-
公开(公告)号：CN101183705A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710192709.6
申请日：2007-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1625
Abstract: 本发明公开了一种具有固溶体层的电阻式随机存取存储器(RRAM)以及该RRAM的制造方法。RRAM包括：下电极；固溶体层，在下电极上；阻抗层，在固溶体层上；上电极，在阻抗层上。该RRAM的制造方法包括：形成下电极；在下电极上形成固溶体层；在固溶体层上形成阻抗层；在阻抗层上形成上电极，其中，固溶体层由过渡金属固溶体形成。
-
公开(公告)号：CN101060129A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200610171716.3
申请日：2006-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24 , H01L21/822 , G11C16/02 , G11C16/10
CPC classification number: H01L27/24 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C16/0475 , G11C2013/0073 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/71 , G11C2213/76
Abstract: 一种非易失性存储器件及其操作和制造方法提供了高集成度和高速度，同时允许低工作电流。所述非易失性存储器件包括半导体衬底。在所述半导体衬底的表面上形成电阻层，所述电阻层每者均存储可变电阻状态。在位于所述电阻层之下的所述半导体衬底上形成掩埋电极，并将其分别连接至所述电阻层。在所述半导体衬底的表面上形成沟道区，其使相邻的所述电阻层相互连接，但不连接下部电极。在所述半导体衬底的所述沟道区上形成栅极绝缘层。在所述栅极绝缘层上形成栅电极，其在所述电阻层之上延伸。
-
公开(公告)号：CN101030622A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200610132100.5
申请日：2006-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/1021 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/73
Abstract: 本发明公开了一种非易失存储器件和非易失存储器件阵列，其中所述非易失存储器件包括：下电极；在所述下电极上形成的第一型半导体氧化物层；在所述第一型半导体氧化物层上形成的第二型半导体氧化物层；和在所述第二型半导体氧化物层上形成的上电极。
-
公开(公告)号：CN103576974B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201310047283.0
申请日：2013-02-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/041
CPC classification number: G06F3/044 , G06F3/0412 , G06F3/0416
Abstract: 一种根据第一电极和第二电极之间的电压差来驱动液晶的触摸板，所述触摸板包括：显示单元，所述显示单元响应于显示栅极线的激活而生成与将要显示的图像数据相对应的图像电压，并且将所述图像电压施加到第一电极；以及感测单元，所述感测单元响应于传感器栅极线的激活从第二电极的电压变化中感测是否通过在触摸板上的物理触摸而生成了手指电容。
-
公开(公告)号：CN103311358B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201210557016.3
申请日：2012-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/113 , H01L31/0352 , H01L31/18 , G06F3/042
CPC classification number: H01L31/1136 , G01J1/42 , G01J2001/4473 , G06F3/0421 , G06F2203/04103 , H01L31/032
Abstract: 本发明提供了感光晶体管、使用感光晶体管的显示面板、及感光晶体管的制造方法。感光晶体管包括：栅极层；栅绝缘层，在栅极层上；沟道层，在栅绝缘层上；蚀刻停止层，在沟道层的部分区域上；源极和漏极，在沟道层上并彼此分离开，其中蚀刻停止层插置在源极和漏极之间；以及钝化层，覆盖源极、漏极和蚀刻停止层，其中源极与蚀刻停止层分离开。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103311358A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210557016.3
申请日：2012-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/113 , H01L31/0352 , H01L31/18 , G06F3/042
CPC classification number: H01L31/1136 , G01J1/42 , G01J2001/4473 , G06F3/0421 , G06F2203/04103 , H01L31/032
Abstract: 本发明提供了感光晶体管、使用感光晶体管的显示面板、及感光晶体管的制造方法。感光晶体管包括：栅极层；栅绝缘层，在栅极层上；沟道层，在栅绝缘层上；蚀刻停止层，在沟道层的部分区域上；源极和漏极，在沟道层上并彼此分离开，其中蚀刻停止层插置在源极和漏极之间；以及钝化层，覆盖源极、漏极和蚀刻停止层，其中源极与蚀刻停止层分离开。
-
公开(公告)号：CN103247693A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310047408.X
申请日：2013-02-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1333 , G06F3/042
CPC classification number: H01L29/45 , G02F1/13338 , G02F1/1368 , G06F3/0421 , G06F2203/04103 , H01L29/4908 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管以及使用其的显示面板。该晶体管包括∶栅极；第一钝化层，覆盖栅极；沟道层，设置在第一钝化层上；源极和漏极，设置在第一钝化层上并接触沟道层的两侧；第二钝化层，覆盖沟道层、源极和漏极；第一和第二透明电极层，设置在第二钝化层上并彼此间隔开；第一透明导电通道，穿透第二钝化层并连接源极和第一透明电极层；以及第二透明导电通道，穿透第二钝化层并连接漏极和第二透明电极层。栅极的横截面区域大于沟道层、源极和漏极组合的横截面区域。
-
公开(公告)号：CN102997993A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210186006.3
申请日：2012-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/14609 , G06F3/0412 , G06F3/0421 , G06F2203/04103
Abstract: 一种光感测装置、驱动光感测装置的方法以及包含光感测装置的光学触摸屏装置，其中，光感测像素中的光传感器晶体管由光敏氧化物半导体晶体管形成。光感测装置包括：光感测像素阵列，具有按照行和列排列的多个光感测像素；以及多条栅极线，按照行方向排列并且分别向光感测像素提供栅极电压，其中，光感测像素的每一个包括用于感测光的光传感器晶体管以及用于输出来自光传感器晶体管的光感测信号的开关晶体管。栅极线被连接到在光感测像素阵列中的每一行中的开关晶体管的栅极，且复位线被连接到在光感测像素阵列中的每一行中的光传感器晶体管的栅极。复位线经由相位反转器被连接到栅极线。因而，当栅极电压被施加于栅极线时，具有与栅极电压反转相位的复位信号可以被施加于复位线。
-
公开(公告)号：CN101315942B
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN200810108832.X
申请日：2008-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明可以提供一种电阻随机存取存储器(RRAM)装置。所述电阻随机存取存储器装置可以包括：至少一个第一电极；至少一个第二电极，与所述至少一个第一电极分开；第一结构，包括在所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极之间的第一电阻改变层；第一开关元件，电连接到第一电阻改变层，其中，所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极包括具有贵金属和贱金属的合金层。
-
公开(公告)号：CN102904560A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210201495.5
申请日：2012-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03K17/78 , H01L27/146 , G06F3/042 , H04N5/369
CPC classification number: H01L27/14616 , G06F3/0412 , G06F3/042 , H01L29/7869 , H01L31/1136
Abstract: 本发明涉及光感测电路、装置及方法、图像获取装置及光触摸屏装置。在简化的光感测电路、包括光感测电路的光感测装置、驱动光感测装置的方法、以及包括光感测装置的光触摸屏装置和图像获取装置中，光感测电路包括针对每个像素包括沟道层的氧化物半导体晶体管，该沟道层包含氧化物半导体材料。氧化物半导体晶体管作为感测光的光感测器件和输出光感测数据的开关两者来操作。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
52
records
(took 0.034 seconds)
