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公开(公告)号：CN115703943A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210845890.0
申请日：2022-07-19
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D5/25 , C09D1/00 , C08G77/62
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组合物、由组合物制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子装置。用于形成二氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和溶剂，其中70％浓缩固体含量的粘度与50％浓缩固体含量的粘度之间的差值为400厘泊到2,200厘泊。
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公开(公告)号：CN113528014A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110406105.7
申请日：2021-04-15
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C08G77/62
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组成物，一种使用所述组成物的二氧化硅层以及包括所述二氧化硅层的电子装置。所述组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中含硅聚合物具有约8,000克/摩尔到约15,000克/摩尔的重量平均分子量(Mw)，且由凯氏(kjeldahl)滴定法测量的含硅聚合物的氮含量按含硅聚合物的总重量计是约25重量％到约30重量％。
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公开(公告)号：CN109957261B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201811353793.X
申请日：2018-11-14
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D1/00 , H01L23/498
Abstract: 本发明公开一种用于形成包含含硅聚合物和溶剂的二氧化硅层的组合物、由其制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子装置，其中二氧化硅(SiO2)转化率约大于0且约小于或等于15。二氧化硅转化率由关系等式1计算：[关系等式1]二氧化硅转化率＝(通过以6700埃的厚度将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在裸露晶片上且允许在85℃的温度和85％的相对湿度的条件下承受24小时的Si‑O/Si‑H的面积比)‑(通过以6700埃的厚度将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在裸露晶片上且允许在85℃的温度和85％的相对湿度的条件下承受2小时的Si‑O/Si‑H的面积比)。
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公开(公告)号：CN110903764A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201811610012.0
申请日：2018-12-27
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D183/14 , C09D1/00
Abstract: 本发明公开一种用于形成二氧化硅层的组合物、一种用于使用所述组合物制造二氧化硅层的方法、一种利用所述方法制造的二氧化硅层以及一种包括所述二氧化硅层的电子装置，所述用于形成二氧化硅层的组合物包含：含硅聚合物，包括聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合；以及溶剂，其中所述含硅聚合物具有4,000g/mol到13,000g/mol的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量，且满足方程式1，在方程式1中，A指示在凝胶渗透色谱曲线中所述含硅聚合物的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量为2,700g/mol到9,000g/mol的峰面积，且B指示在凝胶渗透色谱曲线中所述含硅聚合物的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量为200g/mol到2,700g/mol的峰面积。[方程式1]0.98≤B/A≤1.24。
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公开(公告)号：CN108164711A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201710636140.1
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C08G77/62 , C09D183/16 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种用于形成硅氧层的组成物、一种制造硅氧层的方法及一种电子装置，所述用于形成硅氧层的组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中含硅聚合物的重量平均分子量在2,000到100,000范围内，并且由方程式1计算的含硅聚合物的分支比(a)在0.25到0.50范围内。η＝k×Ma [方程式1]在方程式1中，η是含硅聚合物的固有粘度，M是含硅聚合物的绝对分子量，a是分支比，以及k是固有常数。因此，使用用于形成硅氧层的组成物制造的硅氧层具有密集型结构，并且因此减少损耗和层应力以及改良抗蚀刻性和平面化特征。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105713512A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510591897.4
申请日：2015-09-16
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16
CPC classification number: C09D183/14 , C08G77/54 , C08G77/62 , C08K5/01 , C09D183/16
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅类层的组成物、用于制造二氧化硅类层的方法以及电子装置。本发明的用于形成二氧化硅类层的组成物包括含硅化合物和一或多种类别的溶剂。所述含硅化合物包括聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合。并且，所述组成物具有小于或等于0.13的浊度增加率。本发明可以提供一种具有极好储存稳定性的用于形成二氧化硅类层的组成物。
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公开(公告)号：CN117348341A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310445626.2
申请日：2023-04-24
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种含金属光刻胶显影剂组合物，及一种包含使用所述组合物进行显影的步骤的图案形成方法，且所述含金属光刻胶显影剂组合物包含：有机溶剂；以及至少一种添加剂，选自亚磷酸类化合物、次磷酸类化合物、亚硫酸类化合物以及氧肟酸类化合物，其中包含约0.0001重量％至小于约1.0重量％的量的所述添加剂。含金属光刻胶显影剂组合物可使曝光工艺之后存在于含金属光刻胶膜中的缺陷最小化且实现容易显影，由此实现极佳对比度特性、极佳敏感性以及减小的线边缘粗糙度。
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公开(公告)号：CN110903764B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201811610012.0
申请日：2018-12-27
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D183/14 , C09D1/00
Abstract: 本发明公开一种用于形成二氧化硅层的组合物、一种用于使用所述组合物制造二氧化硅层的方法、一种利用所述方法制造的二氧化硅层以及一种包括所述二氧化硅层的电子装置，所述用于形成二氧化硅层的组合物包含：含硅聚合物，包括聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合；以及溶剂，其中所述含硅聚合物具有4,000g/mol到13,000g/mol的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量，且满足方程式1，在方程式1中，A指示在凝胶渗透色谱曲线中所述含硅聚合物的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量为2,700g/mol到9,000g/mol的峰面积，且B指示在凝胶渗透色谱曲线中所述含硅聚合物的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量为200g/mol到2,700g/mol的峰面积。[方程式1]0.98≤B/A≤1.24。
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公开(公告)号：CN111944320A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010411761.1
申请日：2020-05-15
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 公开了一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置，用于形成二氧化硅层的组成物包含全氢聚硅氮烷和溶剂，其中在CDCl3中的全氢聚硅氮烷的1H-NMR光谱中，当从N3SiH1和N2SiH2导出的波峰称为波峰1且从NSiH3导出的波峰称为波峰2时，比率(P1/(P1+P2))大于或等于0.77，且比率(PA/PB)大于或等于约1.5。P1、P2、PA及PB的定义与说明书中的定义相同。本公开可提供具有极佳层厚度均一性的二氧化硅层。
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公开(公告)号：CN105315679B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201410779783.8
申请日：2014-12-16
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种形成二氧化硅基层的组成物及制造二氧化硅基层的方法，所述形成二氧化硅基层的组成物，包含：选自氢化聚硅氮烷、氢化聚环氧硅氮烷或它们的组合的二氧化硅基化合物；以及溶剂，其中，具有0.2μm到1μm粒子直径的粒子的数目少于或等于10/mL。本发明提供的用以形成二氧化硅基层的组成物可以减少粒子的产生，因此能极小化形成的层中的缺陷。
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