公开(公告)号：CN102141650A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201010578730.1

申请日：2010-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 池晧哲 ,  金奇南 ,  邢庸宇 ,  罗敬远 ,  河镜虎 ,  朴允童 ,  裵大录 ,  卜镇权 ,  姜泌圭

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/13 ,  G02B6/42

CPC classification number: G02B6/124 ,  G02B6/122 ,  G02B6/30 ,  G02B6/34 ,  G02B6/4214 ,  G02B2006/12104

Abstract: 本发明涉及光学器件及其制造方法。光波导和光耦合器件包括形成在体半导体衬底例如体硅衬底中的沟槽。底包层形成在沟槽中，芯区形成在底包层上。反射元件诸如分布式布拉格反射器能形成在耦合器件和/或波导器件下面。因为光学器件集成在体衬底中，所以根据硅光电子技术，光学器件能容易地在芯片或管芯上与其它器件集成。具体地，例如，光学器件能集成在DRAM存储器电路芯片管芯中。

公开(公告)号：CN101034553B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200610163630.6

申请日：2006-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 鲜于国贤 ,  罗敬远

IPC: G11B5/127 ,  G11B5/17

CPC classification number: G11B5/3123 ,  G11B5/1278 ,  G11B5/17 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/3163

Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录头及其制造方法。该垂直磁记录头包括主极、返回轭、以及产生磁场使得该主极能在记录介质上记录信息的线圈。该线圈具有以螺线管形状围绕该主极的结构。

公开(公告)号：CN102024840A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010287385.6

申请日：2010-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金德起 ,  柳寅敬 ,  罗敬远 ,  薛光洙 ,  徐东硕

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L29/7827 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/66666 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供一种包括垂直晶体管阵列的电阻性存储器器件和相关制造方法。该电阻性存储器器件的存储器包括垂直晶体管和可变电阻层。所述垂直晶体管包括衬底表面上的栅电极、沿着所述栅电极的侧壁延伸的栅绝缘层以及与所述栅绝缘层相邻的在所述衬底表面上的单晶硅层。所述单晶硅层的至少一部分限定在与所述衬底表面基本上垂直的方向上延伸的沟道区。在所述单晶硅层上设置可变电阻层。所述可变电阻层与所述栅电极电绝缘。本发明还讨论了相关的器件和制造方法。

公开(公告)号：CN100410680C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN02146891.5

申请日：2002-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔源悦 ,  罗敬远 ,  崔相彦

IPC: G01R33/02 ,  G01R33/05

Abstract: 一种磁通闸门敏感元件被集成在半导体衬底上。该元件有两个棒形软磁芯或者一个矩形环软磁芯，从而在半导体衬底上形成闭合磁路。它带有由金属层形成的励磁线圈，呈组合结构，按照数字“8”的形状缠绕在两个棒形磁芯组合外面或者矩形环磁芯两个长边组合外面；或者呈分离结构，按照数字“8”的形状分别缠绕在两个棒形磁芯上或者矩形环磁芯的两个长边上。另外，还有一个耦合线圈，也形成在两个棒形磁芯上或者矩形环磁芯的两个长边上，呈组合结构，按照螺线管的形状缠绕在两个棒形磁芯组合整体的外面或者矩形环磁芯两个长边组合的外面；或者呈分离结构，按照螺线管的形状分别缠绕在两个棒形磁芯上或者矩形环磁芯的两个长边上。