公开(公告)号：CN103579043B

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201310124248.4

申请日：2013-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周浩 ,  郑镛席 ,  金容诚 ,  李昌承 ,  文彰烈

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L29/66045 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/05 ,  C01B32/186 ,  C25B1/00 ,  C25B9/00 ,  C25D17/00 ,  C25F5/00 ,  C25F7/00

Abstract: 本发明提供一种石墨烯器件制造装置和使用该装置的石墨烯器件制造方法。该石墨烯器件制造装置包括：电极；石墨烯结构，包括基板、形成在基板上的金属催化剂层、形成在金属催化剂层上的石墨烯层、以及形成在石墨烯层上的保护层；电源单元，在电极和金属催化剂层之间施加电压；槽，容纳电极和石墨烯结构；以及在槽中准备的电解液。

公开(公告)号：CN103227103A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201210497438.6

申请日：2012-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌承 ,  李周浩 ,  金容诚 ,  文彰烈

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/6835 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/41775 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68368 ,  Y10S977/734

Abstract: 本发明提供了石墨烯晶体管以及制造石墨烯器件的方法。制造石墨烯器件的方法可以包括：在第一基板上形成包括石墨烯层的器件部分；将第二基板附接在第一基板的器件部分上；以及移除第一基板。移除第一基板可以包括蚀刻第一基板与石墨烯层之间的牺牲层。在移除第一基板之后，第三基板可以附接在器件部分上。在附接第三基板之后，可以移除第二基板。

公开(公告)号：CN101266960A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810083784.3

申请日：2008-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔源璟 ,  文彰烈 ,  孙崙喆 ,  金映镐 ,  卢熙摞 ,  吴昌烈

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: B23K1/0016 ,  B23K35/262 ,  B23K35/282 ,  B23K2101/42 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/0501 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05118 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1134 ,  H05K3/244 ,  H05K3/3463 ,  Y10T428/12493 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01047

Abstract: 本发明提供一种使用Zn的软焊接结构，包括：含有Zn的结合层；以及结合到该结合层并对其起反应的无铅焊料。该结合层可以是Zn合金层或含有Zn层的多层。因此，通过加入高反应性Zn至软焊接的界面反应而可提高软焊接结构的特性。

公开(公告)号：CN1216736A

公开(公告)日：1999-05-19

申请号：CN98124590.0

申请日：1998-10-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文在浩 ,  文彰烈 ,  辛圭镐

IPC: B41J2/135

CPC classification number: B41J2/04 ,  B41J2002/041

Abstract: 一种用于喷墨打印机的喷墨装置。一组喷嘴板平行配置,一对磁铁安装在这些喷嘴板的上部和下部,每个喷嘴板都由一对相互平行的杆组成,这些杆的一端都连接在一个桥上,而其另一端相互分开,在桥的前端有一个用于喷墨的喷嘴孔。通过将电流施加到处于由永久磁铁形成的磁场中的杆上,加在杆上的洛伦兹力使分别对置的杆相互靠近,从而墨被喷出并被打印到打印纸上。

公开(公告)号：CN1216735A

公开(公告)日：1999-05-19

申请号：CN98124589.7

申请日：1998-10-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文在浩 ,  文彰烈 ,  辛圭镐

IPC: B41J2/135

CPC classification number: B41J2/14 ,  B41J2002/041

Abstract: 一种用喷墨打印机的喷墨装置。一个墨室形成于一个喷嘴板的下部,该喷嘴板具有一组喷嘴孔;挡板位于于墨室的底表面,该挡板在其对应于喷嘴孔位置的对面分别带有一个凹坑;在墨室和挡板之间有一层膜。在凹腔中有一个用于冲击膜的球,并且在挡板的下部有一个用于使球振动的装置。

公开(公告)号：CN1203856A

公开(公告)日：1999-01-06

申请号：CN98115248.1

申请日：1998-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权五根 ,  文彰烈 ,  文在浩

IPC: B41J2/035 ,  B41J2/06

CPC classification number: B41J2/14 ,  B41J2002/041 ,  B41J2202/15

Abstract: 一种喷射油墨的装置包括:一磁铁;一振动板,用于向油墨室提供压力;线圈,它连接到振动板上。当向线圈提供电信号时,振动板在磁铁和线圈之间产生的磁力作用下产生变形。此时,油墨室中的油墨通过一喷嘴向外喷射。喷射的油墨量和喷射速度很容易控制,且结构和制造工序简单。另外,高速打印时清晰度高。

公开(公告)号：CN103094334B

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201210215829.4

申请日：2012-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李政烨 ,  鲜于文旭 ,  文彰烈 ,  朴用永 ,  梁佑荣 ,  黄仁俊

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/45 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/28264 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供了一种电极结构、包括该电极结构的GaN基半导体器件及其制造方法。该GaN基半导体器件可以包括：GaN基半导体层；以及在GaN基半导体层上的电极结构。该电极结构可以包括：包括导电材料的电极元件；以及在电极元件和GaN基半导体层之间的扩散层。该扩散层可以包括关于GaN基半导体层为n型掺杂剂的材料并且该扩散层接触GaN基半导体层。例如，扩散层可以包括从Ge、Si、Sn、Pb、GeSi及其组合中选出的至少一种。GaN基半导体层的接触扩散层的区域可以用所述n型掺杂剂掺杂。该GaN基半导体层可以包括例如GaN层和AlGaN层。GaN基半导体器件可以是高电子迁移率晶体管（HEMT）和/或可以是功率器件。

公开(公告)号：CN105374776A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510161903.2

申请日：2015-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 周建模 ,  文彰烈 ,  李成熙 ,  黄俊式

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L33/0079 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/73227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/014 ,  H01L21/78 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本公开提供了半导体芯片、半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括基底基板和在基底基板上的半导体芯片，半导体芯片包括第一层结构和与第一层结构相反的第二层结构以及在第一层结构与第二层结构之间的接合结构，第一层结构和第二层结构的至少一个包括半导体器件部分，接合结构包括银-锡(Ag-Sn)化合物和镍-锡(Ni-Sn)化合物。

公开(公告)号：CN103579043A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310124248.4

申请日：2013-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周浩 ,  郑镛席 ,  金容诚 ,  李昌承 ,  文彰烈

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L29/66045 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/05 ,  C01B32/186 ,  C25B1/00 ,  C25B9/00 ,  C25D17/00 ,  C25F5/00 ,  C25F7/00

Abstract: 本发明提供一种石墨烯器件制造装置和使用该装置的石墨烯器件制造方法。该石墨烯器件制造装置包括：电极；石墨烯结构，包括基板、形成在基板上的金属催化剂层、形成在金属催化剂层上的石墨烯层、以及形成在石墨烯层上的保护层；电源单元，在电极和金属催化剂层之间施加电压；槽，容纳电极和石墨烯结构；以及在槽中准备的电解液。

公开(公告)号：CN103227201A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310007163.8

申请日：2013-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌承 ,  李周浩 ,  金容诚 ,  金俊成 ,  文彰烈

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L21/6835 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7831 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381

Abstract: 本公开提供了晶体管及其制造方法。该晶体管可以包括：在基板上的栅极；沟道层，具有覆盖栅极的至少一部分的三维（3D）沟道区域；源极电极，接触沟道层的第一区域；以及漏极电极，接触沟道层的第二区域。