半导体器件
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107464807A

    公开(公告)日:2017-12-12

    申请号:CN201710407365.X

    申请日:2017-06-02

    Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件,包括衬底上的下电极、在下电极上的电容器介电层和在电容器介电层上的上电极。电容器介电层包括在下电极上的基础层和在基础层的至少一部分中的电介质颗粒层。基础层包括第一电介质材料,电介质颗粒层沿电容器介电层的厚度方向至少部分连续地延伸并且包括不同于第一电介质材料的第二电介质材料。

    包括包含内保护层和外保护层的下电极的半导体装置

    公开(公告)号:CN114203669A

    公开(公告)日:2022-03-18

    申请号:CN202110723495.0

    申请日:2021-06-28

    Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括:接合垫,在基底上;下电极,在接合垫上,下电极包括外保护层、在外保护层的相对侧壁之间的导电层和在导电层的相对侧壁之间的内保护层;第一支撑图案,在下电极的侧表面上,第一支撑图案包括支撑孔;介电层,在下电极和第一支撑图案中的每个的表面上;以及上电极,在介电层上。外保护层包括氧化钛,导电层包括氮化钛,并且内保护层包括氮化钛硅。在水平剖视图中,外保护层具有在介电层与导电层之间延伸的弧形形状。

    集成电路装置
    15.
    发明公开
    集成电路装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115955910A

    公开(公告)日:2023-04-11

    申请号:CN202211209632.X

    申请日:2022-09-30

    Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括:下电极,设置在基底上;绝缘支撑图案,支撑下电极;介电膜,围绕下电极和绝缘支撑图案;高k界面层,布置在下电极与介电膜之间以及绝缘支撑图案与介电膜之间,其中,高k界面层接触绝缘支撑图案且包括氧化锆层;以及上电极,与下电极相邻地设置,其中,高k界面层和介电膜设置在上电极与下电极之间。

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