-
公开(公告)号：CN115084154A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210224314.4
申请日：2022-03-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11578
Abstract: 提供了半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。半导体装置可以包括彼此平行的第一分离结构和第二分离结构、在第一分离结构与第二分离结构之间的块以及块上的位线。块包括串，位线包括电连接到第一串和第二串的第一位线，串中的每个包括串联连接的下选择晶体管、存储器单元晶体管和上选择晶体管，串中的每个中的上选择晶体管包括第一上选择晶体管和在第一上选择晶体管下方的第二上选择晶体管。第一串和第二串的第一上选择晶体管可以共享单个第一上选择栅电极。第一串和第二串的下选择晶体管的栅电极可以包括彼此共面的表面。
-
公开(公告)号：CN103094346B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210425342.9
申请日：2012-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L27/06 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L29/772 , B82Y40/00 , H01L21/8232 , H01L27/0688 , H01L29/1606 , H01L29/41758 , H01L29/518 , H01L29/778 , H01L29/78606 , H01L29/78684 , Y10S977/734 , Y10S977/842 , Y10S977/938
Abstract: 本发明提供了石墨烯晶体管、混合晶体管及其制造方法。该石墨烯晶体管包括：栅极电极，在衬底上；栅极绝缘层，在栅极电极上；石墨烯沟道，在栅极绝缘层上；源极电极和漏极电极，在石墨烯沟道上，源极电极和漏极电极彼此分离；以及盖，覆盖源极电极和漏极电极的上表面并在源极电极与漏极电极之间的石墨烯沟道之上形成空气间隙。
-
公开(公告)号：CN102141650A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010578730.1
申请日：2010-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B6/124 , G02B6/122 , G02B6/30 , G02B6/34 , G02B6/4214 , G02B2006/12104
Abstract: 本发明涉及光学器件及其制造方法。光波导和光耦合器件包括形成在体半导体衬底例如体硅衬底中的沟槽。底包层形成在沟槽中，芯区形成在底包层上。反射元件诸如分布式布拉格反射器能形成在耦合器件和/或波导器件下面。因为光学器件集成在体衬底中，所以根据硅光电子技术，光学器件能容易地在芯片或管芯上与其它器件集成。具体地，例如，光学器件能集成在DRAM存储器电路芯片管芯中。
-
公开(公告)号：CN101221813A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710306135.0
申请日：2007-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G11C16/349 , G11C16/3495
Abstract: 在包括闪存设备和控制闪存设备的存储控制器的存储系统中设置读取电压的方法，包括顺序改变分布读取电压以从闪存设备读取页数据；构成具有数据位号和分布读取电压的分布表，该数据位号指示分别从闪存设备读取的页数据中的擦除状态，分布读取电压对应于读取页数据；根据分布表检测对应于数据位号的分布读取电压，每个数据位号表示存储单元的可能的单元状态的最大点；并根据检测的分布读取电压定义新的读取电压。
-
公开(公告)号：CN101174457A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710199906.0
申请日：2007-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0408 , G11C11/5621 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C2211/5641 , G11C2211/5642
Abstract: 一种包括多个存储块的闪存器件。在多个存储块中的被选存储块包括2n页数据。该被选存储块包括能够存储不同数目的位的不同类型存储单元。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1241027A
公开(公告)日：2000-01-12
申请号：CN99109408.5
申请日：1999-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/76
CPC classification number: H01L27/10844 , H01L21/762 , H01L21/765 , H01L27/10805 , H01L27/10873
Abstract: 本发明通过采用浅槽隔离(STI)中的导电屏蔽层,为亚微米隔离间距的DRAM提供具有低掺杂衬底和与有源宽度无关的阈值电压的无窄沟道效应的DRAM单元晶体管结构。所得到的单元晶体管结构大大消除了从栅和邻近存储节点结经过浅槽隔离的寄生E场穿透,并且非常适用于Gbit规模DRAM技术。用负电压偏置导电屏蔽层,以便最小化衬底中的侧壁耗尽。
-
公开(公告)号：CN1172347A
公开(公告)日：1998-02-04
申请号：CN97109795.X
申请日：1997-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10894 , H01L27/10814 , H01L27/10852
Abstract: 具有“金属上的电容器”的半导体器件的形成方法,包括形成连接有源区的位线。用第一绝缘材料形成第一覆盖层。用不同刻蚀率的第二绝缘材料形成第一层间介质膜。用第三绝缘材料形成第二覆盖层。依次形成连接有源区的第一接触孔和用于局部互连的第二接触孔。淀积金属充填第一和第二接触孔形成栓和布线层。用第四绝缘材料只在周边电路区内形成第二层间绝缘膜,其刻蚀率与第三绝缘材料不同。形成存储电极、介质膜及平板电极。
-
公开(公告)号：CN101154445B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200710100908.X
申请日：2007-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C11/5628 , G11C16/12 , G11C16/3427 , G11C2211/5621 , G11C2211/5642
Abstract: 一种非易失性半导体存储设备，包括第一和第二子存储器阵列和被安排在第一和第二子存储器阵列之间的母线。所述第一子存储器阵列的编程操作，通过同时施加编程电压到与所述第一子存储器阵列中的存储单元相连接的奇数和偶数位线而进行。
-
公开(公告)号：CN101211860B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200710305754.8
申请日：2007-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L21/768 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/11524 , H01L27/115 , H01L27/11521 , Y10S438/954
Abstract: 一种形成非易失性存储器件的方法，包括形成第一掩模图形，该第一掩模图形在其间可以具有相对大的距离。形成保形地覆盖第一掩模图形的距离调整层。在第一掩模图形之间的距离调整层上的沟槽中形成第二掩模图形。
-
公开(公告)号：CN100539013C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN99109089.6
申请日：1999-06-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L28/55
Abstract: 一种带有铁电膜的铁电电容器，所述铁电膜具有比锆酸盐成分多的钛成分，以改善铁电特性。制造这种铁电电容器的方法包括以下步骤：在覆盖已形成的铁电电容器的绝缘层中形成接触开口后，在氧气氛中进行热处理。这种在氧气氛中的热处理可以使所不希望的铂电极负作用减至最小，所述负作用指对铁电膜成分的氧化。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
45
records
(took 0.033 seconds)
