公开(公告)号：CN118630016A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410227849.6

申请日：2024-02-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴金锡 ,  梁明 ,  徐康一

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了三维场效应晶体管(3DSFET)器件及其制造方法，所述3DSFET器件包括：第一源极/漏极区域；以及第二源极/漏极区域，堆叠在第一源极/漏极区域上，其中，第一源极/漏极区域在沟道宽度方向视图中彼此相对的第一上角部分和第二上角部分之中的第二上角部分处具有突起。

公开(公告)号：CN118538731A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410184107.X

申请日：2024-02-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑明勋 ,  朴判济 ,  白在职 ,  尹承灿 ,  梁明 ,  徐康一

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了3D堆叠的场效应晶体管(3DSFET)器件、半导体器件及其制造方法，该3DSFET器件包括：第一源极/漏极区；第二源极/漏极区，在第一源极/漏极区上方，具有比第一源极/漏极区小的宽度，第二源极/漏极区通过第一隔离结构与第一源极/漏极区隔离；在第一源极/漏极区上的第一接触插塞；在第二源极/漏极区上的第二接触插塞；以及第二隔离结构，在第一接触插塞与第二接触插塞之间，将第二接触插塞与第一接触插塞隔离，其中第二隔离结构与第一隔离结构不同且分离。

公开(公告)号：CN110739304A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201910182956.0

申请日：2019-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪瑟气 ,  全辉璨 ,  金贤洙 ,  安大哲 ,  梁明

IPC: H01L27/07 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；有源栅极结构，位于第一区域中的基底上；虚设栅极结构，位于第二区域中的基底上；源极/漏极，在有源栅极结构的相对侧中的每个处位于第一区域中的基底上；多个第一导电接触件，分别连接到有源栅极结构和源极/漏极；电阻结构，位于第二区域中的虚设栅极结构上；多个第二导电接触件，分别连接到所述多个第一导电接触件和电阻结构；蚀刻停止层，位于虚设栅极结构与电阻结构之间。蚀刻停止层包括由不同的材料形成的下蚀刻停止层和上蚀刻停止层。