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公开(公告)号：CN100573885C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200710106375.6
申请日：2007-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/532 , H01L29/786 , H01L29/43 , G02F1/1343 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/4908 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L29/458
Abstract: 本发明提供一种能够不经由高熔点金属膜地使以Al为主要成分的电极、布线与透明电极层直接接触的半导体器件和制造方法。本发明的半导体器件是在绝缘基板上至少具备半导体层、与上述半导体层电连接的Al合金膜、以及与上述Al合金膜直接接触的透明电极层的半导体器件，其中，上述Al合金膜含有合计0.5～10mol%的从Fe、Co、Ni中选出的一种以上的元素，剩余部分实质上由Al构成。
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公开(公告)号：CN101393905A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810160924.2
申请日：2008-09-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L23/48 , H01L27/12 , H01L27/32 , G02F1/1343 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L23/53219 , G02F2001/136295 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , Y10T428/12438 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及Al合金膜、电子器件以及光电显示装置用有源矩阵衬底。提供一种防止与ITO或Si的界面扩散并且能够应用于要求低温工艺的各种电子器件中的低电阻的电极膜用Al合金膜。本发明一个实施方式的Al合金膜包含由Ni构成的第一添加元素和由属于元素周期表的第二周期或第三周期的2a族的碱土金属、3b、4b族的半金属中选择的至少一种以上的第二添加元素。并且，第一添加元素的组成比是0.5～5at％，第二添加元素的组成比是0.1～3at％。
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公开(公告)号：CN101257032A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810092037.6
申请日：2008-02-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/43 , H01L21/84 , H01L21/28 , G02F1/1362
Abstract: 本发明提供不增加光刻步骤数就能够容易地控制TFT的沟道长度的薄膜晶体管阵列衬底、其制造方法以及显示装置。本发明的薄膜晶体管阵列衬底具有：形成在绝缘衬底(1)上的栅电极(2)；形成在上述栅极(2)上的栅极绝缘膜(6)；包括透明导电膜(7)和形成在该透明导电膜(7)上的第2金属膜(8)并且形成在上述栅极绝缘膜(6)上的源极(11)以及漏极(9)；半导体膜(21)，形成在上述源极(11)以及上述漏极(9)上，与源极(11)以及漏极(9)电连接；从上述漏极(9)延伸形成的透射像素电极(10a)。
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公开(公告)号：CN110462802A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201780089090.8
申请日：2017-11-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L29/786
Abstract: 本发明的目的在于提供抑制LED等的入射光入射到半导体沟道层的光强度、光量的构造的薄膜晶体管基板。而且，作为本发明的TFT基板(100)具有遮光膜(50A)，该遮光膜(50A)在漏极电极(8)的下方，在与漏极电极(7)在俯视时重叠的区域，与共同电极(5)邻接而连续地设置。TFT基板(100)还具有遮光膜(50B)，该遮光膜(50B)在源极电极(8)的下方，设置于源极电极(8)与共同电极(5)在俯视时重叠的区域。除此之外，TFT基板(100)在栅极端子部(30)，在栅极电极(2)的上方具备具有导电性的遮光膜(50C)。遮光膜(50C)电连接于栅极电极(2)，且在俯视时与栅极电极(2)重叠。
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公开(公告)号：CN110268529A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201780083065.9
申请日：2017-09-26
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L29/41 , H01L29/417
Abstract: 其目的在于提供一种能够降低源电极以及漏电极与沟道区域之间的接触电阻的技术。薄膜晶体管具备：第1半导体层，配设于栅电极上的第1绝缘膜上，在俯视时与作为栅电极上的第1绝缘膜的一部分的部分区域邻接；源电极及漏电极，在俯视时隔着部分区域；第2绝缘膜，在部分区域上方设置有开口部；以及第2半导体层，配设于第2绝缘膜上。第2半导体层与源电极以及漏电极接触并且经由第2绝缘膜的开口部与部分区域以及第1半导体层接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106462015B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201580027053.5
申请日：2015-05-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/13439 , G02F1/133308 , G02F1/133345 , G02F1/133528 , G02F1/134363 , G02F1/13458 , G02F1/1368 , G02F1/137 , G02F2001/134372 , G02F2201/123
Abstract: 本发明的液晶显示装置具有设置于支撑基板(10)之上的电极构成层(7A)，该电极构成层(7A)包括具有交替地配置的多个电极区域(RE)和多个绝缘体区域(RI)的条状区域(SRA)，对用一种材料构成的层部分性地进行还原或者氧化处理来控制导电性，从而制作所述电极区域(RE)以及所述绝缘体区域(RI)。而且，所述电极区域(RE)包含于液晶显示装置的像素电极以及对置电极中的至少任意电极。
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公开(公告)号：CN107735724A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201680039116.3
申请日：2016-06-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02B5/20 , G02F1/13 , G02F1/1333 , G02F1/1339 , G09F9/00 , G09F9/30
Abstract: 无需追加用于不形成滤色片基板的周边部处的相对电极的工序，维持了阵列基板处的端子配线的绝缘性。显示装置具有：绝缘膜(203)，其是覆盖电极(201)而形成的，该电极(201)形成于阵列基板(200)的表面；氧化物半导体膜，其形成于滤色片基板(100)的表面；以及密封部件(106)，其位于彼此相对的绝缘膜与氧化物半导体膜之间，且将绝缘膜与氧化物半导体膜粘合，将在俯视观察时被密封部件包围的区域设为显示区域，氧化物半导体膜的与显示区域对应的部分是导体，与显示区域的外侧对应的部分是绝缘体。
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公开(公告)号：CN100479179C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200610008807.5
申请日：2006-02-14
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L51/5218 , H01L27/3244 , H01L51/5271 , H01L2251/5315
Abstract: 作为顶面发射型的有机电致发光型显示装置中得到亮图像的手段，有具备高功函数值与高光反射率的阳极来增大发光效率的方法。可考虑将光反射率高的Al合金膜与透光性导电氧化膜层叠的方法，但因为在它们的界面上形成绝缘性氧化物反应层，存在反而降低发光效率的问题。为此，本发明的有机电致发光型显示装置为顶面发射型，其特征在于：在衬底上的显示区域的各像素上，形成TFT和至少依次层叠阳极(16)、电场发光层(18)及阴极(19)的有机EL元件，同时阳极(16)是Al中作为杂质至少包含一种以上VIII族3d过渡金属的Al合金膜(16a)和在其顶层层叠透光性导电氧化膜即非晶质ITO膜(16b)的至少二层膜构成。
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公开(公告)号：CN101079431A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710106375.6
申请日：2007-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/532 , H01L29/786 , H01L29/43 , G02F1/1343 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/4908 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L29/458
Abstract: 本发明提供一种能够不经由高熔点金属膜地使以Al为主要成分的电极、布线与透明电极层直接接触的半导体器件和制造方法。本发明的半导体器件是在绝缘基板上至少具备半导体层、与上述半导体层电连接的Al合金膜、以及与上述Al合金膜直接接触的透明电极层的半导体器件，其中，上述Al合金膜含有合计0.5～10mol％的从Fe、Co、Ni中选出的一种以上的元素，剩余部分实质上由Al构成。
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公开(公告)号：CN107735724B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201680039116.3
申请日：2016-06-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02B5/20 , G02F1/13 , G02F1/1333 , G02F1/1339 , G09F9/00 , G09F9/30
Abstract: 无需追加用于不形成滤色片基板的周边部处的相对电极的工序，维持了阵列基板处的端子配线的绝缘性。显示装置具有：绝缘膜(203)，其是覆盖电极(201)而形成的，该电极(201)形成于阵列基板(200)的表面；氧化物半导体膜，其形成于滤色片基板(100)的表面；以及密封部件(106)，其位于彼此相对的绝缘膜与氧化物半导体膜之间，且将绝缘膜与氧化物半导体膜粘合，将在俯视观察时被密封部件包围的区域设为显示区域，氧化物半导体膜的与显示区域对应的部分是导体，与显示区域的外侧对应的部分是绝缘体。
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