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公开(公告)号：CN105430583B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201510580611.2
申请日：2015-09-11
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H04R19/04
CPC classification number: H04R29/004 , H04R2201/003
Abstract: 依据一实施例，换能器系统包括：换能元件和耦接至所述换能元件的差分输出的对称检测电路。该换能元件包括信号板、第一感测板以及第二感测板。该对称检测电路被配置为基于差分输出中的非对称而输出误差信号。
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公开(公告)号：CN109698701A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811239342.3
申请日：2018-10-23
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H03M3/496 , H03H17/0416 , H03M3/32 , H03M3/368 , H03M3/414 , H03M3/458 , H03M3/498 , H04R3/00 , H04R2201/003 , H03M3/494 , H03M3/406 , H04R1/08
Abstract: 本公开涉及具有内插的数字硅麦克风。根据一个实施例，数字麦克风接口电路包括：Δ-Σ模数转换器(ADC)，具有被配置为耦合到麦克风的输入；数字低通滤波器，被耦合到Δ-ΣADC的输出；以及数字Σ-Δ调制器，被耦合到数字低通滤波器的输出。数字Σ-ΔADC、数字低通滤波器和数字Σ-Δ调制器被配置为在不同的采样频率处操作。
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公开(公告)号：CN109678105A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811217950.4
申请日：2018-10-18
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： G·梅茨格-布吕克尔 , A·德厄 , U·赫科勒 , J·斯特拉塞 , A·沃瑟
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00182 , B81C1/00293 , B81C2201/0178 , B81C2201/0181 , B81C2203/0145 , B81C1/00277 , B81B7/0035 , H04R19/04 , H04R2201/003
Abstract: 本公开的实施例涉及封闭通向空腔的进入开口的方法和具有封闭元件的MEMS部件。该方法具有以下步骤：提供具有第一层结构的层布置和与第一层结构邻接地布置的空腔，其中第一层结构具有通向空腔的进入开口；执行CVD层沉积以便在具有进入开口的第一层结构上形成具有层厚度的第一覆盖层；和执行具有第一子步骤和第二子步骤的HDP层沉积以便在第一覆盖层上形成第二覆盖层，其中在第一子步骤中，在第一覆盖层上发生衬垫材料层的沉积，其中在第二子步骤中，在进入开口的区域中实现衬垫材料层的以及第一覆盖层的局部背向溅射，并且其中第一子步骤和第二子步骤交替地且多次重复地执行。
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公开(公告)号：CN109565636A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780050066.3
申请日：2017-07-21
Applicant: 美商楼氏电子有限公司
CPC classification number: H04R19/04 , G06F3/162 , H04R3/02 , H04R3/06 , H04R19/005 , H04R2201/003
Abstract: 一种麦克风组件，其包括声学换能器部件，该声学换能器部件被配置成根据包括第一高通截止频率的换能器频率响应来将声音转换成麦克风信号。麦克风组件另外包括处理电路，该处理电路包括信号放大路径，该信号放大路径被配置成接收、采样以及数字化麦克风信号以提供数字麦克风信号。信号放大路径的频率响应包括第二高通截止频率，该第二高通截止频率高于声学换能器部件的第一高通截止频率。
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公开(公告)号：CN109151691A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811139971.9
申请日：2018-09-28
Applicant: 广东得胜电子有限公司
IPC: H04R19/04
CPC classification number: H04R19/04 , H04R2201/003
Abstract: 本发明涉及硅咪技术领域，具体公开了一种可调指向性的硅咪，包括音头座上盖和音头座下盖，所述音头座上盖和音头座下盖之间设有PCBA板，所述音头座下盖盖体内设有调音纸，所述PCBA板的上表面设有上咪头，PCBA板的下表面设有下咪头，本发明的上咪头和下咪头能够同时拾取外部音源，通过控制调音纸的密度来延迟外部音源到达下咪头的时间，再经过PCBA板将上咪头和下咪头拾取的音源综合放大后输出，既维持了全指向硅咪特有的灵敏度高、失真小以及一致性好的特性，同时又满足了单指向的拾音需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109151689A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710499402.4
申请日：2017-06-27
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
CPC classification number: H04R19/04 , H04R31/003 , H04R2201/003 , H04R2231/001
Abstract: 本发明公开了一种麦克风及其制造方法，涉及半导体技术领域。该麦克风包括：衬底，该衬底形成有贯穿该衬底的开孔；在该衬底之上且覆盖在开孔上方的背极板结构；在该背极板结构的部分上的间隙绝缘物层；在该间隙绝缘物层上的振动膜层，其中，振动膜层、间隙绝缘物层和背极板结构形成第一间隙；以及在该衬底之上包围背极板结构、间隙绝缘物层和振动膜层的保护层；其中，该保护层包括：在该背极板结构、该间隙绝缘物层和该振动膜层周围的包围部和在该包围部上且横跨在该振动膜层上方的悬臂梁部，该悬臂梁部和该振动膜层形成第二间隙。本发明解决了现有技术中振动膜层容易损坏的问题，使得麦克风能够经受比较强的气流压力测试。
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公开(公告)号：CN105452832B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201480045404.0
申请日：2014-06-04
Applicant: 丹麦技术大学
CPC classification number: G01L9/0076 , G01L23/16 , H04R23/008 , H04R2201/003
Abstract: 本发明涉及一种包括容纳分布式布拉格反射器的波导的全光压力传感器。通过利用波导的有效折射率调制以及对由布拉格反射器反射的光的波长移位的检测可以提供压力感测。还可以提供声音感测，因此有了全光学麦克风。本发明的一个实施例涉及一种光学压力传感器，包括至少一个外膜和波导，该波导包括：至少一个核芯，用于限制和引导光；至少一个分布式布拉格反射器，位于至少一个核芯中；以及至少一个内偏转元件，形成核芯的至少一部分，其中压力传感器被配置使得至少一个核芯的几何结构和/或尺寸在至少一个外膜受压力作用时改变。
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公开(公告)号：CN105728304B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201610088359.8
申请日：2012-04-06
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H04R1/00 , B06B1/0292 , B81B2201/0271 , B81B2203/04 , B81C1/00626 , H04R2201/003
Abstract: 本发明涉及机电变换器及其制作方法。该机电变换器包括：衬底；布置在所述衬底上的第一电极；以及振动膜，包括布置在所述第一电极上的薄膜以及布置在所述薄膜上以便与所述第一电极相对的第二电极，在所述第一电极与所述薄膜之间具有间隙。所述第一电极具有6nm RMS或更小的表面粗糙度值。
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公开(公告)号：CN108810773A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201710279682.8
申请日：2017-04-26
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Inventor： 俞宏俊
CPC classification number: H04R17/02 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00 , H04R2201/003
Abstract: 本申请公开了一种麦克风及其制造方法，涉及半导体技术领域。该麦克风包括：衬底，其形成有贯穿该衬底的背孔；在该衬底上且覆盖该背孔的第一电极板层；在该衬底上的背板层，该背板层与该第一电极板层形成空腔；以及在该背板层的下表面上的第二电极板层，该第二电极板层在该空腔内；其中，该第一电极板层包括将该背孔与该空腔连通的缝隙。本申请通过在第一电极板层上设置缝隙，可以增加第一电极板的灵敏度，从而可以提高信噪比。
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公开(公告)号：CN108698812A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680067399.2
申请日：2016-09-19
Applicant: 韦斯伯技术公司
Inventor： R·J·利特尔
CPC classification number: H04R17/025 , B81B3/0048 , B81B2201/0257 , B81B2203/0118 , B81B2203/0163 , H01L41/27 , H04R17/02 , H04R31/00 , H04R2201/003 , H04R2410/03
Abstract: 一种换能器以及用于处理MEMS换能器的方法。在一方面，所述MEMS换能器包括第一板和第二板。所述MEMS换能器还可以包括大致位于所述第一板和所述第二板之间的弹簧，所述第一弹簧臂和所述第二弹簧臂的尺寸被设计成使得所述第一板和所述第二板之间的垂直挠曲失配相对于在不依赖于所述弹簧的情况下所述第一板和所述第二板之间的垂直挠曲失配有所减少。
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