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公开(公告)号：CN120076709A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202411154972.6
申请日：2024-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及电容器、制造其的方法和包括其的电子器件。电容器包括：第一电极；设置成面向所述第一电极的第二电极；设置在所述第一电极和所述第二电极之间的介电层；以及设置在所述第一电极和所述介电层之间的导电界面层。所述导电界面层包括设置在所述第一电极和所述介电层之间的第一导电界面层、以及设置在所述第一导电界面层和所述介电层之间的第二导电界面层。所述介电层包括金红石相介电材料。所述第一导电界面层包括具有处于金红石相的稳定的晶体结构的导电金属氧化物材料。在所述第二导电界面层和所述介电层之间的导带偏移大于在所述第一导电界面层和所述介电层之间的导带偏移。
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公开(公告)号：CN103227201B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201310007163.8
申请日：2013-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L21/6835 , H01L29/41758 , H01L29/41775 , H01L29/42384 , H01L29/66787 , H01L29/778 , H01L29/7831 , H01L2221/6835 , H01L2221/68363 , H01L2221/68381
Abstract: 本公开提供了晶体管及其制造方法。该晶体管可以包括：在基板上的栅极；沟道层，具有覆盖栅极的至少一部分的三维（3D）沟道区域；源极电极，接触沟道层的第一区域；以及漏极电极，接触沟道层的第二区域。
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公开(公告)号：CN101009482A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200610121686.5
申请日：2006-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03H9/0547 , H01L2924/0002 , H03H9/587 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种能够通过在单个芯片内封装多个元件而在晶片上制造的射频(RF)模块、包括所述RF模块的多RF模块和制造所述RF模块的方法。所述RF模块包括：基础衬底；第一元件，其形成于所述基础衬底上，其处理RF信号；第二元件，其设置在所述第一元件之上并与之隔开，其处理RF信号；盖顶衬底，其与所述基础衬底耦合，以封装所述第一和第二元件，并且其包括多个将所述第一和第二元件与外部电连接的导通电极；以及密封垫，其封装并接合所述基础衬底和所述盖顶衬底，并且其将所述第一和第二元件电连接至所述导通电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115692482A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210423984.9
申请日：2022-04-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/51 , H01L29/423 , H01L29/788 , H10B12/00 , H01L23/64
Abstract: 本发明公开一种反铁电薄膜结构、电子器件、存储单元和电子装置，其中该反铁电薄膜结构包括：电介质层，包括铪氧化物的反铁电相；以及在电介质层中的插入层，该插入层包括氧化物。已经应用反铁电薄膜结构的电子器件可以确保具有很小滞后的工作电压区间。
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公开(公告)号：CN114447222A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202110775788.3
申请日：2021-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L49/02 , H01L27/108
Abstract: 本发明涉及电子器件和包括其的半导体装置。半导体器件包括：下部电极；设置成与所述下部电极间隔开的上部电极；以及设置在所述下部电极和所述上部电极之间的介电层，所述介电层包括：第一金属氧化物区域，其包括以下的一种或多种：Hf、Zr、Nb、Ta、Pr、Nd、Gd、Dy、Yb、Pb、Zn、Si、Ti、Sr或Lu；第二金属氧化物区域，其包括以下的一种或多种：Y、Sc或Ce；和第三金属氧化物区域，其包括以下的一种或多种：Al、Mg或Be。
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公开(公告)号：CN103915496B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201310534898.6
申请日：2013-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/788 , H01L29/778 , H01L21/683 , H01L29/16 , H01L29/861 , H01L27/1159 , H01L27/11521 , H01L21/336 , H01L21/329 , H01L21/28 , B82Y10/00
Abstract: 本公开提供一种石墨烯电子器件及其制造方法。该石墨烯电子器件包括在石墨烯层上的第一栅极结构和第二栅极结构，因此可以在一个器件中形成具有石墨烯晶体管和石墨烯二极管的特性的开关器件或存储器器件。
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公开(公告)号：CN103227103B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201210497438.6
申请日：2012-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/778 , H01L21/6835 , H01L29/1606 , H01L29/41775 , H01L2221/68327 , H01L2221/6835 , H01L2221/68368 , Y10S977/734
Abstract: 本发明提供了石墨烯晶体管以及制造石墨烯器件的方法。制造石墨烯器件的方法可以包括：在第一基板上形成包括石墨烯层的器件部分；将第二基板附接在第一基板的器件部分上；以及移除第一基板。移除第一基板可以包括蚀刻第一基板与石墨烯层之间的牺牲层。在移除第一基板之后，第三基板可以附接在器件部分上。在附接第三基板之后，可以移除第二基板。
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公开(公告)号：CN103915496A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310534898.6
申请日：2013-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/861 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/329 , H01L21/8247 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/66477 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L21/28291 , H01L21/6835 , H01L27/11521 , H01L27/1159 , H01L29/1606 , H01L29/41775 , H01L29/42328 , H01L29/66045 , H01L29/778 , H01L29/78391 , H01L29/7881 , H01L2221/68359 , H01L2221/68381
Abstract: 本公开提供一种石墨烯电子器件及其制造方法。该石墨烯电子器件包括在石墨烯层上的第一栅极结构和第二栅极结构，因此可以在一个器件中形成具有石墨烯晶体管和石墨烯二极管的特性的开关器件或存储器器件。
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