公开(公告)号：CN118866851A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410468516.2

申请日：2024-04-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹承灿 ,  洪元赫 ,  朴判济 ,  徐康一

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了集成电路装置及其形成方法。所述集成电路装置可以包括：晶体管，包括基底上的源极/漏极区域；背侧电源轨，与源极/漏极区域间隔开；以及电源接触件，在源极/漏极区域与背侧电源轨之间，并且将源极/漏极区域电连接到背侧电源轨。基底可以在源极/漏极区域与背侧电源轨之间，并且源极/漏极区域的宽度方向上的中心线相对于电源接触件的宽度方向上的中心线成角度。

公开(公告)号：CN117747539A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311210836.X

申请日：2023-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟振 ,  金泰善 ,  洪元赫 ,  尹承灿 ,  徐康一

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/82 ,  H01L27/02

Abstract: 提供了集成电路器件和形成其的方法。该方法可以包括：提供衬底结构，衬底结构包括衬底、底部绝缘体、以及在衬底和底部绝缘体之间的半导体区，半导体区在第一方向上延伸；在底部绝缘体上形成第一初步晶体管结构和第二初步晶体管结构，其中底部绝缘体可以包括第一部分和第二部分以及在第一部分和第二部分之间的第三部分，第一初步晶体管结构和第二初步晶体管结构分别与第一部分和第二部分重叠；用底部半导体层替换底部绝缘体的第三部分；在第一初步晶体管结构和第二初步晶体管结构之间形成源极/漏极区；用背面绝缘体替换衬底和半导体区；在背面绝缘体中形成电源接触，其中源极/漏极区可以与电源接触重叠；以及形成电源轨。

公开(公告)号：CN116960164A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310449600.5

申请日：2023-04-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹承灿 ,  白在职 ,  曹健浩 ,  洪炳鹤 ,  徐康一

IPC: H01L29/49 ,  H01L27/092

Abstract: 提供了一种多堆叠半导体器件，其包括：衬底；下场效应晶体管，其中下沟道结构被包括下功函数金属层和下栅电极的下栅极结构围绕；以及上场效应晶体管，其中上沟道结构被包括上功函数金属层和上栅电极的上栅极结构围绕，其中下栅电极和上栅电极中的每个包括金属或金属化合物，以及其中下栅电极包括多晶硅(poly‑Si)或包含掺杂剂的多晶硅，上栅电极包括金属或金属化合物。

公开(公告)号：CN116093081A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211324392.8

申请日：2022-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪炳鹤 ,  黄寅灿 ,  尹承灿 ,  朴孝恩 ,  徐康一

IPC: H01L23/64 ,  H10N97/00

Abstract: 提供了集成电路器件的电阻器结构及其形成方法。电阻器结构可以包括：基板；上半导体层，可在垂直方向上与基板间隔开；下半导体层，可在基板和上半导体层之间；以及第一电阻器接触和第二电阻器接触，可在水平方向上彼此间隔开。上半导体层、下半导体层和基板的一部分中的至少一个可以接触第一电阻器接触和第二电阻器接触。

公开(公告)号：CN113013161A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011451732.4

申请日：2020-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹承灿 ,  韩东焕

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：基板，包括第一区域和第二区域；第一晶体管，在第一区域上，并包括从第一区域突出的第一半导体图案、覆盖第一半导体图案的上表面和侧壁的第一栅极结构、在第一栅极结构的相反侧且在第一半导体图案上的第一源极/漏极层，第一源极/漏极层的上表面比第一栅极结构的最上表面更靠近基板；以及第二晶体管，在第二区域上并包括从第二区域突出的第二半导体图案、覆盖第二半导体图案的侧壁的第二栅极结构、在第二半导体图案下面的第二源极/漏极层以及在第二半导体图案上的第三源极/漏极层，其中第一区域的上表面低于第二区域的上表面。

公开(公告)号：CN119028975A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410645319.3

申请日：2024-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹承灿 ,  J·马蒂诺 ,  徐康一

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一源极/漏极区；第二源极/漏极区；沟道结构，将第一源极/漏极区连接到第二源极/漏极区；栅极结构，配置为控制沟道结构；背侧源极/漏极接触结构，连接到第一源极/漏极区的底表面；背侧隔离结构，在半导体器件的下部分处；以及在背侧源极/漏极接触结构上的第一接触间隔物，其中第一接触间隔物被配置为将背侧源极/漏极接触结构与背侧隔离结构中的另一电路元件隔离。

公开(公告)号：CN118053875A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311511787.3

申请日：2023-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁明 ,  郑明勋 ,  宋胜旼 ,  尹承灿 ,  朴世廷 ,  徐康一

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了一种三维堆叠场效应晶体管(3DSFET)器件和制造其的方法。该3DSFET器件包括：在衬底上的第一源极/漏极区和在第一源极/漏极区上的第二源极/漏极区；以及在第一源极/漏极区上的第一源极/漏极接触结构和在第二源极/漏极区上的第二源极/漏极接触结构，其中第二源极/漏极区通过中间层结构与第一源极/漏极区隔离，以及其中间隔物在第一源极/漏极接触结构和第二源极/漏极接触结构之间形成在第二源极/漏极接触结构的侧壁的上部处。

公开(公告)号：CN117637742A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311080723.2

申请日：2023-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载泓 ,  尹承灿 ,  朴修永 ,  徐康一

IPC: H01L27/07 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/8234 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 提供了一种场效应晶体管结构，包括：衬底，其中包括至少一个第一掺杂区、在第一掺杂区的一侧的第二掺杂区以及在第一掺杂区的另一侧的第三掺杂区；第一沟道结构，其中包括在衬底中的第二掺杂区上的第四掺杂区；以及第二沟道结构，在第一沟道结构的一侧，其中包括在衬底中的第三掺杂区上的第五掺杂区，其中第四掺杂区、第二掺杂区、第一掺杂区、第三掺杂区和第五掺杂区形成顺序连接的无源器件。

公开(公告)号：CN117594596A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311047484.0

申请日：2023-08-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹承灿 ,  洪元赫 ,  金恩松 ,  白在职 ,  徐康一

IPC: H01L27/085 ,  H01L27/088 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84

Abstract: 提供了集成电路器件及其形成方法。该集成电路器件可以包括：晶体管，该晶体管包括沟道区和接触沟道区的源极/漏极区；电源轨，该电源轨被配置为电连接到电源并且在第一方向上与源极/漏极区间隔开；以及电源接触，该电源接触在源极/漏极区和电源轨之间并且接触源极/漏极区和电源轨两者。沟道区可以在第一方向上与电源接触重叠。

公开(公告)号：CN116666373A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310154810.1

申请日：2023-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪炳鹤 ,  孙吉焕 ,  黄寅灿 ,  任廷爀 ,  徐康一 ,  朴世韩 ,  李昇映 ,  咸富铉 ,  李长根 ,  郑明勋 ,  尹承灿

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/528 ,  H01L23/485 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开提供了集成电路器件及其形成方法。集成电路器件可以包括晶体管、无源器件、在晶体管和无源器件之间延伸的基板、以及电源轨。无源器件可以与基板间隔开。无源器件和电源轨中的每个可以具有面对基板的第一表面，并且无源器件的第一表面比电源轨的第一表面更靠近基板。