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公开(公告)号:CN107688119A
公开(公告)日:2018-02-13
申请号:CN201710654884.6
申请日:2017-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01R23/16
CPC classification number: G01R23/16 , G01H3/08 , G01H11/08 , H03H9/2426 , H04R1/245 , H04R17/02 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R2201/003
Abstract: 频谱分析仪包括:支撑基底;以及具有彼此不同的中心频率的多个谐振器、所述多个谐振器中的每个谐振器的一个端部固定到所述支撑基底。多个谐振器被布置成使得具有相邻中心频率的谐振器之间的间隔被确保为特定的值或更大,从而减少耦合并提高分析精度。
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公开(公告)号:CN104334088A
公开(公告)日:2015-02-04
申请号:CN201380026661.5
申请日:2013-05-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: A61B5/0095 , A61B5/0035 , A61B8/4483 , G01N29/2418 , G01N2291/02475 , G10K15/046 , A61B8/14
Abstract: 激光诱导超声波装置和使用该装置产生图像的方法。该激光诱导超声波装置包括:激光源,其向目标物体和热弹性材料照射激光束;热弹性材料,其将该激光束转换为第一超声波,并将第一超声波照射到该目标物体;以及接收单元,其接收第一超声波的回声声波,并接收因该激光束而由该目标物体产生的第二超声波。
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公开(公告)号:CN119993936A
公开(公告)日:2025-05-13
申请号:CN202411441525.9
申请日:2024-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/473 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/427
Abstract: 一种半导体装置包括具有半导体集成电路的半导体芯片。冷却通道的至少一部分形成在半导体芯片中。第一毛细芯结构可以布置在冷却通道的底部上,该底部在横向方向上平行于半导体芯片的上表面。第一毛细芯结构可以通过毛细作用使液体冷却剂沿着冷却通道的底部在横向方向上移动。第二毛细芯结构可以沿着蒸汽室的内表面布置并可以通过毛细作用使液体冷却剂沿着蒸汽室的内表面移动。
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公开(公告)号:CN112835409A
公开(公告)日:2021-05-25
申请号:CN202010551196.9
申请日:2020-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种带隙基准电压生成电路,包括:第一电流生成器,所述第一电流生成器生成第一绝对温度互补(CTAT)电流和第一绝对温度正比(PTAT)电流;第二电流生成器,所述第二电流生成器生成第二CTAT电流和第二PTAT电流;以及输出电路,所述输出电路基于第一电压和第二电压之间的差来输出基准电压,其中所述第一电压基于第一CTAT电流和第一PTAT电流并且所述第二电压基于第二CTAT电流和第二PTAT电流,其中,第一CTAT电流被第二CTAT电流抵消。
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