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发明公开
半导体发光元件和半导体发光装置有权转让

公开(公告)号：CN1874018A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610085073.0

申请日：2006-05-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 中岛三郎 , 古泽浩太郎 , 后藤壮谦

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L2924/10158

Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件(100)，包括：至少一个主面上具有p侧反射电极(20)的半导体层(10)；和利用导电性粘结剂(60)与p侧反射电极(20)粘合的支撑基板(50)，其中，支撑基板(50)具有在主面上突出一部分的突出面(50s)，半导体层(10)具有粘合面(10s)，其与突出面(50s)相对，利用p侧反射电极(20)和导电性粘结剂(60)与突出面(50s)粘合，比与突出面粘合的区域的面积大。

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