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公开(公告)号：CN114660476A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202110647838.X
申请日：2021-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01R31/385 , G01R31/392 , G01R31/374 , G01R31/52
Abstract: 提供了用于电池短路检测的方法和设备。短路检测方法包括：从电池的充电周期获得与电池的状态相关的电池数据，使用估计模型估计电池数据中的误差，确定与电池数据中的误差对应的状态指标，以及基于将状态指标与短路阈值进行比较的结果来检测电池的短路。
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公开(公告)号：CN104425620B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201410443424.5
申请日：2014-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开涉及一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括处于第Ⅲ‑Ⅵ主族化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。所述半导体器件可包括化合物半导体层、布置在化合物半导体层上的电介质层以及插入在化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。氧吸附层包含与化合物半导体的材料相比对氧有更高亲和性的材料。
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公开(公告)号：CN104425492B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201410442976.4
申请日：2014-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L21/8249
Abstract: 本发明提供了一种互补金属氧化物半导体器件及其制造方法。在互补金属氧化物半导体器件中，缓冲层处于硅衬底上，包含第Ⅲ‑Ⅴ主族材料的第一层处于缓冲层上。包含第Ⅳ主族材料的第二层处于缓冲层或硅衬底上，且第二层与第一层间隔开。
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公开(公告)号：CN102157540B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201010589232.7
申请日：2010-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2013/0073 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , G11C2213/73 , G11C2213/74 , G11C2213/76 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147
Abstract: 本发明公开了一种存储装置、一种存储卡和一种电子装置。存储装置包括存储单元。存储单元包括双极存储元件和双向开关元件。双向开关元件连接到双极存储元件的端部，并具有双向开关特性。双向开关元件包括第一开关元件和第二开关元件。第一开关元件连接到双极存储元件的第一端部，并具有第一开关方向。第二开关元件连接到双极存储元件的第二端部，并具有第二开关方向。第二开关方向与第一开关方向相反。
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公开(公告)号：CN104600070A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410601952.9
申请日：2014-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/823807 , H01L21/02381 , H01L21/02439 , H01L21/0245 , H01L21/02452 , H01L21/02505 , H01L21/02532 , H01L21/02538 , H01L21/02645 , H01L27/092
Abstract: 本发明公开了一种衬底结构、包括该衬底结构的互补金属氧化物半导体CMOS器件和制造该CMOS器件的方法，其中衬底结构包括：衬底；位于衬底上的由包括硼B和/或磷P的材料形成的至少一个晶种层；以及位于晶种层上的缓冲层。该衬底结构可减小缓冲层的厚度，并且还提高了形成有该衬底结构的半导体器件的性能特征。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102956263A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210298165.2
申请日：2012-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0073 , G11C2013/0076
Abstract: 根据示例实施例，一种操作具有可变电阻器件的半导体器件的方法包括：向可变电阻器件施加第一电压以将该可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为与第一电阻值不同的第二电阻值；感测流过被施加第一电压的可变电阻器件的第一电流；基于感测的第一电流的偏移确定用于将该可变电阻器件的电阻值从第二电阻值改变为第一电阻值的第二电压；以及向可变电阻器件施加确定的第二电压。
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公开(公告)号：CN101183705B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200710192709.6
申请日：2007-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1625
Abstract: 本发明公开了一种具有固溶体层的电阻式随机存取存储器(RRAM)以及该RRAM的制造方法。RRAM包括：下电极；固溶体层，在下电极上；阻抗层，在固溶体层上；上电极，在阻抗层上。该RRAM的制造方法包括：形成下电极；在下电极上形成固溶体层；在固溶体层上形成阻抗层；在阻抗层上形成上电极，其中，固溶体层由过渡金属固溶体形成。
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公开(公告)号：CN100524875C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510136129.6
申请日：2005-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/003 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , G11C2213/76 , G11C2213/77 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供具有两种电阻器的非易失性存储器件。该非易失性存储器件包括：下电极；第一电阻层，其形成在所述下电极上且具有两种或更多种电阻特性；第二电阻层，其形成在所述第一电阻层上且具有阈值开关特性；以及上电极，其形成在所述第二电阻层上。
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公开(公告)号：CN101494220A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200910003249.7
申请日：2009-01-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/24 , G11C13/00 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/72
Abstract: 本发明公开了一种电阻存储装置及其制造方法。所述电阻存储装置包括第一电极和布置在第一电极上的第一绝缘层。通过第一绝缘层中的第一孔暴露第一电极的一部分。第一可变电阻层接触第一电极的暴露部分，并在第一孔周围的第一绝缘层上延伸。第一开关装置电连接到第一电阻切换层。
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公开(公告)号：CN101055917A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710001604.8
申请日：2007-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/32
Abstract: 多位存储单元，存储对应于高阻抗状态和低于高阻抗状态的多个其他阻抗状态的信息。通过将相应电流施加到存储元件，多位存储单元内的存储元件的阻抗从高阻抗状态切换到其他多个阻抗状态之一。
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