公开(公告)号：CN104979476A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510013024.5

申请日：2015-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林东晳 ,  李光熙 ,  李启滉 ,  陈勇完

IPC: H01L51/44 ,  H01L51/46

CPC classification number: H01L51/447 ,  C07F5/02 ,  C07F5/022 ,  C09B47/00 ,  C09B47/04 ,  H01L27/307 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/008 ,  H01L51/4246 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/5004 ,  H01L51/5012 ,  H01L2251/552

Abstract: 本发明涉及有机光电子器件和图像传感器。有机光电子器件包括彼此面对的阳极和阴极、以及在所述阳极和阴极之间的有机层，所述有机层包括作为可见光吸收体的由化学式1表示的化合物、以及空穴缓冲材料和电子缓冲材料的至少一种，所述空穴缓冲材料具有大于或等于约2.8eV的能带隙以及在所述阳极的功函和由化学式1表示的化合物的HOMO能级之间的HOMO能级，所述电子缓冲材料具有大于或等于约2.8eV的能带隙以及在所述阴极的功函和由化学式1表示的化合物的LUMO能级之间的LUMO能级，化学式1中的基团R1至R12和X定义在说明书中。

公开(公告)号：CN103000810A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210103761.0

申请日：2012-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴敬培 ,  金奎植 ,  陈勇完 ,  李光熙 ,  林东晳 ,  林宣晶

IPC: H01L51/42

CPC classification number: H01L51/4253 ,  H01L51/426 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明提供了光电二极管。根据示例实施例的光电二极管包括阳极、阴极以及在阳极与阴极之间的本征层。本征层包括P型半导体和N型半导体，在本征层内，P型半导体的重量组成比和N型半导体的重量组成比根据本征层到阳极和阴极之一的距离而改变。