公开(公告)号：CN105280269B

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201510315771.4

申请日：2015-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相壹 ,  金世润 ,  文庚奭 ,  黄成宇 ,  孙崙喆 ,  李孝锡

IPC: H01B5/14

Abstract: 本发明公开导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1或化学式2表示并且具有层状晶体结构的化合物，在化学式1中，M1是钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、钽(Ta)、或铌(Nb)；和在化学式2中，M2是钒(V)或钽(Ta)。化学式1M1Te2化学式2M2Se2。

公开(公告)号：CN103390721B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201310039686.0

申请日：2013-01-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安庆韩 ,  金相壹 ,  柳秉纪 ,  李圭珩 ,  黄成宇

IPC: H01L35/16

CPC classification number: H01L35/16 ,  C01B19/002 ,  C01B19/007 ,  C01P2002/50 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/40 ,  Y02P20/129 ,  Y02P20/13

Abstract: 本发明提供了热电材料以及包括该热电材料的热电元件、热电模块和热电装置。该热电材料通过替代或掺杂过渡金属而具有变形的电子态密度。由于具有电子态密度变形的热电材料的功率因素增大，该热电材料可以使用在各种领域诸如热电模块和热电装置中。

公开(公告)号：CN105280269A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510315771.4

申请日：2015-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相壹 ,  金世润 ,  文庚奭 ,  黄成宇 ,  孙崙喆 ,  李孝锡

IPC: H01B5/14

CPC classification number: C01B19/04 ,  C01P2006/40 ,  C03C17/10 ,  C30B29/46 ,  H01B1/02 ,  H01B1/06

Abstract: 本发明公开导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1或化学式2表示并且具有层状晶体结构的化合物，在化学式1中，M1是钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、钽(Ta)、或铌(Nb)；和在化学式2中，M2是钒(V)或钽(Ta)。化学式1M1Te2化学式2M2Se2。

公开(公告)号：CN102363669A

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN201110167592.2

申请日：2011-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵命东 ,  朴商浩 ,  金光熙 ,  黄成宇

IPC: C08L75/06 ,  C08G18/76 ,  C08G18/44 ,  C08J5/24

CPC classification number: C08J9/405 ,  C08G18/44 ,  C08G2101/00 ,  C08G2101/0091 ,  C08J2375/04 ,  C08J2401/00 ,  C08J2433/00 ,  C08J2475/00 ,  C08J2479/00

Abstract: 气凝胶-泡沫体复合材料包括开孔泡沫体和置于所述开孔泡沫体中的气凝胶基体聚合物。所述气凝胶-泡沫体复合材料具有约15兆帕(MPa)或更大的抗压强度。所述开孔泡沫体可为包括碳酸酯基团(-OC(O)O-)的聚氨酯泡沫体。

公开(公告)号：CN110028948B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN201910026870.9

申请日：2019-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元裕镐 ,  元那渊 ,  黄成宇 ,  张银珠 ,  权秀暻 ,  金龙郁 ,  闵智玄 ,  G.朴 ,  朴相铉 ,  章效淑 ,  田信爱 ,  韩用锡

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/88 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  H10K50/115

Abstract: 本发明涉及无镉量子点、其制造方法、包括其的组合物、量子点‑聚合物复合物和显示器件。无镉量子点不包括镉且包括：包括铟和磷的半导体纳米晶体核、设置在所述半导体纳米晶体核上并且包括锌和硒的第一半导体纳米晶体壳、以及设置在所述第一半导体纳米晶体壳上并且包括锌和硫的第二半导体纳米晶体壳。

公开(公告)号：CN110028968B

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN201910026869.6

申请日：2019-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 章效淑 ,  元裕镐 ,  黄成宇 ,  金智荣 ,  张银珠

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/02 ,  H01L33/50 ,  H10K50/115

公开(公告)号：CN116387296A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202211723921.1

申请日：2022-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金龙郁 ,  金智荣 ,  权秀暻 ,  张银珠 ,  黄成宇

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54 ,  H01L27/15

Abstract: 公开显示面板、其制造方法和包括其的显示设备。所述显示面板包括发光面板和颜色转换面板。所述颜色转换面板中包括的颜色转换层发射预定的光。所述预定的光的颜色包括CIE 1931色坐标中的约0.26‑约0.35的Cx和约0.27‑约0.35的Cy的第一区域，并且在具有在所述第一区域中的颜色的所述预定的光的发射光谱中，第一面积百分比小于或等于约65％，其中所述第一面积百分比由下式定义：[A/B]×100％，其中A表示所述发射光谱中的具有小于或等于约470nm的波长的区域的面积，且B表示所述发射光谱中的具有小于或等于约480nm的波长的区域的面积。

公开(公告)号：CN110028948A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201910026870.9

申请日：2019-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元裕镐 ,  元那渊 ,  黄成宇 ,  张银珠 ,  权秀暻 ,  金龙郁 ,  闵智玄 ,  G.朴 ,  朴相铉 ,  章效淑 ,  田信爱 ,  韩用锡

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/88 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明涉及无镉量子点、其制造方法、包括其的组合物、量子点-聚合物复合物和显示器件。无镉量子点不包括镉且包括：包括铟和磷的半导体纳米晶体核、设置在所述半导体纳米晶体核上并且包括锌和硒的第一半导体纳米晶体壳、以及设置在所述第一半导体纳米晶体壳上并且包括锌和硫的第二半导体纳米晶体壳。

公开(公告)号：CN112680210B

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202011108907.1

申请日：2020-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵智玄 ,  黄成宇 ,  金龙郁 ,  金智荣 ,  权秀暻 ,  金善英

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/88 ,  H10H20/851

Abstract: 公开了芯壳量子点、其制造方法、包括其的量子点复合物、量子点组合物、显示器件和电子器件，所述芯壳量子点包括：包括第一半导体纳米晶体并且包括锌、碲、和硒的芯，和设置在所述芯上并且包括锌硫属化物的半导体纳米晶体壳，其中所述芯壳量子点不包括镉、铅、汞、或其组合，其中在所述量子点的X射线光电子能谱中，作为面积百分比的Te氧化物的峰面积对Te3d5/2的峰面积小于或等于约25％。

公开(公告)号：CN114381268A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111208677.0

申请日：2021-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善英 ,  金龙郁 ,  权秀暻 ,  金智荣 ,  黄成宇

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明涉及量子点、包括其的量子点群、显示器件、量子点复合物和量子点组合物。无镉量子点或其群或包括其的器件，其中所述无镉量子点包括如下并且呈现出约60％或更高的量子效率：芯(或半导体纳米晶体颗粒)，其包括第一半导体纳米晶体，所述第一半导体纳米晶体包括IIB‑VI族化合物；和设置在所述芯(或所述半导体纳米晶体颗粒)上的壳(或包覆层)，其包括IIB‑V族化合物。