公开(公告)号：CN117012723A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310049527.2

申请日：2023-02-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任忠彬 ,  金圣凡 ,  朴智镛 ,  朴镇右 ,  沈钟辅

IPC: H01L23/04 ,  H01L23/10 ,  H01L23/14 ,  H01L23/16 ,  H01L23/48 ,  H01L23/06 ,  H01L23/498

Abstract: 提供了一种半导体封装件，其包括：支撑布线结构；半导体芯片，位于所述支撑布线结构上；覆盖布线结构，位于所述半导体芯片上；以及填充构件，填充在所述支撑布线结构与所述覆盖布线结构之间，其中，所述覆盖布线结构包括：腔，所述腔从所述覆盖布线结构的下表面延伸到所述覆盖布线结构中并且所述半导体芯片的上部位于所述腔中；以及第一槽和第二槽，在第一水平方向上分别具有第一宽度和第二宽度，所述第一槽和所述第二槽与所述腔连通并且分别延伸到所述覆盖布线结构的在与所述第一水平方向正交的第二水平方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面。

公开(公告)号：CN114639666A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202111118348.7

申请日：2021-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任忠彬 ,  金东旭 ,  金贤基 ,  沈钟辅 ,  金知晃 ,  朴性奎 ,  李镕官 ,  张炳旭

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 可以提供一种半导体封装，包括：第一封装基板；位于第一封装基板上的第一半导体芯片；位于第一封装基板上且与第一半导体芯片横向间隔开的第一导电连接器；位于第一半导体芯片上且通过第一导电连接器电连接至第一封装基板的中介层基板，该中介层基板包括与第一半导体芯片重叠的第一部分和位于第一部分中的多个上导电焊盘；位于中介层基板的第一部分的下表面上且定位成在平面图中不与多个上导电焊盘重叠的多个间隔物；以及位于中介层基板和第一封装基板之间的绝缘填充物。

公开(公告)号：CN114613756A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202111051857.2

申请日：2021-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李姃炫 ,  金知晃 ,  沈钟辅

IPC: H01L25/065 ,  H01L21/50 ,  H01L23/31

Abstract: 提供了一种具有堆叠封装(PoP)结构的半导体器件和一种制造该半导体器件的方法，其中，实现了封装基板之间的精细节距，减小了封装件的总高度，并且提高了可靠性。该半导体器件包括：第一封装基板，包括第一主体层和第一钝化层；第一半导体芯片，位于第一封装基板上；第二封装基板，位于第一封装基板上，第二封装基板包括第二主体层和第二钝化层；第一连接构件，在第一半导体芯片的外部位于第一封装基板上；以及间隙填充物，填充在第一封装基板与第二封装基板之间，其中，第一封装基板包括第一沟槽，第二封装基板包括第二沟槽，并且第一半导体芯片设置在第一沟槽与第二沟槽之间。

公开(公告)号：CN112397463A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010489044.0

申请日：2020-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金知晃 ,  姜廷旻 ,  金炫圭 ,  沈钟辅 ,  崔敬世

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L25/07

Abstract: 提供了一种半导体封装件，该半导体封装件包括封装件衬底。封装件衬底包括衬底图案和至少部分地包围衬底图案的衬底绝缘层。封装件衬底具有凹槽。外部连接端子布置在封装件衬底下方。嵌入式半导体器件布置在封装件衬底的凹槽内。嵌入式半导体器件包括第一衬底。第一有源层布置在第一衬底上。第一芯片焊盘布置在第一有源层上。埋置绝缘层布置在封装件衬底的凹槽内，并且埋置绝缘层至少部分地包围嵌入式半导体器件的侧表面的至少一部分。安装式半导体器件布置在封装件衬底上，并且连接至封装件衬底和嵌入式半导体器件。

公开(公告)号：CN112331645A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN202010756040.4

申请日：2020-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李章雨 ,  沈钟辅 ,  金知晃 ,  孔永哲 ,  金永培 ,  金泰焕 ,  马亨乐

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367

Abstract: 一种半导体封装装置，可以包括第一封装衬底、位于第一封装衬底上的第一半导体芯片、位于第一半导体芯片上的插件、位于插件上的翘曲防止构件、位于插件和第一封装衬底上的模制构件以及位于模制构件上的第二封装衬底。模制构件的顶表面的至少一部分可以与第二封装衬底的底表面间隔开。

公开(公告)号：CN107689359A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710397399.5

申请日：2017-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金知晃 ,  沈钟辅 ,  赵汊济 ,  李元一

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/495 ,  H01L21/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/09 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L21/4821 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49805 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16157 ,  H01L2224/16188 ,  H01L2224/81

Abstract: 本发明提供了一种半导体封装件，其包括衬底、再布线层、多个半导体芯片堆叠结构以及第二半导体芯片。再布线层设置在衬底的上表面上。再布线层包括凹陷部。半导体芯片堆叠结构包括多个第一半导体芯片。第一半导体芯片设置在再布线层上。第一半导体芯片在水平方向上彼此隔开。第二半导体芯片设置在凹陷部中。第二半导体芯片构造为使多个半导体芯片堆叠结构中的每一个彼此电连接。

公开(公告)号：CN109585471B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201811107072.0

申请日：2018-09-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈钟辅 ,  赵汊济 ,  韩相旭

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明构思涉及一种半导体封装和图像传感器。一种半导体封装包括：封装基板；设置在封装基板上的图像传感器；以及接合层，其设置在封装基板与图像传感器之间并包括第一区域和第二区域，第二区域具有比第一区域的弹性模量低的弹性模量，并设置在第一区域的周边。

公开(公告)号：CN114582851A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202111053547.4

申请日：2021-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东暤 ,  金知晃 ,  朴桓必 ,  沈钟辅

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367

Abstract: 提供了一种半导体封装，包括：下封装，所述下封装包括下基板和下半导体芯片；中介层基板，在所述下封装上并且具有穿透所述中介层基板的多个孔；热辐射结构，所述热辐射结构包括所述中介层基板的顶表面上的支撑部和所述中介层基板的孔中的多个突出部；以及导热层，在所述下半导体芯片和所述热辐射结构的突出部之间。

公开(公告)号：CN114551420A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111307675.7

申请日：2021-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东暤 ,  金知晃 ,  朴桓必 ,  沈钟辅

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/552 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括：第一基板，所述第一基板包括第一绝缘层、位于所述第一绝缘层中的接地图案以及第一导电图案；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片布设在所述第一基板的上表面上；球阵列结构，所述球阵列结构沿着所述第一半导体芯片的周边布设在所述第一基板的所述上表面上，并且电连接到所述接地图案；和屏蔽结构，所述屏蔽结构布设在所述第一半导体芯片的所述上表面上，并且与所述球阵列结构的所述上表面接触。所述球阵列结构具有闭环形状，并且包括焊料球部分和连接相邻的所述焊料球部分的连接部分。所述焊料球部分的最大宽度大于所述连接部分在与所述连接部分的延伸方向垂直的方向上的宽度。

公开(公告)号：CN113345858A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202011264611.9

申请日：2020-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任忠彬 ,  金正雨 ,  金知晃 ,  卞贞洙 ,  沈钟辅 ,  李斗焕 ,  崔敬世 ,  崔正坤 ,  表声磤

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L25/10 ,  H01L25/16 ,  H01L25/00 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体封装件包括：再分布层，其包括多个再分布绝缘层、构成下布线层的多个再分布线图案、以及在穿透多个再分布绝缘层中的至少一个再分布绝缘层的同时连接到多个再分布线图案中的一些再分布线图案的多个再分布通孔；至少一个半导体芯片，其被布置在再分布层上；扩展层，其围绕再分布层上的至少一个半导体芯片；以及覆盖布线层，其包括至少一个基本绝缘层、构成上布线层的多个布线图案、以及在穿透至少一个基本绝缘层的同时连接到多个布线图案中的一些布线图案的多个导电通孔。