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公开(公告)号：CN1909239A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610121248.9
申请日：2006-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1286 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144
Abstract: 本发明公开了一种相变材料、包括该相变材料的PRAM以及制造和操作这种PRAM的方法。绝缘杂质均匀分布在相变材料的整个或部分区域上。该PRAM包括含有相变材料的相变层。相变材料的绝缘杂质含量可小于相变材料体积的10％。相变材料绝缘杂质的含量可以通过控制施加到包括绝缘杂质的靶的电能调节。
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公开(公告)号：CN1828922A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610004963.4
申请日：2006-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24 , H01L45/00 , H01L21/822
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1691 , Y10S977/754
Abstract: 提供了一种要求低驱动电流脉冲的相变存储器件及其制造方法。在所述相变存储器件中，在衬底上形成晶体管，第一电极电连接至所述衬底上的晶体管。在所述第一电极上沿纵向形成相变材料膜，在所述相变材料膜上形成第二电极。这里，所形成的位于所述相变材料膜和所述第二电极之间的接触区域具有30nm或更小的宽度。
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公开(公告)号：CN100555652C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200610142556.X
申请日：2006-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/144 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1286 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 提供了一种相变存储器件及其操作和制造方法。在包括开关元件和连接至开关元件的存储节点的相变存储器件中，存储节点包括：连接至开关元件的下部电极；形成于下部电极上的相变层；以及形成于相变层上的上部电极，下部电极和上部电极由热电材料构成，热电材料具有高于相变层的熔点，并具有不同的导电类型。下部电极得上表面可以具有凹陷外形，可以在下部电极和相变层之间提供下部电极接触层。此外，相变层得厚度可以是100nm或更低，下部电极可以由n型热电材料构成，上部电极可以由p型热电材料构成，或者将二者的上述成分对调。下部电极、相变层和上部电极的塞贝克系数可以互不相同。
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公开(公告)号：CN1873996A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610087668.X
申请日：2006-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/143 , G11C2213/52 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1286 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供了一种相变随机存取存储器(PRAM)及其操作方法。该PRAM包括：连接到开关器件的下电极；形成在所述下电极上的下电极接触层；相变层，所述相变层形成在所述下电极接触层上并包括与所述下电极接触层的上表面相接触的底表面；以及形成在所述相变层上的上电极。其中，所述下电极接触层由塞贝克系数的绝对值高于TiAlN的塞贝克系数的绝对值且具有负的塞贝克系数、热导率低于TiAlN的热导率、并且电阻与TiAlN的电阻类似的材料形成。
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公开(公告)号：CN1691334A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510068438.4
申请日：2005-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供了利用具有分级电阻变化的多层的存储器件。所述存储器件包括：下电极；数据存储层，形成于下电极上且具有分级的电阻变化；和上电极，形成于数据存储层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102024840A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010287385.6
申请日：2010-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/7827 , G11C2213/79 , H01L27/2454 , H01L27/2463 , H01L29/66666 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种包括垂直晶体管阵列的电阻性存储器器件和相关制造方法。该电阻性存储器器件的存储器包括垂直晶体管和可变电阻层。所述垂直晶体管包括衬底表面上的栅电极、沿着所述栅电极的侧壁延伸的栅绝缘层以及与所述栅绝缘层相邻的在所述衬底表面上的单晶硅层。所述单晶硅层的至少一部分限定在与所述衬底表面基本上垂直的方向上延伸的沟道区。在所述单晶硅层上设置可变电阻层。所述可变电阻层与所述栅电极电绝缘。本发明还讨论了相关的器件和制造方法。
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公开(公告)号：CN100514665C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610005737.8
申请日：2006-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种操作包括开关器件和存储节点的相变随机存取存储器的方法，所述存储节点包括相变层。该方法包括对所述存储节点施加重置电流，所述重置电流从所述相变层的下部分朝向所述相变层的上部分流经所述相变层且小于1.6mA，从而将所述相变层的一部分变为非晶态。
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公开(公告)号：CN100514664C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610004963.4
申请日：2006-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24 , H01L45/00 , H01L21/822
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1691 , Y10S977/754
Abstract: 提供了一种要求低驱动电流脉冲的相变存储器件及其制造方法。在所述相变存储器件中，在衬底上形成晶体管，第一电极电连接至所述衬底上的晶体管。在所述第一电极上沿纵向形成相变材料膜，在所述相变材料膜上形成第二电极。这里，所形成的位于所述相变材料膜和所述第二电极之间的接触区域具有30nm或更小的宽度。
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公开(公告)号：CN101165911A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710096172.3
申请日：2007-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1666
Abstract: 本发明提供一种在底电极接触层和相变层之间具有增大的接触面积的相变存储器件和制造该相变存储器件的方法。该相变存储器件包括：存储节点，包括填充通孔的底电极接触层、相变层和顶电极层；以及开关器件，连接到该底电极接触层，其中该底电极接触层具有朝向该相变层的突出部分。该突出部分通过以比该底电极接触层高的蚀刻速率干法或湿法蚀刻该底电极接触层周围的绝缘间层形成，或者利用选择性生长方法、或沉积和光刻工艺形成。进行选择性生长法或沉积和光刻工艺之后，还可进行干法或湿法蚀刻。
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公开(公告)号：CN101101919A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710108112.9
申请日：2007-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/144
Abstract: 本发明提供一种具有掺杂相变层的相变存储器及操作该相变存储器的方法。该相变存储器包括具有相变层的存储节点和开关装置，其中相变层中铟的含量a1为5at％＜a1＜15at％，该相变层可以是含有铟的GST层。
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