以及与第一框架间隔开的第二区。

    定向声传感器
    17.
    发明公开
    定向声传感器 审中-实审

    公开(公告)号:CN114079841A

    公开(公告)日:2022-02-22

    申请号:CN202110181347.0

    申请日:2021-02-09

    Abstract: 提供了一种定向声传感器。声传感器包括:支撑件;多个谐振器,设置在支撑件上,并且在长度方向上延伸。多个谐振器中的每个谐振器可以包括:基部;以及框体,设置在基部上并且在长度方向上沿着基部的长度连续延伸。基部的厚度可以小于框体的厚度。

    带隙基准电压生成电路
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112835409A

    公开(公告)日:2021-05-25

    申请号:CN202010551196.9

    申请日:2020-06-16

    Abstract: 一种带隙基准电压生成电路,包括:第一电流生成器,所述第一电流生成器生成第一绝对温度互补(CTAT)电流和第一绝对温度正比(PTAT)电流;第二电流生成器,所述第二电流生成器生成第二CTAT电流和第二PTAT电流;以及输出电路,所述输出电路基于第一电压和第二电压之间的差来输出基准电压,其中所述第一电压基于第一CTAT电流和第一PTAT电流并且所述第二电压基于第二CTAT电流和第二PTAT电流,其中,第一CTAT电流被第二CTAT电流抵消。

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