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公开(公告)号：CN108335970A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201710893281.1
申请日：2017-09-27
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/033
CPC classification number: H01L21/3086 , H01L21/0337 , H01L21/3081 , H01L21/31144 , H01L21/32139
Abstract: 一种形成图案的方法、精细图案层以及半导体装置。形成图案的方法包括：在衬底上形成蚀刻对象层，在蚀刻对象层上形成具有凸图案的第一层，形成完全覆盖第一层的凸图案的第二层，部分地移除第二层以暴露出凸图案的顶部、同时留下设置于凸图案的侧处的第二层，移除第一层以暴露出蚀刻对象层的顶部，以及使用设置于被移除的第一层的凸部的侧面处的第二层作为蚀刻掩模对蚀刻对象层进行蚀刻，其中第一层及第二层中的一者为含碳的层且另一者为含硅的层，含硅的层是通过对含硅的组合物进行涂布并对硅的组合物进行热处理来形成。本发明可实现精细的图案并同时提高良率。
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公开(公告)号：CN105720041B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201510574210.6
申请日：2015-09-10
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物以及由所述组成物形成的二氧化硅类层、以及包括所述二氧化硅类层的电子装置，其中所述组成物包括多分散性为从3.0到30的含硅聚合物以及溶剂，且在25℃下的黏度为从1.30cps到1.80cps。所述组成物能够提供具有绝佳平坦化特征的膜。
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公开(公告)号：CN108164711A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201710636140.1
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C08G77/62 , C09D183/16 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种用于形成硅氧层的组成物、一种制造硅氧层的方法及一种电子装置，所述用于形成硅氧层的组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中含硅聚合物的重量平均分子量在2,000到100,000范围内，并且由方程式1计算的含硅聚合物的分支比(a)在0.25到0.50范围内。η＝k×Ma [方程式1]在方程式1中，η是含硅聚合物的固有粘度，M是含硅聚合物的绝对分子量，a是分支比，以及k是固有常数。因此，使用用于形成硅氧层的组成物制造的硅氧层具有密集型结构，并且因此减少损耗和层应力以及改良抗蚀刻性和平面化特征。
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公开(公告)号：CN108335970B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201710893281.1
申请日：2017-09-27
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/033
Abstract: 一种形成图案的方法、精细图案层以及半导体装置。形成图案的方法包括：在衬底上形成蚀刻对象层，在蚀刻对象层上形成具有凸图案的第一层，形成完全覆盖第一层的凸图案的第二层，部分地移除第二层以暴露出凸图案的顶部、同时留下设置于凸图案的侧处的第二层，移除第一层以暴露出蚀刻对象层的顶部，以及使用设置于被移除的第一层的凸部的侧面处的第二层作为蚀刻掩模对蚀刻对象层进行蚀刻，其中第一层及第二层中的一者为含碳的层且另一者为含硅的层，含硅的层是通过对含硅的组合物进行涂布并对硅的组合物进行热处理来形成。本发明可实现精细的图案并同时提高良率。
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公开(公告)号：CN107129757B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201610835603.2
申请日：2016-09-20
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D183/14 , C09D7/20 , C09D1/00 , C04B35/14 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及其制造方法以及包含二氧化硅层的电子装置。用于形成二氧化硅层的组成物包含含硅的聚合物和作为溶剂的由化学式1表示的化合物。在化学式1中，L1、L2、m、n、X1以及X2与说明书中所定义相同。本发明可将二氧化硅层中缺陷的产生降到最低并且确保涂布特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106409652B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201610160367.9
申请日：2016-03-21
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C09D1/00 , C01B33/12 , C09D7/20 , C09D183/08 , C09D183/16
Abstract: 本发明提供一种用于形成氧化硅层的组合物、制造氧化硅层的方法、氧化硅层及电子装置。用于形成氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和包含至少两种溶剂的混合溶剂，其中所述混合溶剂在25℃下的表面张力是5毫牛/米至35毫牛/米。本发明的用于形成氧化硅层的组合物能够提供具有小缺陷和均一厚度的氧化硅层。
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公开(公告)号：CN107129757A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201610835603.2
申请日：2016-09-20
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D183/14 , C09D7/00 , C09D1/00 , C04B35/14 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及其制造方法以及包含二氧化硅层的电子装置。用于形成二氧化硅层的组成物包含含硅的聚合物和作为溶剂的由化学式1表示的化合物。在化学式1中，L1、L2、m、n、X1以及X2与说明书中所定义相同。本发明可将二氧化硅层中缺陷的产生降到最低并且确保涂布特性。
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公开(公告)号：CN105720041A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510574210.6
申请日：2015-09-10
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物以及由所述组成物形成的二氧化硅类层、以及包括所述二氧化硅类层的电子装置，其中所述组成物包括多分散性为从3.0到30的含硅聚合物以及溶剂，且在25℃下的黏度为从1.30cps到1.80cps。所述组成物能够提供具有绝佳平坦化特征的膜。
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公开(公告)号：CN106558483B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201610329591.6
申请日：2016-05-18
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/283 , H01L21/31 , H01L23/28 , H01L29/51
Abstract: 本发明提供一种制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置。制造二氧化硅层的方法包含将包含碳化合物的预润湿液体物质涂布于衬底上、将用于形成二氧化硅层的组合物涂布于涂布有预润湿液体物质的衬底上以及使涂布有用于形成二氧化硅层的组合物的衬底固化。根据本发明的方法，可以使得用于形成二氧化硅层的组合物充分润湿衬底，并且可以有效涂布少量组合物，形成均匀的二氧化硅层。
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公开(公告)号：CN106409652A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610160367.9
申请日：2016-03-21
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C09D1/00 , C01B33/12 , C09D7/20 , C09D183/08 , C09D183/16 , H01L21/02107 , G02F1/133 , H01L21/02112 , H01L21/02164 , H01L21/02282 , H01L33/44
Abstract: 本发明提供一种用于形成氧化硅层的组合物、制造氧化硅层的方法、氧化硅层及电子装置。用于形成氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和包含至少两种溶剂的混合溶剂，其中所述混合溶剂在25℃下的表面张力是5毫牛/米至35毫牛/米。本发明的用于形成氧化硅层的组合物能够提供具有小缺陷和均一厚度的氧化硅层。
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