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公开(公告)号：CN106189267A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510282712.1
申请日：2015-05-28
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 尹熙灿 , 金佑翰 , 高尚兰 , 郭泽秀 , 金补宣 , 金真敎 , 罗隆熙 , 卢健培 , 朴玺美 , 裵镇希 , 司空峻 , 李殷善 , 任浣熙 , 张俊英 , 郑日 , 黄丙奎
IPC: C08L83/16 , C08L83/14 , C01B33/113
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置。所述用于形成二氧化硅层的组成物包含重量平均分子量为20,000到70,000并且多分散指数为5.0到17.0的含硅聚合物和溶剂。本发明提供的用于形成二氧化硅层的组成物能同时确保间隙填充特征和间隙蚀刻特征。
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公开(公告)号：CN105695165A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510452174.6
申请日：2015-07-28
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L21/02164 , C01B33/12 , H01L21/02282 , H01L21/02343
Abstract: 本发明涉及一种二氧化硅薄膜用的冲洗溶液、二氧化硅薄膜及其生产方法。所述冲洗溶液包含：三甲基苯、二乙基苯、茚满、茚、叔丁基甲苯、甲基萘、包含具有12个或12个以上的碳的芳香烃的混合物、包含具有12个或12个以上的碳的脂肪烃的混合物、包含含有苯基和氧原子的杂烃化合物的混合物、或其组合。本发明的用于二氧化硅薄膜的冲洗溶液能够彻底剥离二氧化硅薄膜的界面区域。
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公开(公告)号：CN115710346A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211012008.0
申请日：2022-08-23
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种硬掩模组合物、由硬掩模组合物制造的硬掩模层、以及由硬掩模组合物形成图案的方法，硬掩模组合物包含：聚合物，包含由化学式1表示的结构单元和由化学式2表示的结构单元，以及溶剂：其中化学式1和化学式2的定义如说明书中所描述。[化学式1][化学式2]
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108164711B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201710636140.1
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C08G77/62 , C09D183/16 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种用于形成硅氧层的组成物、一种制造硅氧层的方法及一种电子装置，所述用于形成硅氧层的组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中含硅聚合物的重量平均分子量在2,000到100,000范围内，并且由方程式1计算的含硅聚合物的分支比(a)在0.25到0.50范围内。η＝k×Ma[方程式1]在方程式1中，η是含硅聚合物的固有粘度，M是含硅聚合物的绝对分子量，a是分支比，以及k是固有常数。因此，使用用于形成硅氧层的组成物制造的硅氧层具有密集型结构，并且因此减少损耗和层应力以及改良抗蚀刻性和平面化特征。
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公开(公告)号：CN111212881A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201880066432.9
申请日：2018-02-13
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , H01L21/02 , H01L21/306
Abstract: 提供了一种用于形成二氧化硅膜的组合物，该组合物含有含硅聚合物和溶剂，其中由用于形成二氧化硅膜的组合物形成的二氧化硅膜满足关系式1。关系式1的定义如说明书中的描述。
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公开(公告)号：CN106147604B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201510940597.2
申请日：2015-12-16
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D1/00 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种用于形成二氧化硅层的组成物、用于制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置。所述用于形成二氧化硅层的组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中所述含硅聚合物在1H‑NMR光谱中具有小于或等于12的Si‑H积分值的总和。所述Si‑H积分值的所述和在说明书中描述的条件下计算。本发明的用于形成二氧化硅层的组成物能够减少在固化期间产生的出气的量，获得具有最小缺陷的二氧化硅层。
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公开(公告)号：CN106558483A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610329591.6
申请日：2016-05-18
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/283 , H01L21/31 , H01L23/28 , H01L29/51
Abstract: 本发明提供一种制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置。制造二氧化硅层的方法包含将包含碳化合物的预润湿液体物质涂布于衬底上、将用于形成二氧化硅层的组合物涂布于涂布有预润湿液体物质的衬底上以及使涂布有用于形成二氧化硅层的组合物的衬底固化。根据本发明的方法，可以使得用于形成二氧化硅层的组合物充分润湿衬底，并且可以有效涂布少量组合物，形成均匀的二氧化硅层。
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公开(公告)号：CN106147604A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510940597.2
申请日：2015-12-16
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D1/00 , H01L21/02
CPC classification number: C09D183/16 , C08G77/62 , H01B3/46 , C09D1/00 , H01L21/02107
Abstract: 本发明涉及一种用于形成二氧化硅层的组成物、用于制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置。所述用于形成二氧化硅层的组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中所述含硅聚合物在1H-NMR光谱中具有小于或等于12的Si-H积分值的总和。所述Si-H积分值的所述和在说明书中描述的条件下计算。本发明的用于形成二氧化硅层的组成物能够减少在固化期间产生的出气的量，获得具有最小缺陷的二氧化硅层。
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