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公开(公告)号：CN114058374B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202110895450.1
申请日：2021-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/88 , C09K11/02 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H10H20/823
Abstract: 公开了量子点、其制造方法和包括其的电致发光设备与电子设备，所述量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯、和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述半导体纳米晶体壳的组成不同于所述第一半导体纳米晶体的组成。所述量子点不包括镉，所述半导体纳米晶体壳包括锌硫属化物，所述锌硫属化物包括硒、碲、硫、或其组合，并且所述量子点进一步碱性碱土金属。
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公开(公告)号：CN112442371B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202010895937.5
申请日：2020-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/88 , C09K11/02 , H10K50/115
Abstract: 本发明涉及量子点、其制造方法、包括其的量子点群和电致发光器件。量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯，所述第一半导体纳米晶体包括锌硫属化物；和设置在所述芯的表面上并且包括锌、硒和硫的半导体纳米晶体壳。所述量子点不包括镉，发射蓝色光，并呈现出具有闪锌矿结构的(100)面的通过透射电子显微镜图像的快速傅里叶变换获得的数字衍射图样，并且在所述量子点的X射线衍射光谱中，缺陷峰面积相对于闪锌矿晶体结构的峰面积的比小于约0.8:1。还公开了制造所述量子点的方法和包括所述量子点的电致发光器件。
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公开(公告)号：CN116606568A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310121514.1
申请日：2023-02-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09D11/30 , H10K50/115 , H10K71/15 , H10K71/13 , C09D11/36
Abstract: 公开了量子点墨组合物和量子点电致发光器件，所述量子点墨组合物具有改善的量子点的分散稳定性和着陆性质两者，所述量子点墨组合物包括多个量子点和包括至少以下溶剂a和以下溶剂b的混合溶剂并且具有约30mN/m至约40mN/m的表面张力：溶剂a：具有C4‑C16的直链烷基的环烷烃化合物，和溶剂b：具有C2‑C12的直链烷基的芳族烃化合物，所述量子点电致发光器件包括由所述量子点组合物形成的发光层。
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公开(公告)号：CN116507145A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310042386.1
申请日：2023-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体纳米颗粒、其制造方法、以及包括其的电致发光器件和显示设备。电致发光器件包括第一电极、第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层，所述发光层包括多个半导体纳米颗粒，其中所述发光层配置成发射绿色光，其中所述多个半导体纳米颗粒包括：包括铟、磷、和任选地锌的第一半导体纳米晶体，和包括锌硫属化物的第二半导体纳米晶体，其中所述锌硫属化物包括锌、硒和硫，其中在所述多个半导体纳米颗粒中，锌对铟的摩尔比大于或等于约60:1，和其中所述电致发光器件配置成呈现出如以约2700尼特的初始驱动亮度测量的大于或等于约120小时的T90。
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公开(公告)号：CN113410403A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110284603.9
申请日：2021-03-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了量子点器件和电子设备，所述量子点器件包括：第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的量子点层、以及在所述量子点层和所述第二电极之间的电子辅助层，其中所述电子辅助层包括无机纳米颗粒和添加剂的混合物，所述无机纳米颗粒包括碱土金属，所述添加剂选自碱金属、碱金属化合物、或其组合，所述电子设备包括所述量子点器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112687817A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011107926.2
申请日：2020-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及量子点发光器件和电子设备。量子点发光器件包括：第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的量子点层、设置在所述量子点层和所述第二电极之间的第一电子传输层和第二电子传输层。所述第二电子传输层设置在所述量子点层和所述第一电子传输层之间，其中所述第一电子传输层和所述第二电子传输层各自包括无机材料。所述第二电子传输层的最低未占分子轨道能级比所述第一电子传输层的最低未占分子轨道能级浅，和所述量子点层的最低未占分子轨道能级比所述第二电子传输层的最低未占分子轨道能级浅。电子设备包括所述量子点发光器件。
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公开(公告)号：CN111826160A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010307314.1
申请日：2020-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及不含镉的量子点、其制造方法、组合物、量子点聚合物复合物和包括其的显示器件。不含镉的量子点包括锌、碲、和硒、以及锂。所述不含镉的量子点的最大发光峰的半宽度小于或等于约50纳米，并且所述不含镉的量子点具有大于1％的量子效率。
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公开(公告)号：CN110028948B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN201910026870.9
申请日：2019-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及无镉量子点、其制造方法、包括其的组合物、量子点‑聚合物复合物和显示器件。无镉量子点不包括镉且包括：包括铟和磷的半导体纳米晶体核、设置在所述半导体纳米晶体核上并且包括锌和硒的第一半导体纳米晶体壳、以及设置在所述第一半导体纳米晶体壳上并且包括锌和硫的第二半导体纳米晶体壳。
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