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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1447227A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03125037.8
申请日：2003-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F9/4403 , G06F9/4406 , G06F9/44573
Abstract: 提供用于使用NAND闪速存储引导计算设备的系统和方法。将存储在NAND闪速存储器中的引导程序代码传送到RAM用于CPU执行。将存储在NAND闪速存储器中的操作系统程序传送给系统存储器用于在系统引导后由CPU执行。
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公开(公告)号：CN110009083A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811235671.0
申请日：2018-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06K19/077 , H01R13/02 , H01R12/71
Abstract: 本公开时涉及一种存储卡和一种电子设备。所述存储卡包括基板、第一行端子和第二行端子。基板具有在第一方向上延伸的第一对侧边缘和在垂直于第一方向的第二方向上延伸的第二对侧边缘。第一行端子布置为邻近基板的插入侧边缘，第一行端子包括第一电源端子，插入侧边缘是第一对侧边缘中的一个。第二行端子布置为比第一行端子远离插入侧边缘，第二行端子包括第二电源端子。第一行端子和第二行端子中的至少一个端子包括在所述至少一个端子的暴露表面中的凹陷区。
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公开(公告)号：CN103247341B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310182861.1
申请日：2005-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/16
CPC classification number: G11C16/16 , G11C16/344 , G11C16/3445 , G11C2216/18 , G11C2216/20
Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器件，包括：一组M个存储块；块译码器，每个块译码器与该组M个存储块之一对应，每个块译码器包括用于存储对应的块地址的寄存器；擦除控制器，被配置为控制同时擦除该组M个存储块中的一子组N个存储块的多块擦除操作，擦除控制器还被配置为在多块擦除操作之后，响应于外部提供的擦除校验命令并响应于N个外部提供的块地址之一，控制对于该子组N个存储块的每个的擦除校验操作，其中N大于1并小于或等于M（1
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公开(公告)号：CN1694184A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510067239.1
申请日：2005-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/16 , G11C16/344 , G11C16/3445 , G11C2216/18 , G11C2216/20
Abstract: 一种非易失性半导体存储器件包括存储块和擦除控制器，该擦除控制器被配置成控制其中同时擦除至少两个存储块的多块擦除操作。根据一些实施例，在选择并同时擦除所选择的存储块之后，根据外部提供的擦除校验命令和块地址执行对每个已擦除存储块的擦除校验操作。根据一些实施例，当正在擦除所选择的存储块时，如果存储器件收到暂时中止命令，则擦除操作中止，并开始诸如读取操作的另一操作。当存储器件收到恢复命令时，恢复擦除操作。对其它实施例进行了描述并提出了权利要求。
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