公开(公告)号：CN112242404A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202010359712.8

申请日：2020-04-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴承河 ,  姜泌圭 ,  金国桓 ,  金元洪 ,  佐佐木雄一朗 ,  李相遇 ,  林圣根 ,  河龙湖 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L25/18

Abstract: 一种三维半导体器件包括：下衬底；设置在下衬底上的多个下晶体管；设置在下晶体管上的上衬底；设置在下晶体管与上衬底之间的多个下导电线路；以及设置在上衬底上的多个上晶体管。至少一个下晶体管连接到相应的下导电线路。每一个上晶体管包括：设置在上衬底上的上栅电极；在上栅电极的第一侧设置在上衬底中的第一上源/漏极图案；以及在上栅电极的相对的第二侧设置在上衬底中的第二上源/漏极图案。上栅电极包括硅锗(SiGe)。

公开(公告)号：CN100565885C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200580047811.6

申请日：2005-09-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  汉阳大学校产学协力团

Inventor： 金太焕 ,  金暎镐 ,  金宰浩 ,  郑载勋 ,  尹荣培 ,  林圣根

IPC: H01L27/115

CPC classification number: G11C13/0016 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  H01L45/10 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/14 ,  H01L45/1608

Abstract: 本发明涉及一种非易失性存储器件及其制造方法，该器件使用嵌入到没有源极和漏极区域的聚合物薄膜中的多层自组装Ni1-xFex纳米晶体阵列。根据本发明可以比现有方法更简单地制造纳米晶体。更具体地，可以控制纳米晶体的尺寸和密度，而不需要晶体的结块，因为具有一致分布的晶体被聚合物层包围。此外，本发明提供了非易失性双稳态存储器件，具有比现有的具有纳米浮栅的闪存存储器件更高效率和更低成本的化学的和电的稳定性。另外，在本发明的器件中，源极和漏极区不是必需的，这可以减少生产时间和成本。

公开(公告)号：CN101133494A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200580047811.6

申请日：2005-09-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  汉阳大学校产学协力团

Inventor： 金太焕 ,  金暎镐 ,  金宰浩 ,  郑载勋 ,  尹荣培 ,  林圣根

IPC: H01L27/115

CPC classification number: G11C13/0016 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  H01L45/10 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/14 ,  H01L45/1608

Abstract: 本发明涉及一种非易失性存储器件及其制造方法，该器件使用嵌入到没有源极和漏极区域的聚合物薄膜中的多层自组装Ni1－xFex纳米晶体阵列。根据本发明可以比现有方法更简单地制造纳米晶体。更具体地，可以控制纳米晶体的尺寸和密度，而不需要晶体的结块，因为具有一致分布的晶体被聚合物层包围。此外，本发明提供了非易失性双稳态存储器件，具有比现有的具有纳米浮栅的闪存存储器件更高效率和更低成本的化学的和电的稳定性。另外，在本发明的器件中，源极和漏极区不是必需的，这可以减少生产时间和成本。

公开(公告)号：CN120050996A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202411105441.8

申请日：2024-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林圣根 ,  金东宇 ,  金孝珍 ,  朴判贵 ,  曹荣大

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/03

Abstract: 一种集成电路器件包括：衬底，提供有设置在衬底的第一表面处的鳍型有源区；多个纳米片，设置在鳍型有源区的顶表面上并与鳍型有源区的顶表面分离；设置在鳍型有源区上的栅极线，栅极线围绕所述多个纳米片中的每个；设置在鳍型有源区上的源极/漏极区，源极/漏极区的侧壁与栅极线相邻并与所述多个纳米片接触；背面接触，从衬底的第二表面朝向源极/漏极区的下部延伸；以及高浓度掺杂层，设置在源极/漏极区的下部。高浓度掺杂层具有比源极/漏极区的掺杂剂浓度大的掺杂剂浓度。

公开(公告)号：CN117238919A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202310568902.4

申请日：2023-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵真英 ,  边晓训 ,  李南玹 ,  林圣根 ,  曺裕英

IPC: H01L27/092

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一晶体管结构，在基底上，第一晶体管结构包括彼此间隔开的第一沟道层、围绕第一沟道层的第一栅电极、在第一栅电极的第一侧连接到第一沟道层的第一源极/漏极区以及在第一栅电极的与第一栅电极的第一侧相对的第二侧连接到第一沟道层的第二源极/漏极区；以及第二晶体管结构，在第一晶体管结构上，第二晶体管结构包括彼此间隔开的第二沟道层、围绕第二沟道层的第二栅电极、在第二栅电极的第一侧连接到第二沟道层的第三源极/漏极区以及在第二栅电极的与第二栅电极的第一侧相对的第二侧连接到第二沟道层的第四源极/漏极区。

公开(公告)号：CN1969386B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200580010346.9

申请日：2005-01-18

Applicant: 汉阳大学校产学协力团 ,  三星电子株式会社

Inventor： 金太焕 ,  金暎镐 ,  尹钟昇 ,  金宰浩 ,  郑载勋 ,  林圣根 ,  宋文燮

IPC: H01L27/115

Abstract: 本发明涉及一种带有纳米级浮栅的闪存装置及其制造方法，具体涉及一种带有采用嵌入聚合物膜中的自组装的纳米结晶体的效率高并且成本低的纳米级浮栅的闪存装置。本发明提供的制造用于闪存装置的纳米结晶体的方法较传统方法更为简单容易。由于结晶体作为聚合物层均匀散布，而不凝聚，所以可以控制结晶粒子的尺寸和密度。此外，本发明通过利用电学特性和化学特性都比传统浮栅更加稳定的纳米级浮栅，提供了带有效率高并且成本低的纳米级浮栅的存储装置及其制造方法。