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公开(公告)号：CN118335725A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410041311.6
申请日：2024-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供电容器和包括其的电子器件。所述电容器包括第一电极层、第二电极层、设置在第一电极层和第二电极层之间的电介质层、以及设置在第一电极层和电介质层之间的中间层。所述中间层包括第一界面材料，所述第一界面材料包括至少一种第13族元素，并且所述至少一种第13族元素不为铝(Al)。
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公开(公告)号：CN117219622A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310682672.4
申请日：2023-06-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及电容器和包括其的器件以及其制备方法。电容器可包括第一薄膜电极层；第二薄膜电极层；以及在所述第一薄膜电极层和所述第二薄膜电极层之间的电介质层。所述第一薄膜电极层和所述第二薄膜电极层可包括导电性钙钛矿型晶体结构。所述电介质层可包括具有介电性钙钛矿型晶体结构的金属氧化物。所述电介质层可为外延层。所述金属氧化物可包括在立方八面体位点中的第一元素、在八面体位点中的第二元素、和在八面体位点中的第三元素。所述第三元素的化合价可低于所述第二元素的化合价，并且所述第三元素可为掺杂剂。
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公开(公告)号：CN113675176A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110047413.5
申请日：2021-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了一种电子装置、控制其的方法和包括其的晶体管。该电子装置包括：第一电极；提供在第一电极上的第二电极；提供在第一电极和第二电极之间的铁电膜；以及提供在铁电膜和第二电极之间的电介质膜，铁电膜的阻抗和电介质膜的阻抗被确定为使得被施加在第一电极和第二电极之间的控制电压等于电容提升操作电压，并且电容提升操作电压由以下的方程式确定：其中VMAX是电容提升操作电压，Z1是铁电膜的阻抗，Z2是电介质膜的阻抗，tF是铁电膜的厚度，EFM是被施加到铁电膜的具有最大极化变化的电场。
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公开(公告)号：CN112993022A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011144164.3
申请日：2020-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L49/02 , H01L27/108 , H01L27/11502 , H01L21/02
Abstract: 提供了一种包括铪氧化物的膜结构、包括该膜结构的电子器件和制造该膜结构的方法。包括铪氧化物的该膜结构包括：铪氧化物层，其包括结晶成四方晶相的铪氧化物；以及第一应力源层和第二应力源层，其彼此隔开且其间具有铪氧化物层并且向铪氧化物层施加压缩应力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103579310B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201310073946.6
申请日：2013-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/16 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/4908 , H01L29/66045 , H01L29/66742 , H01L29/78 , H01L29/78684 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了晶体管和该晶体管的制造方法。晶体管可以包括石墨烯和由石墨烯转变的材料。该晶体管可以包括沟道层和栅绝缘层，该沟道层包括石墨烯，该栅绝缘层包括由石墨烯转变的材料。由石墨烯转变的材料可以是氟化石墨烯。沟道层可以包括图案化的石墨烯区域。图案化的石墨烯区域可以通过由石墨烯转变的区域来限定。图案化的石墨烯区域可具有纳米带或纳米网结构。晶体管的栅极可以包括石墨烯。
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公开(公告)号：CN105590665A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510770231.5
申请日：2015-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01B1/22 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C23F1/32 , D06M15/564 , D06M23/005 , D06M2101/00 , G06F3/041 , G06F3/0412 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , G06F2203/04112 , H01L29/0673 , H01L29/413 , H01L31/022491 , H01L33/42 , H01B5/14 , H01B13/00
Abstract: 实例实施方式涉及纳米结构体、其制备方法及包括该纳米结构体的面板单元，所述纳米结构体包括导电区和非导电区，其中所述导电区包括至少一根第一纳米线，和所述非导电区包括至少一根至少部分地截断的第二纳米线。
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公开(公告)号：CN103579043A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310124248.4
申请日：2013-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/66045 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/05 , C01B32/186 , C25B1/00 , C25B9/00 , C25D17/00 , C25F5/00 , C25F7/00
Abstract: 本发明提供一种石墨烯器件制造装置和使用该装置的石墨烯器件制造方法。该石墨烯器件制造装置包括：电极；石墨烯结构，包括基板、形成在基板上的金属催化剂层、形成在金属催化剂层上的石墨烯层、以及形成在石墨烯层上的保护层；电源单元，在电极和金属催化剂层之间施加电压；槽，容纳电极和石墨烯结构；以及在槽中准备的电解液。
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公开(公告)号：CN103227201A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310007163.8
申请日：2013-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L21/6835 , H01L29/41758 , H01L29/41775 , H01L29/42384 , H01L29/66787 , H01L29/778 , H01L29/7831 , H01L2221/6835 , H01L2221/68363 , H01L2221/68381
Abstract: 本公开提供了晶体管及其制造方法。该晶体管可以包括：在基板上的栅极；沟道层，具有覆盖栅极的至少一部分的三维（3D）沟道区域；源极电极，接触沟道层的第一区域；以及漏极电极，接触沟道层的第二区域。
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公开(公告)号：CN102751180A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201110309006.3
申请日：2011-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02458 , H01L21/0237 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02494 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01L33/24 , H01L41/1132 , H01L41/319
Abstract: 一种制造氮化镓(GaN)薄层的方法、利用该方法制造的GaN膜结构以及包括该GaN膜结构的半导体器件，其中高品质的GaN层可以通过该方法采用悬置在基板上方的电极层而生长在大面积基板上。该方法包括：在基板上形成牺牲层；在牺牲层上形成第一缓冲层；在第一缓冲层上形成电极层；在电极层上形成第二缓冲层；部分地蚀刻牺牲层，从而形成配置为支撑第一缓冲层的至少两个支撑件并且形成在基板与第一缓冲层之间的至少一个空腔；以及在第二缓冲层上形成GaN薄层。
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