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公开(公告)号：CN120015520A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411497085.9
申请日：2024-10-25
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种多层电子组件。根据本公开的示例实施例的所述多层电子组件可包括：主体，包括电容形成部和覆盖部，所述电容形成部包括介电层和在第一方向上与所述介电层交替设置的内电极，所述覆盖部设置在所述电容形成部在所述第一方向上的两个表面上；以及外电极，设置在所述主体上。所述覆盖部可包括钡（Ba）、镓（Ga）和锡（Sn），并且包括在所述覆盖部中的镓（Ga）的基于100摩尔的钡（Ba）的摩尔数（A）与包括在所述覆盖部中的锡（Sn）的基于100摩尔的钡（Ba）的摩尔数（B）的比值（A/B）可满足0.2≤A/B≤4.0。
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公开(公告)号：CN118197802A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202310916481.X
申请日：2023-07-25
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种多层电子组件及制造该多层电子组件的方法。所述多层电子组件包括：主体，具有介电层和内电极，内电极在第一方向上与介电层交替地设置，并且主体包括电容形成部和覆盖部，电容形成部包括内电极和介电层，覆盖部设置在电容形成部的表面上；以及外电极，设置在主体上，其中，包括在电容形成部中的锆(Zr)的平均摩尔含量与包括在覆盖部中的锆(Zr)的平均摩尔含量之比满足大于等于0.55且小于等于1.00，其中，包括在电容形成部中的锆(Zr)的平均摩尔含量满足大于等于1073ppm且小于等于1950ppm，并且其中，包括在电容形成部的中央区域中的介电晶粒的平均尺寸大于等于200nm且小于等于300nm，并且介电晶粒的尺寸的标准偏差大于等于100nm且小于等于130nm。
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公开(公告)号：CN114446650A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202110766623.X
申请日：2021-07-07
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件。所述多层电子组件包括主体，所述主体包括介电层和内电极。所述内电极暴露于所述主体的第五表面和第六表面，并且所述内电极交替地暴露于所述主体的第三表面或第四表面。第一侧边缘部和第二侧边缘部分别设置在所述第五表面和所述第六表面上。所述主体包括有效部、上覆盖部和下覆盖部，所述上覆盖部和所述下覆盖部分别设置在所述有效部的在第一方向上的第一表面和第二表面上。所述下覆盖部在所述第一方向上的尺寸C与所述第一侧边缘部在第三方向上的尺寸A的比C/A≥2.6，C/T≥0.080，其中，T为所述主体在所述第一方向上的尺寸，并且D
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公开(公告)号：CN114429863A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202111233002.1
申请日：2021-10-22
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电子组件。所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括有效部和覆盖部，所述有效部具有介电层以及第一内电极和第二内电极，所述覆盖部分别设置在所述有效部的在堆叠方向上的相对表面上；其中，当所述覆盖部的与所述第一内电极或所述第二内电极接触的区域是所述覆盖部的内部区域并且所述有效部的与所述覆盖部的所述内部区域相邻的区域是所述有效部的外部区域时，1.00
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