公开(公告)号：CN107464807A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：CN201710407365.X

申请日：2017-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安世衡 ,  金润洙 ,  崔在亨 ,  蒋在完 ,  文瑄敏 ,  李珍宣

IPC: H01L27/108

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件，包括衬底上的下电极、在下电极上的电容器介电层和在电容器介电层上的上电极。电容器介电层包括在下电极上的基础层和在基础层的至少一部分中的电介质颗粒层。基础层包括第一电介质材料，电介质颗粒层沿电容器介电层的厚度方向至少部分连续地延伸并且包括不同于第一电介质材料的第二电介质材料。

公开(公告)号：CN102005456A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010264991.6

申请日：2010-08-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙炳根 ,  金汉洙 ,  安永洙 ,  金敏求 ,  金镇瑚 ,  崔在亨 ,  崔锡宪 ,  沈载株 ,  赵源锡 ,  沈善一 ,  林周永

IPC: H01L27/105 ,  H01L23/00 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L27/11575 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体存储器件，包括：实质上平面状的衬底；相对于衬底垂直的存储串，该存储串包括多个存储单元；以及多条伸长的字线，每条字线包括实质上平行于衬底且连接至存储串的第一部分、以及相对于衬底实质上倾斜并且在衬底上延伸的第二部分；其中，多条字线中的第一组与放置在存储串的第一侧的第一导线电连接，多条字线中的第二组与放置在存储串的第二侧的第二导线电连接。

公开(公告)号：CN114203669A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202110723495.0

申请日：2021-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵哲珍 ,  朴正敏 ,  林汉镇 ,  崔在亨

IPC: H01L23/522 ,  H01L49/02

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：接合垫，在基底上；下电极，在接合垫上，下电极包括外保护层、在外保护层的相对侧壁之间的导电层和在导电层的相对侧壁之间的内保护层；第一支撑图案，在下电极的侧表面上，第一支撑图案包括支撑孔；介电层，在下电极和第一支撑图案中的每个的表面上；以及上电极，在介电层上。外保护层包括氧化钛，导电层包括氮化钛，并且内保护层包括氮化钛硅。在水平剖视图中，外保护层具有在介电层与导电层之间延伸的弧形形状。

公开(公告)号：CN1722379A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510078339.4

申请日：2005-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔在亨 ,  郑正喜 ,  金晟泰 ,  柳次英 ,  金基哲 ,  吴世勋 ,  崔正植

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L29/00 ,  H01L27/108 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L21/31122

Abstract: 在金属－绝缘体－金属(MIM)型电容器的金属氮化物下电极上形成金属氮氧化物籽晶介质层。金属氮氧化物籽晶介质层充当阻挡层以减少在例如，用于在包括MIM型电容器的集成电路中形成金属化上层的后处理期间与金属氮化物下电极的反应。包含在金属氮氧化物籽晶介质层中的氮能够减少发生在常规型MIM电容器中的反应的类型。金属氧化物主介质层形成在金属氮氧化物籽晶介质层上并保持与MIM型电容器中的金属氮氧化物籽晶介质层独立。稳定(例如，使用热处理或等离子处理)金属氧化物主介质层以消除其中的缺陷(例如碳)并调整金属氧化物主介质层的化学计量。

公开(公告)号：CN115955910A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202211209632.X

申请日：2022-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全寅铎 ,  林汉镇 ,  丁炯硕 ,  崔在亨

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：下电极，设置在基底上；绝缘支撑图案，支撑下电极；介电膜，围绕下电极和绝缘支撑图案；高k界面层，布置在下电极与介电膜之间以及绝缘支撑图案与介电膜之间，其中，高k界面层接触绝缘支撑图案且包括氧化锆层；以及上电极，与下电极相邻地设置，其中，高k界面层和介电膜设置在上电极与下电极之间。

公开(公告)号：CN114725282A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202111137923.8

申请日：2021-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南甲镇 ,  李荣彬 ,  赵哲珍 ,  崔在亨

IPC: H01L49/02 ,  H01L21/8242

Abstract: 提供了制造电容器的方法和制造包括电容器的半导体器件的方法。所述制造电容器的方法可以包括：形成第一电极；在所述第一电极上形成介电层；在所述介电层上形成第二电极；以及在所述第一电极与所述第二电极之间施加在所述电容器的工作期间施加的工作电压范围之外的电压或者在所述电容器的工作期间施加的工作电流范围之外的电流。