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公开(公告)号：CN117233657A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310091286.8
申请日：2023-02-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李明宰 , 金振豪 , 宋泰元 , 特伦斯克里斯托弗·黄
IPC: G01R31/52 , G01R31/385 , G01R31/367
Abstract: 提供一种短路检测方法和设备、以及电子设备。所述短路检测方法包括：通过针对目标时间跨度测量电池来确定测量数据，目标时间跨度包括电池充电时间跨度或电池放电时间跨度；使用电池模型来确定针对目标时间跨度的电池的估计数据，电池模型模拟电池以确定估计数据；基于测量数据和估计数据来确定电池的电阻误差参数；以及基于对电阻误差参数和短路阈值进行比较的结果来确定电池短路条件被满足。
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公开(公告)号：CN102347443B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201110197102.3
申请日：2011-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C2013/0073 , G11C2213/12 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/146
Abstract: 示例实施例涉及一种非易失性存储元件和一种包括其的存储装置。非易失性存储元件可包括在两个电极之间具有多层结构的存储层。存储层可包括第一材料层和第二材料层，并可由于在第一材料层和第二材料层之间离子物种的移动而显示出电阻变化特性。第一材料层可以是供氧层。第二材料层可以是具有多重陷阱能级的氧化物层。
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公开(公告)号：CN101192648B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN200710196017.9
申请日：2007-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/165 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明的示例实施例涉及一种电阻随机存取存储器(RRAM)以及制造该RRAM的方法。根据示例实施例的RRAM可以包括：下电极，可以形成在下结构(例如，基底)上；电阻层，可以形成在下电极上，其中，电阻层可以包含过渡金属掺杂物；上电极，可以形成在电阻层上。因此，过渡金属掺杂物可以在电阻层中形成用作电流通路的丝。
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公开(公告)号：CN101409303B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN200810129780.4
申请日：2008-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李昌范 , 朴永洙 , 李明宰 , 斯蒂法诺维奇·詹瑞克 , 金起焕
Abstract: 本发明提供了一种多层电极、一种交叉点电阻存储器阵列。所述阵列可以包括：多条第一电极线，彼此平行地布置；多条第二电极线，与第一电极线交叉并且彼此平行地布置；第一存储器电阻器，位于第一电极线和第二电极线的交叉处，其中，第一电极线和第二电极线中的至少一种具有包括第一导电层和由贵金属形成的第二导电层的多层结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1953230B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200610142422.8
申请日：2006-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/1052 , H01L27/115 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/1608
Abstract: 本发明提供了一种包括纳米点的非易失性存储器件及其制造方法。该包括由电阻-变化材料形成的氧化物层的所述非易失性存储器件包括：下电极；形成在所述下电极上并包括过渡金属氧化物的氧化物层；形成在所述氧化物层中并使所述氧化物层内部的电流通路一致的纳米点；以及，形成在所述氧化物层上的上电极。在本发明中，氧化物层内部的电流通路一致，由此稳定了重置电流。
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公开(公告)号：CN100593242C
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200510120431.2
申请日：2005-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/72 , G11C2213/73 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及一种包括一个电阻器和一个二极管的非挥发性存储器。其包括：底部电极；电阻器结构，布置在底部电极上；二极管结构，布置在电阻器结构上；和上部电极，布置在二极管结构上。本发明的非挥发性存储器可以用简单工艺制造，可以用低电力驱动，具有快的运作速度。
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公开(公告)号：CN101409303A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810129780.4
申请日：2008-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李昌范 , 朴永洙 , 李明宰 , 斯蒂法诺维奇·詹瑞克 , 金起焕
Abstract: 本发明提供了一种多层电极、一种交叉点电阻存储器阵列。所述阵列可以包括：多条第一电极线，彼此平行地布置；多条第二电极线，与第一电极线交叉并且彼此平行地布置；第一存储器电阻器，位于第一电极线和第二电极线的交叉处，其中，第一电极线和第二电极线中的至少一种具有包括第一导电层和由贵金属形成的第二导电层的多层结构。
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公开(公告)号：CN1953230A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610142422.8
申请日：2006-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/1052 , H01L27/115 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/1608
Abstract: 本发明提供了一种包括纳米点的非易失性存储器件及其制造方法。该包括由电阻－变化材料形成的氧化物层的所述非易失性存储器件包括：下电极；形成在所述下电极上并包括过渡金属氧化物的氧化物层；形成在所述氧化物层中并使所述氧化物层内部的电流通路一致的纳米点；以及，形成在所述氧化物层上的上电极。在本发明中，氧化物层内部的电流通路一致，由此稳定了重置电流。
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公开(公告)号：CN1638125A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410082270.8
申请日：2004-12-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/00 , H01L27/105 , H01L27/108
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C13/0004 , H01L27/10852 , H01L27/112 , H01L27/115 , H01L27/2436 , H01L28/40 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供一种半导体器件的电容器、包括该电容器的半导体存储器件和该半导体存储器件的工作方法。该电容器包括：下电极；层叠在该下电极上并包括相变层的介电层，该相变层在其绝缘性质被改变后显示出两种显著不同的电阻特性；以及层叠在该介电层上的上电极。包括该电容器的半导体存储器件在工作中与动态随机存取存储器一样快且具有与快闪存储器件相同的非易失性。
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