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公开(公告)号：CN107256719A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710232348.7
申请日：2014-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种非易失性存储器件，包括：内部电路；第一电压焊盘，被配置为向所述内部电路提供第一电压；第二电压焊盘，被配置为向所述内部电路提供第二电压，所述第二电压高于所述第一电压；和外部电源控制逻辑，包括第一电压检测器，被配置为连接到第一电压焊盘，并且基于第一电压的电压电平产生检测信号以在第二电压焊盘和内部电路之间切换；和第二电压检测器，被配置为基于第二电压的电压电平产生标志信号以保护内部电路。
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公开(公告)号：CN103943149B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201410024917.5
申请日：2014-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/30
CPC classification number: G11C16/30 , G11C16/0483 , G11C16/12
Abstract: 外部电源控制方法包括：根据第一外部电压的下降确定是否向第一节点施加第二外部电压；当向第一节点施加第二外部电压时根据第二外部电压的下降来生成标志信号；响应于标志信号向第二节点传送第一节点的电压；以及响应于标志信号对连接至第二节点的内部电路的至少一个电压放电。
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公开(公告)号：CN103247341B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310182861.1
申请日：2005-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/16
CPC classification number: G11C16/16 , G11C16/344 , G11C16/3445 , G11C2216/18 , G11C2216/20
Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器件，包括：一组M个存储块；块译码器，每个块译码器与该组M个存储块之一对应，每个块译码器包括用于存储对应的块地址的寄存器；擦除控制器，被配置为控制同时擦除该组M个存储块中的一子组N个存储块的多块擦除操作，擦除控制器还被配置为在多块擦除操作之后，响应于外部提供的擦除校验命令并响应于N个外部提供的块地址之一，控制对于该子组N个存储块的每个的擦除校验操作，其中N大于1并小于或等于M（1
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公开(公告)号：CN103136068A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310047282.6
申请日：2004-04-05
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李真烨
CPC classification number: G06F11/1068 , G11C16/10 , G11C16/26
Abstract: 公开了一种在页复制操作过程中具有错误检测和校正功能的NAND闪存。该NAND闪存可以防止从源页转录错误位到一个复制页。本发明闪存的实施例包括一个用于校正存储在页缓冲器中源数据的位错误的校正电路，一个配置得适于提供源数据到校正电路以及提供校正数据到页缓冲器的电路，和一个配置得适于复制源数据到页缓冲器、并将校正数据从页缓冲器存储到另一个页的复制电路。
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公开(公告)号：CN101645307A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910160233.7
申请日：2009-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/3454
Abstract: 本发明提供了一种用于将快闪存储器设备编程的方法、设备和系统，该方法包括：执行位线设置操作；以及与该位线设置操作同时执行通道预充电操作，该通道预充电操作包括将通道预充电电压施加到所有字线；该设备包括：电压产生器，被布置用于提供编程电压、读取电压、通过电压、以及通道预充电电压中的每一个；高电压开关，其连接到电压产生器，并且被布置用于可切换地提供所述编程电压、读取电压、通过电压、或通道预充电电压之一；以及控制逻辑，其连接到高电压开关，并且被布置用于同时执行位线设置操作和通道预充电操作，所述通道预充电操作包括控制高电压开关以便将通道预充电电压施加到所述设备的被选中的字线和未被选中的字线二者。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101162610A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200710180164.7
申请日：2007-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/12 , G11C16/0483
Abstract: 提供一种用于生成编程电压的电路和方法以及使用该电路和方法的非易失性存储器件。生成用于编程半导体存储器件的存储单元的编程电压的电路包括编程电压控制器和电压生成单元。编程电压控制器根据编程/擦除操作信息生成编程电压控制信号。电压控制器响应于该编程电压控制信号，生成编程电压。
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公开(公告)号：CN1783345A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510118085.4
申请日：2005-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C29/789 , G11C16/20 , G11C2216/26
Abstract: 一种无熔丝电路可以包括NAND闪速存储单元和响应于存储在NAND闪速存储单元中的数据而导通或关断的开关。还包括可以在有耦接到开关的可调节电路的半导体器件中实现无熔丝电路。可调节电路可以被构造成响应于开关的导通或关断状态而模拟熔丝的No_Cut(未切断)或Cut(切断)操作操作。
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公开(公告)号：CN1697086A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510068919.5
申请日：2005-04-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/0483 , G11C16/30 , G11C16/3454
Abstract: 本发明公开了一种对控制信息比如标志、控制标志、标记、控制标记进行编程的方法和装置。该方法和装置可以在存储器阵列的第一区域中执行指定的单元类型的低速编程，确认在存储器阵列的第一区域中指定单元类型的低速编程的结果和在确认了低速编程的结果之后在存储器阵列的第二区域中执行指定单元类型的闪速编程，其中闪速编程的初始编程电压不同于低速编程的初始编程电压。第一和第二编程可以不相同，例如第一编程可以是低速操作，比如写数据，第二编程可以是闪速操作，比如写控制信息。第一和第二编程方法也可以不相同，例如第一编程方法可以是不允许重复编程的编程方法，而第二编程方法可以是允许重复编程的编程方法。
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公开(公告)号：CN1694184A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510067239.1
申请日：2005-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/16 , G11C16/344 , G11C16/3445 , G11C2216/18 , G11C2216/20
Abstract: 一种非易失性半导体存储器件包括存储块和擦除控制器，该擦除控制器被配置成控制其中同时擦除至少两个存储块的多块擦除操作。根据一些实施例，在选择并同时擦除所选择的存储块之后，根据外部提供的擦除校验命令和块地址执行对每个已擦除存储块的擦除校验操作。根据一些实施例，当正在擦除所选择的存储块时，如果存储器件收到暂时中止命令，则擦除操作中止，并开始诸如读取操作的另一操作。当存储器件收到恢复命令时，恢复擦除操作。对其它实施例进行了描述并提出了权利要求。
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公开(公告)号：CN103136068B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201310047282.6
申请日：2004-04-05
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李真烨
CPC classification number: G06F11/1068 , G11C16/10 , G11C16/26
Abstract: 公开了一种在页复制操作过程中具有错误检测和校正功能的NAND闪存。该NAND闪存可以防止从源页转录错误位到一个复制页。本发明闪存的实施例包括一个用于校正存储在页缓冲器中源数据的位错误的校正电路，一个配置得适于提供源数据到校正电路以及提供校正数据到页缓冲器的电路，和一个配置得适于复制源数据到页缓冲器、并将校正数据从页缓冲器存储到另一个页的复制电路。
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