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公开(公告)号：CN104103671A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410175362.4
申请日：2014-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/786 , H01L29/78642 , H01L29/78684 , H01L31/028 , H01L31/08 , H01L33/34 , H01L51/0046 , H01L51/0504 , H01L51/0558 , H01L51/0562 , H01L51/0566 , H01L51/057 , H01L51/428 , H01L51/50
Abstract: 本发明提供石墨烯器件和包括石墨烯器件的电子设备。根据示例实施例，石墨烯器件包括：包括源极、栅极和漏极的晶体管；有源层，载流子通过其移动；以及在栅极和有源层之间的石墨烯层。石墨烯层可被配置为既作为有源层的电极又作为晶体管的沟道层。
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公开(公告)号：CN107768541B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201710710708.X
申请日：2017-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了一种电子器件以及包括该电子器件的显示装置。一种电子器件包括：彼此面对的第一电极和第二电极；包含多个量子点的发射层，其中发射层设置在第一电极和第二电极之间；第一电荷辅助层，设置在第一电极和发射层之间；以及光学功能层，设置在第二电极上且在与发射层相反的一侧，其中第一电极包括反射电极，其中第二电极是光透射电极，其中光学功能层和第一电极之间的区域包括微腔结构，并且光学功能层的折射率大于或等于第二电极的折射率。
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公开(公告)号：CN104103671B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201410175362.4
申请日：2014-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L29/786 , H01L29/78642 , H01L29/78684 , H01L31/028 , H01L31/08 , H01L33/34 , H01L51/0046 , H01L51/0504 , H01L51/0558 , H01L51/0562 , H01L51/0566 , H01L51/057 , H01L51/428 , H01L51/50
Abstract: 本发明提供石墨烯器件和包括石墨烯器件的电子设备。根据示例实施例，石墨烯器件包括：包括源极、栅极和漏极的晶体管；有源层，载流子通过其移动；以及在栅极和有源层之间的石墨烯层。石墨烯层可被配置为既作为有源层的电极又作为晶体管的沟道层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108110144A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711176209.3
申请日：2017-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/025 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/06 , C09K11/703 , C09K11/883 , C09K2211/188 , G02B6/005 , H01L51/0035 , H01L51/0037 , H01L51/0039 , H01L51/0092 , H01L51/5012 , H01L51/502 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H05B33/14 , Y10S977/774 , Y10S977/783 , Y10S977/818 , Y10S977/824 , Y10S977/892 , Y10S977/896 , Y10S977/95 , Y10T428/1036 , Y10T428/1041 , H01L51/0077 , H01L51/56 , H01L2251/301
Abstract: 公开包括量子点的发光器件和显示器件。所述发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点的发光层，其中所述量子点包括半导体纳米晶体和结合至所述半导体纳米晶体的表面的配体，和其中所述配体包括有机硫醇配体或其盐和包含金属的多价金属化合物，所述金属包括Zn、In、Ga、Mg、Ca、Sc、Sn、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、Ba、Au、Hg、Tl、或其组合。所述显示器件包括所述发光器件。
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公开(公告)号：CN102050442B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201010504291.X
申请日：2010-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01B31/0453 , B01J23/755 , B01J37/347 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C01B2204/04 , C23C16/0281 , C23C16/26
Abstract: 本发明提供一种利用合金催化剂制造石墨烯的方法，该方法可以包括在衬底上形成包括镍的合金催化剂层以及通过将碳氢气体提供到合金催化剂层上来形成石墨烯层。合金催化剂层可以包括从由镍、铜、铂、铁和金构成的组中选出的至少两种。当制造石墨烯时，减少碳在Ni中的溶解性的催化剂金属可以在合金催化剂层中与Ni一起使用。可以调整碳被溶解的量，并且可以制造均匀的石墨烯单层。
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公开(公告)号：CN102285660B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201110164676.0
申请日：2011-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C01B35/00 , H01L29/167
CPC classification number: H01L29/1606 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , H01L29/7781 , H01L29/78684
Abstract: 提供被氮和硼代替的石墨烯、其制造方法及具有其的晶体管，该石墨烯包括碳(C)原子被硼(B)原子和氮(N)原子部分地代替的结构。该石墨烯具有带隙。被硼和氮代替的石墨烯可用作场效应晶体管的沟道。该石墨烯可通过使用环硼氮烷或氨硼烷作为氮化硼(B-N)前体进行化学气相沉积(CVD)方法形成。
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公开(公告)号：CN102050442A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010504291.X
申请日：2010-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01B31/0453 , B01J23/755 , B01J37/347 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C01B2204/04 , C23C16/0281 , C23C16/26
Abstract: 本发明提供一种利用合金催化剂制造石墨烯的方法，该方法可以包括在衬底上形成包括镍的合金催化剂层以及通过将碳氢气体提供到合金催化剂层上来形成石墨烯层。合金催化剂层可以包括从由镍、铜、铂、铁和金构成的组中选出的至少两种。当制造石墨烯时，减少碳在Ni中的溶解性的催化剂金属可以在合金催化剂层中与Ni一起使用。可以调整碳被溶解的量，并且可以制造均匀的石墨烯单层。
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