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公开(公告)号：CN119946402A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411538990.4
申请日：2024-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了用于图像采集的方法和装置。所述用于图像采集的方法包括：通过在连续拍摄期间执行快门关闭，来经由传感器获取包括与快门关闭对应的快门关闭帧的图像帧；获取与目标图像帧对应的测量信号；基于与目标图像帧对应的目标快门关闭帧，从与快门关闭时段帧对应的测量信号去除与目标快门关闭帧对应的第一剩余信号，快门关闭时段帧包括目标图像帧与目标快门关闭帧之间的图像帧；以及基于被去除第一剩余信号的快门关闭时段帧中的一个或多个来生成被去除第二剩余信号的目标图像帧。
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公开(公告)号：CN118076181A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202311558071.9
申请日：2023-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K65/00 , H10K39/34 , H10K59/35 , H10K59/12 , H10K30/60 , H10K30/20 , H10K30/80 , H10K30/81 , H10K30/85 , G06V40/40 , H10K101/40
Abstract: 公开传感器嵌入式显示面板和电子设备。所述传感器嵌入式显示面板包括光发射元件和传感器，所述光发射元件和传感器包括包含空穴传输材料的第一公共辅助层和包含电子传输材料的第二公共辅助层的单独的部分。所述传感器包括第一和第二半导体层，所述第一和第二半导体层分别接近于所述第一和第二公共辅助层，并且分别包括p‑型半导体和具有比所述电子传输材料的LUMO能级深的LUMO能级的非富勒烯n‑型半导体。在所述第二半导体层和所述第二公共辅助层之间的插入层包括金属、金属化合物、或其任意组合。所述金属的功函或所述金属化合物的LUMO能级分别比所述非富勒烯n‑型半导体的LUMO能级和所述电子传输材料的LUMO能级的每一个深了或浅了在小于约1.3eV的范围内的值。
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公开(公告)号：CN110349992B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201811086256.3
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K39/32 , H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器、制造其的方法和包括其的成像装置。图像传感器可以包括：多个光检测元件，布置为与多个像素区域对应；滤色器层，在所述多个光检测元件上并且包括布置为与所述多个光检测元件对应的多个滤色器；以及光电二极管器件部分，在滤色器层上。光电二极管器件部分可以具有弯曲结构。光电二极管器件部分可以包括基于有机材料的光电二极管层、在光电二极管层与滤色器层之间的第一电极、以及在光电二极管层上的第二电极。光电二极管器件部分可以具有分别对应于所述多个滤色器的弯曲凸起结构。
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公开(公告)号：CN110581146B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201910438204.6
申请日：2019-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器可以包括：有机光电检测器，配置为选择性地检测近红外波长光谱的光并光电转换检测到的近红外波长光谱的光；以及在有机光电检测器上的光电检测器阵列，光电检测器阵列包括光电检测器，该光电检测器被配置为检测有限波长光谱的可见光并光电转换所述有限波长光谱的可见光。图像传感器可以将由有机光电检测器光电转换的电荷排放到第一浮置扩散节点，并且图像传感器可以将由光电检测器光电转换的电荷排放到第二浮置扩散节点。第一浮置扩散节点的面积可以大于第二浮置扩散节点的面积。
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公开(公告)号：CN115483254A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210608250.8
申请日：2022-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了传感器嵌入式显示面板、图像传感器和显示装置。该传感器嵌入式显示面板包括基板、在基板上并包括发射层的发光元件、以及在基板上的光电元件。光电元件包括光吸收层。光吸收层在平行于基板的上表面延伸的水平方向上至少部分地与发射层重叠。发光元件和光电元件各自包括：第一公共辅助层的单独部分，第一公共辅助层在发射层的顶部和光吸收层的顶部延伸；以及第二公共辅助层的单独部分，第二公共辅助层在发射层的底部和光吸收层的底部延伸。光电元件进一步包括辅助层，该辅助层具有与红色波长光谱、绿色波长光谱和蓝色波长光谱之一对应的厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114716457A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210014471.2
申请日：2022-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D517/16 , C07D517/20 , C07D517/22 , C07F7/08 , H01L51/46 , H01L27/30
Abstract: 提供用于光电器件的组合物、以及包括其的光电器件、图像传感器和电子设备，所述用于光电器件的组合物包括n型半导体化合物和由化学式1表示的p型半导体化合物，在化学式1中，各基团与详述的说明书中定义的相同。[化学式1]
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公开(公告)号：CN113644196A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110504080.4
申请日：2021-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及传感器、操作其的方法、照相机和电子设备。传感器包括第一电极和第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的光活性层。光活性层包括被配置为与第一电极形成肖特基结的光吸收半导体。光活性层具有载流子捕获位点，所述载流子捕获位点被配置为俘获基于吸收至少在邻近第一电极的位置处进入光活性层的入射光的光吸收半导体产生的光生载流子。传感器被配置为具有基于在第一电极和第二电极之间施加的电压偏压调节的外量子效率(EQE)。
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公开(公告)号：CN105622573B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201510828964.X
申请日：2015-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D345/00 , C07D421/06 , C07D421/12 , C07D333/46 , C07F7/10 , H01L51/46
Abstract: 提供用于有机光电器件的化合物、以及包括其的有机光电器件、图像传感器和电子器件，所述用于有机光电器件的化合物由化学式1表示。在化学式1中，各取代基与具体实施方式中定义的相同：[化学式1]
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公开(公告)号：CN112786791A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202011221292.3
申请日：2020-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了光电转换器件以及传感器和电子设备，所述光电转换器件包括：第一电极和第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层，所述光电转换层包括p型半导体和n型半导体；以及在所述第一电极和所述光电转换层之间的有机缓冲层，所述有机缓冲层包括有机缓冲材料，其中所述有机缓冲材料的LUMO能级和所述n型半导体的LUMO能级之间的差大于或等于约1.2eV，并且所述有机缓冲材料包括至少三个咔唑部分。所述传感器和电子设备包括所述光电转换器件。
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公开(公告)号：CN105712993B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201510958624.9
申请日：2015-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供用于有机光电器件的化合物以及包括其的有机光电器件、图像传感器和电子器件。所述化合物由化学式1表示，所述有机光电器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括由化学式1表示的化合物的活性层，并且所述图像传感器和所述电子器件包括所述有机光电器件。在化学式1中，A、R1‑R4、m、n和Ra如说明书中所定义。
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