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公开(公告)号：CN111415953B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202010004290.2
申请日：2020-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供了一种图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：半导体基板，具有彼此面对的第一表面和第二表面；第一光电转换部分，设置在半导体基板的第二表面上；第一浮置扩散区，与第一表面相邻地提供在半导体基板中；覆盖第一表面的第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上的第一沟道图案；以及第一传输栅电极，与第一沟道图案相邻地设置，并控制在第一光电转换部分中产生的电荷通过第一沟道图案传输到第一浮置扩散区。
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公开(公告)号：CN109285848A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201810503286.3
申请日：2018-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/307 , H01L51/441 , H01L51/447 , H01L27/14601
Abstract: 一种图像传感器包括设置在半导体基板上并具有开口的绝缘图案、设置在绝缘图案的开口内的滤色器、设置在滤色器上的盖绝缘层、设置在盖绝缘层上并具有与滤色器重叠的部分的第一电极、围绕第一电极的侧表面的分隔结构、以及设置在第一电极上的光电层。分隔结构包括由不同材料形成的第一绝缘层和第二绝缘层。
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公开(公告)号：CN107731921A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710325741.0
申请日：2017-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L27/02 , H01L23/535
CPC classification number: H01L21/823475 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L21/823814 , H01L21/823878 , H01L23/5226 , H01L27/0886 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/78 , H01L23/535 , H01L27/0203 , H01L29/41725 , H01L29/42356
Abstract: 本发明提供一种包含接触结构的半导体装置。半导体装置包含限定下部有源区的隔离区。第一源极/漏极区和第二源极/漏极区以及第一栅极电极和第二栅极电极在下部有源区上。第一源极/漏极区和第二源极/漏极区邻近于彼此。第一栅极遮盖图案和第二栅极遮盖图案分别在第一栅极电极和第二栅极电极上。第一接触结构和第二接触结构分别在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区上。下部绝缘图案在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间。上部绝缘图案在第一接触结构与第二接触结构之间。氧化硅具有相对于形成上部绝缘图案、第一栅极遮盖图案以及第二栅极遮盖图案的绝缘材料的刻蚀选择性。
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公开(公告)号：CN107527816A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710446932.2
申请日：2017-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/417
CPC classification number: H01L21/76879 , H01L21/28518 , H01L21/76846 , H01L21/76855 , H01L21/76897 , H01L23/485 , H01L29/785 , H01L29/66795 , H01L29/41791
Abstract: 提供了一种用于对鳍式场效应晶体管器件的源极-漏极结构形成低寄生电容接触件的方法。在一些实施例中所述方法包括将长沟槽向下刻蚀至源极-漏极结构，沟槽足够长以延伸横跨器件的所有源极-漏极区。导电层形成在源极-漏极结构上，沟槽填充有第一填充材料。第二、较窄沟槽沿第一沟槽的长度的一部分开口，并且填充有第二填充材料。第一填充材料可以是导电的，并且可以形成所述接触件。如果第一填充材料不是导电的，则第三沟槽可以在第一沟槽的未填充有第二填充材料的部分中开口，并且填充有导电材料以形成所述接触件。
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公开(公告)号：CN107731921B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201710325741.0
申请日：2017-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L27/02 , H01L23/535
Abstract: 本发明提供一种包含接触结构的半导体装置。半导体装置包含限定下部有源区的隔离区。第一源极/漏极区和第二源极/漏极区以及第一栅极电极和第二栅极电极在下部有源区上。第一源极/漏极区和第二源极/漏极区邻近于彼此。第一栅极遮盖图案和第二栅极遮盖图案分别在第一栅极电极和第二栅极电极上。第一接触结构和第二接触结构分别在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区上。下部绝缘图案在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间。上部绝缘图案在第一接触结构与第二接触结构之间。氧化硅具有相对于形成上部绝缘图案、第一栅极遮盖图案以及第二栅极遮盖图案的绝缘材料的刻蚀选择性。
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公开(公告)号：CN112018167A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010083771.7
申请日：2020-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/10 , H01L27/146 , H01L27/30
Abstract: 一种图像传感器以及制造图像传感器的方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一浮置扩散区；模制图案，所述模制图案位于所述第一浮置扩散区上方，并且包括开口；第一光电转换部，所述第一光电转换部位于所述半导体衬底的表面；以及第一传输晶体管，所述第一传输晶体管将所述第一光电转换部连接到所述第一浮置扩散区。所述第一传输晶体管包括第一传输栅电极和位于所述开口中的沟道图案。所述沟道图案包括氧化物半导体。所述沟道图案还包括侧壁部分和中心部分，所述侧壁部分覆盖所述开口的侧表面，所述中心部分从所述侧壁部分延伸到所述第一传输栅电极上方的区域。
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公开(公告)号：CN111415953A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010004290.2
申请日：2020-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供了一种图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：半导体基板，具有彼此面对的第一表面和第二表面；第一光电转换部分，设置在半导体基板的第二表面上；第一浮置扩散区，与第一表面相邻地提供在半导体基板中；覆盖第一表面的第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上的第一沟道图案；以及第一传输栅电极，与第一沟道图案相邻地设置，并控制在第一光电转换部分中产生的电荷通过第一沟道图案传输到第一浮置扩散区。
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公开(公告)号：CN110828493A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910503830.9
申请日：2019-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：衬底，包括与光入射的第二表面相对的第一表面；第一光电转换层，位于衬底中；包括多个布线层的布线结构，位于衬底的第一表面上；层间绝缘膜，位于衬底的第二表面上；电容器结构，位于层间绝缘膜中；以及第一布线，位于层间绝缘膜上。所述电容器结构包括依次堆叠在衬底的第二表面上的第一导电图案、介电图案和第二导电图案。第二导电图案连接到第一布线。
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