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公开(公告)号：CN110581148B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN201910492128.7
申请日：2019-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 张刚
IPC: H10F39/18
Abstract: 提供了一种图像传感器，该图像传感器包括：半导体衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；有机光电转换装置，其位于半导体衬底的第一表面上；穿通电极结构，其连接至有机光电转换装置；以及像素分离结构，其从半导体衬底的第一表面朝着第二表面延伸。半导体衬底可包括半导体衬底中的光电转换区。当在平面图中观看时，像素分离结构可包围光电转换区。像素分离结构可包括分离导电图案和第一侧壁电介质图案。第一侧壁电介质图案可从分离导电图案与半导体衬底之间连续地延伸至半导体衬底与穿通电极结构的侧壁之间。像素分离结构的一部分被穿通电极结构穿通。
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公开(公告)号：CN109728013B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201811215139.2
申请日：2018-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H10K39/32
Abstract: 公开了一种图像传感器，该图像传感器包括具有彼此相反的第一表面和第二表面的基板、在基板中的第一光电转换区和第二光电转换区、在第一光电转换区与第二光电转换区之间的贯通电极、在基板的第二表面上的绝缘结构、分别提供在第一光电转换区和第二光电转换区上的第一滤色器和第二滤色器、以及在绝缘结构上并电连接到贯通电极的光电转换层。贯通电极包括与第一表面相邻的第一端部和与第二表面相邻的第二端部。第一端部具有非平面形状。
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公开(公告)号：CN110364535A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910202344.3
申请日：2019-03-18
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 张刚
IPC: H01L27/11556
Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：外围电路区，位于第一基底上，并且包括至少一个电路器件；存储器单元区，位于第一基底上的第二基底上，并且包括存储器单元；以及通过布线区，包括穿过存储器单元并且位于第二基底上的导电区，以及穿过导电区和第二基底并且被构造成使存储器单元区电连接到所述至少一个电路器件的通过接触插塞。
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公开(公告)号：CN111081726A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910988523.4
申请日：2019-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明构思提供一种基于结构光(SL)的三维(3D)图像传感器，具有其中布线层的制造工艺的难度降低和/或电容器的底部焊盘的区域增加的结构。所述3D图像传感器包括：包括半导体衬底中的光电二极管和栅极组的像素区域，栅极组包括多个栅极；在像素区域的上部上的多重布线层，多重布线层包括至少两个布线层；以及位于作为多重布线层中的最低布线层的第一布线层和在第一布线层上的第二布线层之间的电容器结构，电容器结构包括底部焊盘、顶部焊盘和多个电容器，其中，底部焊盘连接至第一布线层。
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公开(公告)号：CN109786410A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811299648.8
申请日：2018-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14603 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L27/307
Abstract: 提供了一种图像感测装置。所述图像感测装置包括：光电器件，设置在半导体基底内；以及分离结构和电极结构，设置在半导体基底内，并围绕光电器件。分离结构包括第一导电图案和位于第一导电图案与半导体基底之间的第一绝缘分隔件。电极结构中的相应的一个包括第二导电图案和位于第二导电图案与半导体基底之间的第二绝缘分隔件。第一导电图案和第二导电图案由相同的导电材料形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109390272B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201810744466.0
申请日：2018-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 本申请提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：外围电路区，其设置在第一衬底上并且包括电路器件和接触插塞，接触插塞沿竖直方向在所述第一衬底上延伸；存储器单元区，其设置在第二衬底上并且包括存储器单元，所述第二衬底设置在所述第一衬底之上；以及穿通绝缘区，其穿透接触插塞上的第二衬底并覆盖接触插塞的上表面。
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公开(公告)号：CN110581148A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910492128.7
申请日：2019-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 张刚
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，该图像传感器包括：半导体衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；有机光电转换装置，其位于半导体衬底的第一表面上；穿通电极结构，其连接至有机光电转换装置；以及像素分离结构，其从半导体衬底的第一表面朝着第二表面延伸。半导体衬底可包括半导体衬底中的光电转换区。当在平面图中观看时，像素分离结构可包围光电转换区。像素分离结构可包括分离导电图案和第一侧壁电介质图案。第一侧壁电介质图案可从分离导电图案与半导体衬底之间连续地延伸至半导体衬底与穿通电极结构的侧壁之间。像素分离结构的一部分被穿通电极结构穿通。
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公开(公告)号：CN110197833A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201811507784.1
申请日：2018-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 张刚
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，其包括：衬底，所述衬底包括第一表面和面对第一表面的光入射第二表面；第一半导体光电转换元件，在衬底内部；有机光电转换元件，位于衬底的第二表面上；第一浮置扩散区域，位于衬底的第一表面上；第一转移晶体管，第一转移晶体管的第一端连接到第一半导体光电转换元件，第一转移晶体管的第二端连接到第一浮置扩散区域；以及第二转移晶体管，第二转移晶体管的第一端具有连接到有机光电转换元件，第二转移晶体管的第二端连接到第一浮置扩散区域。第一半导体光电转换元件、第一浮置扩散区域以及第一转移晶体管和第二转移晶体管可位于衬底的第一像素区域中。
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公开(公告)号：CN109728013A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811215139.2
申请日：2018-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/30
Abstract: 公开了一种图像传感器，该图像传感器包括具有彼此相反的第一表面和第二表面的基板、在基板中的第一光电转换区和第二光电转换区、在第一光电转换区与第二光电转换区之间的贯通电极、在基板的第二表面上的绝缘结构、分别提供在第一光电转换区和第二光电转换区上的第一滤色器和第二滤色器、以及在绝缘结构上并电连接到贯通电极的光电转换层。贯通电极包括与第一表面相邻的第一端部和与第二表面相邻的第二端部。第一端部具有非平面形状。
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公开(公告)号：CN109390272A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810744466.0
申请日：2018-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L23/53271 , H01L27/11524 , H01L27/11536 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L21/76897
Abstract: 本申请提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：外围电路区，其设置在第一衬底上并且包括电路器件和接触插塞，接触插塞沿竖直方向在所述第一衬底上延伸；存储器单元区，其设置在第二衬底上并且包括存储器单元，所述第二衬底设置在所述第一衬底之上；以及穿通绝缘区，其穿透接触插塞上的第二衬底并覆盖接触插塞的上表面。
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