公开(公告)号：CN108121153B

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN201711202775.7

申请日：2017-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  宋伣在 ,  朴晟准 ,  申建旭 ,  李昌锡 ,  李东郁 ,  薛珉洙 ,  金尙元 ,  郑盛骏

IPC: G03F1/62 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20

Abstract: 提供用于光掩模的表膜、包括其的掩模版、和用于光刻的曝光设备。所述表膜可包括表膜膜片，并且所述表膜膜片可包括纳米晶体石墨烯。所述纳米晶体石墨烯可具有缺陷。所述纳米晶体石墨烯可包括多个纳米级晶粒，并且所述纳米级晶粒可包括具有芳族环结构的二维(2D)碳结构。所述纳米晶体石墨烯的缺陷可包括如下的至少一种：sp3碳原子、氧原子、氮原子、或者碳空位。

公开(公告)号：CN116960163A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310453556.5

申请日：2023-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申建旭 ,  李殷奎 ,  李昌锡 ,  金昌炫 ,  卞卿溵

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件可以包括：第一半导体层，包括第一半导体材料；金属层，面对第一半导体层并具有导电性；2D材料层，在第一半导体层和金属层之间；以及第二半导体层，在第一半导体层和2D材料层之间。第二半导体层可以包括不同于第一半导体材料的第二半导体材料。第二半导体层和2D材料层可以彼此直接接触。第二半导体材料可以包括锗。

公开(公告)号：CN116137782A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202211434058.8

申请日：2022-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申建旭 ,  金昌炫 ,  朴世勋 ,  金炫佑 ,  卞卿溵 ,  尹桐振 ,  李昌锡

IPC: H10B43/30 ,  H10B43/35 ,  H10B43/20 ,  G06N3/063

Abstract: 本公开涉及一种非易失性存储装置及神经形态设备。该垂直非易失性存储装置可以包括：在第一方向上延伸的沟道层；多个栅电极和多个间隔物，其中每个在与第一方向交叉的第二方向上延伸，多个栅电极和多个间隔物在第一方向上彼此交替排列；以及在沟道层和多个栅电极之间在第一方向上延伸的栅极绝缘层。多个栅电极中的每个可以包括金属掺杂的石墨烯。

公开(公告)号：CN112750685A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011180671.2

申请日：2020-10-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 李昌锡 ,  申铉石 ,  申铉振 ,  洪锡模 ,  李珉贤 ,  南胜杰 ,  马庆烈

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  B82Y30/00

Abstract: 提供氮化硼层、包括其的装置及制造氮化硼层的方法。所述氮化硼层包括氮化硼化合物并且在100kHz的工作频率下具有约2.5或更小的介电常数。

公开(公告)号：CN110970289A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910892838.9

申请日：2019-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申建旭 ,  金昌炫 ,  山本薰 ,  李昌锡 ,  宋伣在 ,  李殷奎 ,  卞卿溵 ,  申铉振 ,  安星柱

IPC: H01L21/02

Abstract: 提供一种形成石墨烯的方法。形成石墨烯的方法包括：当对放置在反应室中的基板施加偏压时用等离子体处理基板的表面；以及通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在基板的表面上生长石墨烯。

公开(公告)号：CN109837524A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811431633.2

申请日：2018-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋伣在 ,  申建旭 ,  申铉振 ,  李昌锡 ,  金昌炫 ,  卞卿溵 ,  李升元 ,  李殷奎

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/505 ,  C23C16/511 ,  C01B32/186 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 提供纳米晶体石墨烯、形成纳米晶体石墨烯的方法、和设备。所述纳米晶体石墨烯可具有在约50％至99％的范围内的具有sp2键合结构的碳与总碳的比率。另外，所述纳米晶体石墨烯可包括具有约0.5nm至约100nm的尺寸的晶体。

公开(公告)号：CN110880447B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201910552879.3

申请日：2019-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 山本薰 ,  金昌炫 ,  宋伣在 ,  申建旭 ,  申铉振 ,  安星柱 ,  李章熙 ,  李昌锡 ,  全基荣 ,  郑根吾

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C23C16/458 ,  C23C16/513

Abstract: 提供了一种等离子体沉积方法和等离子体沉积设备，在所述等离子体沉积方法中，将基底装载到腔室内的基底台上。在与基底隔开第一距离的第一等离子体区域处产生第一等离子体。将第一工艺气体供应到第一等离子体区域以对基底执行预处理工艺。在与基底隔开与第一距离不同的第二距离的第二等离子体区域处产生第二等离子体。将第二工艺气体供应到第二等离子体区域以对基底执行沉积工艺。

公开(公告)号：CN115995485A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202210942713.4

申请日：2022-08-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申建旭 ,  卞卿溵 ,  李相受 ,  金昌炫 ,  李昌锡

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/06 ,  H01L29/792

Abstract: 提供了一种包括二维材料的薄膜结构、电子器件和电子设备，该薄膜结构包括衬底、在衬底上并与衬底间隔开的金属层、以及在衬底和金属层之间的二维材料层。二维材料层可以被配置为限制和/或阻挡衬底和金属层之间的电子转移。二维材料层上的金属层的电阻率可以通过二维材料层降低。

公开(公告)号：CN105280594B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201510042066.1

申请日：2015-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  申铉振 ,  李珉贤 ,  李昌锡

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L21/187 ,  H01L21/28512 ,  H01L23/485 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/45 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7839 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种石墨烯‑金属接合结构、制造石墨烯‑金属接合结构的方法和包括该石墨烯‑金属接合结构的半导体器件。根据示例实施方式，一种石墨烯‑金属接合结构包括：石墨烯层；在石墨烯层上的金属层；以及在石墨烯层和金属层之间的中间材料层。中间材料层从中间材料层中包含的材料的接触金属层的边界部分与金属层形成边缘接触。

公开(公告)号：CN106410002A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610601246.3

申请日：2016-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋伣在 ,  南胜杰 ,  朴晟准 ,  申建旭 ,  申铉振 ,  李载昊 ,  李昌锡 ,  赵连柱

IPC: H01L33/14

Abstract: 本发明涉及包括扩散阻挡层的多层结构体、包括其的器件和电子器件。所述多层结构体包括第一材料层、第二材料层、和扩散阻挡层。所述第二材料层连接至所述第一材料层。所述第二材料层与所述第一材料层隔开。所述扩散阻挡层在所述第一材料层和所述第二材料层之间。所述扩散阻挡层可包括二维(2D)材料。所述2D材料可为非基于石墨烯的材料，如具有2D晶体结构的基于金属硫属化物的材料。所述第一材料层可为半导体或绝缘体，且所述第二材料层可为导体。所述多层结构体的至少一部分可构成用于电子器件的互连。