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公开(公告)号：CN108281434B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN201810010650.2
申请日：2018-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/77
Abstract: 本发明提供一种图像传感器及其制造方法和CMOS图像传感器，所述图像传感器包括：衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；第一浮置扩散区，其设置在衬底中并且与第一表面相邻；穿通电极，其设置在衬底中并且电连接到第一浮置扩散区；顺序层叠在第二表面上的绝缘结构、底部电极、光电转换层和顶部电极；滤色器，其埋置在绝缘结构中；以及顶部接触插塞，其穿透绝缘结构以将底部电极连接到穿通电极。
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公开(公告)号：CN116266601A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202211645422.5
申请日：2022-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：衬底，具有彼此相对的第一表面和第二表面；光电二极管，在衬底中；电路和布线结构，在衬底的第一表面下方；绝缘结构，在衬底的第二表面上；多个滤色器，在绝缘结构上；以及网格结构，在绝缘结构上，其中，网格结构的至少一部分在相邻滤色器之间，其中，多个滤色器包括被配置为选择性地透射与不同颜色相关联的不同波长光谱的光的第一滤色器和第二滤色器，其中，绝缘结构包括具有各自不同的第一厚度和第二厚度的第一区域和第二区域以及在第一区域与第二区域之间的边界区域，该边界区域与第一滤色器竖直重叠，并从网格结构的竖直中心轴水平偏移。
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公开(公告)号：CN114551485A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111305868.9
申请日：2021-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 图像传感器，包括基底；设置在基底内部的光电转换区域；设置在基底内部以包括地区域、浮置扩散区域和用于连接地区域和浮置扩散区域的沟道区域的第一有源区域；设置在沟道区域内部的基底沟槽；设置在基底的表面上以包括填充基底沟槽的一部分并具有第一宽度的下栅极和在下栅极上的具有小于第一宽度的第二宽度的上栅极的传输栅极；以及设置在基底沟槽内部以介于地区域和上栅极之间的栅极间隔物。
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公开(公告)号：CN111029365A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201910959825.9
申请日：2019-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/30 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 图像传感器包括：第一有机光电转换层，其位于基底层上；浮置扩散区域，其位于基底层中；第一存储节点，其包括被构造为接收偏置信号的第一电极层、包括半导体材料的第一半导体层的第一部分和第一电介质层的第一部分。第一电介质层在第一电极层与第一半导体层之间延伸。第一存储节点电连接至第一有机光电转换层。图像传感器包括：第一转移晶体管，其包括第一电介质层、第一半导体层和被构造为接收第一转移控制信号的第一转移栅电极。第一转移晶体管具有电连接至第一存储节点的第一端和电连接至浮置扩散区域的第二端。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109786410A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811299648.8
申请日：2018-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14603 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L27/307
Abstract: 提供了一种图像感测装置。所述图像感测装置包括：光电器件，设置在半导体基底内；以及分离结构和电极结构，设置在半导体基底内，并围绕光电器件。分离结构包括第一导电图案和位于第一导电图案与半导体基底之间的第一绝缘分隔件。电极结构中的相应的一个包括第二导电图案和位于第二导电图案与半导体基底之间的第二绝缘分隔件。第一导电图案和第二导电图案由相同的导电材料形成。
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公开(公告)号：CN114551484A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111174311.6
申请日：2021-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。该图像传感器包括：第一芯片，包括像素区域、垫区域和置于像素区域与垫区域之间的光学黑色区域；以及第二芯片，与第一芯片的第一表面接触，并且包括用于驱动第一芯片的电路。第一芯片包括：第一基底，器件隔离部，设置在第一基底中，并且限定单元像素；层间绝缘层，置于第一基底与第二芯片之间；连接布线结构，设置在层间绝缘层中；以及连接接触插塞，设置在层间绝缘层中，并且在光学黑色区域中将连接布线结构连接到器件隔离部。图像传感器还包括设置在第一芯片或第二芯片中的导电垫。
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公开(公告)号：CN112018167A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010083771.7
申请日：2020-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/10 , H01L27/146 , H01L27/30
Abstract: 一种图像传感器以及制造图像传感器的方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一浮置扩散区；模制图案，所述模制图案位于所述第一浮置扩散区上方，并且包括开口；第一光电转换部，所述第一光电转换部位于所述半导体衬底的表面；以及第一传输晶体管，所述第一传输晶体管将所述第一光电转换部连接到所述第一浮置扩散区。所述第一传输晶体管包括第一传输栅电极和位于所述开口中的沟道图案。所述沟道图案包括氧化物半导体。所述沟道图案还包括侧壁部分和中心部分，所述侧壁部分覆盖所述开口的侧表面，所述中心部分从所述侧壁部分延伸到所述第一传输栅电极上方的区域。
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公开(公告)号：CN108281434A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810010650.2
申请日：2018-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14689 , H04N5/374 , H01L27/14601 , H01L21/77 , H01L27/14603 , H01L27/14625
Abstract: 本发明提供一种图像传感器及其制造方法和CMOS图像传感器，所述图像传感器包括：衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；第一浮置扩散区，其设置在衬底中并且与第一表面相邻；穿通电极，其设置在衬底中并且电连接到第一浮置扩散区；顺序层叠在第二表面上的绝缘结构、底部电极、光电转换层和顶部电极；滤色器，其埋置在绝缘结构中；以及顶部接触插塞，其穿透绝缘结构以将底部电极连接到穿通电极。
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