公开(公告)号：CN102484149A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200980161223.3

申请日：2009-09-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中畑匠 ,  井上和式 ,  山县有辅

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0527 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/056 ,  Y02E10/52

Abstract: 在具备将光变换为电的光电变换层(4)、和设置于所述光电变换层(4)的与光入射侧相反的一侧而使通过了所述光电变换层(4)的光反射到所述光电变换层侧的反射电极(5b)的太阳能电池(1)中，为了实现粘接性以及热耐蚀性优良、并且具有稳定的电特性以及良好的光反射特性的反射电极，来得到可靠性高、且电特性以及光学特性优良的太阳能电池，所述反射电极(5b)在所述光电变换层(4)侧具有以银为主成分并含有氮而成的金属层(5b)。

公开(公告)号：CN100550397C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200710109700.4

申请日：2007-06-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 原田和幸 ,  石贺展昭 ,  井上和式

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L29/43 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L29/41733

Abstract: 本发明提供一种可靠性、生产率优良的有源矩阵型TFT阵列基板。本发明的有源矩阵型TFT阵列基板具备：在透明绝缘基板(1)上由第1金属膜构成的栅电极(2)和栅布线(4)；覆盖栅电极(2)和栅布线(4)的栅极绝缘膜(5)；在栅极绝缘膜(5)上所形成的半导体层；在半导体层上所形成的源电极(8b)、漏电极(8a)；以及由透明导电膜构成的像素电极(8)，其中，源电极(8b)或漏电极(8a)之中的至少一方由透明导电膜(8)构成，在其上具备以Al、Cu、Ag的任一种为主要成分的第2金属膜(9)。

公开(公告)号：CN101388371A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810173789.5

申请日：2008-09-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上和式 ,  石贺展昭 ,  长山显祐 ,  津村直树 ,  中畑匠 ,  河濑和雅

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/532 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  C23C14/14

CPC classification number: H01L21/2855 ,  H01L23/53223 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件、显示装置及半导体器件的制造方法。提供一种Al合金膜，无需采用高熔点金属形成阻挡层，实现了与Si膜或以Si为主成分的膜的良好接触特性。半导体器件包括：以硅为主成分的膜；以及与以硅为主成分的膜、例如欧姆性低电阻Si膜(8)直接连接、并在连接界面附近至少含有Al、Ni和N的铝合金膜，例如源电极(9)或漏电极(10)。铝合金膜无需采用高熔点金属形成为阻挡层，与以硅为主成分的膜直接连接，并具有良好的接触特性。

公开(公告)号：CN1959980A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200610143663.4

申请日：2006-10-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石贺展昭 ,  长山显祐 ,  宫本贤一 ,  中堀正树 ,  井上和式

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/48 ,  H01L29/43 ,  H01L27/12 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/4908 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明的TFT阵列基板(100)包括基板(10)、在基板(10)上按每个像素形成的像素电极(20)和对应于像素电极(20)在基板(10)上形成的TFT元件(30)。而且，与TFT元件(30)连接的电极/布线(31、32、34、331)和电容电极(40)等含有由上层膜(31b、32b、34b、331b)及下层膜(31a、32a、34a、331a)积层而形成的积层体，下层膜(31a)等由包含1种以上的元素周期表第8族元素的铝合金形成，上层膜(31b)等通过在下层膜(31a)等上淀积，用包含1种以上元素周期表第8族元素及氮的铝合金形成。从而，能够以简单的结构简易地实现耐碱性优良、加工精度高的导电体结构。

公开(公告)号：CN1825622A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610008807.5

申请日：2006-02-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 长山显祐 ,  石贺展昭 ,  井上和式 ,  竹口彻 ,  渕上宏幸

IPC: H01L27/32 ,  H05B33/28

CPC classification number: H01L51/5218 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5271 ,  H01L2251/5315

Abstract: 作为顶面发射型的有机电致发光型显示装置中得到亮图像的手段，有具备高功函数值与高光反射率的阳极来增大发光效率的方法。可考虑将光反射率高的Al合金膜与透光性导电氧化膜层叠的方法，但因为在它们的界面上形成绝缘性氧化物反应层，存在反而降低发光效率的问题。为此，本发明的有机电致发光型显示装置为顶面发射型，其特征在于：在衬底上的显示区域的各像素上，形成TFT和至少依次层叠阳极(16)、电场发光层(18)及阴极(19)的有机EL元件，同时阳极(16)是Al中作为杂质至少包含一种以上VIII族3d过渡金属的Al合金膜(16a)和在其顶层层叠透光性导电氧化膜即非晶质ITO膜(16b)的至少二层膜构成。

公开(公告)号：CN110447092A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201780087013.9

申请日：2017-11-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 古畑武夫 ,  藤野俊明 ,  井上和式

IPC: H01L21/336 ,  C23C14/08 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/363 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H05B33/26

Abstract: 目的在于提供一种能够抑制有害的波长的光到达活性层的技术。薄膜晶体管基板具备：活性层(5)，配置于栅极绝缘膜(2)上，在俯视时与栅电极(3)重叠，包含氧化物半导体；源电极(4)及漏电极(6)，与活性层(5)分别连接；保护绝缘膜(8)，配置于活性层(1)、源电极(4)及漏电极(6)上；以及像素电极(7)，配置于包括栅极绝缘膜(2)或者栅极绝缘膜(2)及保护绝缘膜(8)的绝缘膜上且吸收层(1)上方，与漏电极(6)连接。

公开(公告)号：CN104102059B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201410131136.6

申请日：2014-04-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小田耕治 ,  井上和式 ,  石贺展昭 ,  宫川修

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1333

CPC classification number: H01L27/124

Abstract: 针对在平坦化绝缘膜上方配置有共通电极及像素电极这种构造的液晶显示装置，防止接触孔中的连接不良和电阻增大。TFT阵列基板具有使用感光性有机树脂材料形成的有机绝缘膜（10）。在有机绝缘膜上方形成共通电极（12）及引出配线（11），在共通电极的上方隔着层间绝缘膜（15）而形成有像素电极（16）。像素电极经由形成在层间绝缘膜中的接触孔（35）而与引出配线连接。引出配线（11）及共通电极（12）分别通过形成在有机绝缘膜中的接触孔（31、32）而与漏极电极（8）及共通配线（3）连接。在形成在有机绝缘膜中的接触孔（31、32）内，在共通电极（12）及引出配线（11）的上方设置有金属覆盖膜（13、14）。

公开(公告)号：CN106462015A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580027053.5

申请日：2015-05-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山县有辅 ,  岩川学 ,  山下敏广 ,  小田耕治 ,  井上和式

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/13439 ,  G02F1/133308 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133528 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/137 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2201/123

Abstract: 本发明的液晶显示装置具有设置于支撑基板(10)之上的电极构成层(7A)，该电极构成层(7A)包括具有交替地配置的多个电极区域(RE)和多个绝缘体区域(RI)的条状区域(SRA)，对用一种材料构成的层部分性地进行还原或者氧化处理来控制导电性，从而制作所述电极区域(RE)以及所述绝缘体区域(RI)。而且，所述电极区域(RE)包含于液晶显示装置的像素电极以及对置电极中的至少任意电极。

公开(公告)号：CN101089710B

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN200710110027.6

申请日：2007-06-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上和式 ,  平川诚 ,  津田久美

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/133

Abstract: 本发明的目的在于得到一种可防止显示特性的退化的半透过型液晶显示装置。本发明的半透过型液晶显示装置是一种由TFT阵列基板和具有对置电极(28)的对置基板夹持液晶层(29)的显示装置。TFT阵列基板具备：栅极布线(2)、源极布线(10)和TFT。还具有：覆盖栅极布线(2)、源极布线(10)和TFT并至少在一部分上具有凹凸形状(16)的第1层间绝缘膜(15)。还在第1层间绝缘膜(15)的凹凸形状(16)上具备：反射膜(17)和以覆盖反射膜(17)的方式形成的第2层间绝缘膜(19)，第2层间绝缘膜(19)与第1层间绝缘膜(15)的材料相同。而且，设置有像素电极(23)，该像素电极(23)形成在第2层间绝缘膜(19)的配置有反射膜(17)的区域上，并与TFT进行电连接。

公开(公告)号：CN101611345A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200880004975.4

申请日：2008-02-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中畑匠 ,  井上和式 ,  小田耕治 ,  中川直纪 ,  石贺展昭

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1343 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/13439 ,  G02F1/133555 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/40 ,  G02F2202/06 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明的显示装置(1B)包括：在衬底(3)上形成的金属导电层(21)；在同一衬底上形成的与上述金属导电层接合的透明导电膜(39)；把金属导电层(21)与透明导电膜(39)隔离的层间绝缘膜(25)。金属导电层(21)具有：由铝或铝合金构成的下层铝层(40a)；由含有杂质的铝或铝合金构成的、在下层铝层(40a)的上表面的大致整个表面上形成的中间杂质含有层(41a)；由铝或铝合金构成的、在中间杂质含有层(40a)上形成的上层铝层(42a)，在层间绝缘膜(25)和上层铝层(42a)中以局部地露出中间杂质含有层(41a)的方式贯通设置接触孔(27)，透明电极膜(39)通过从接触孔(27)露出的中间杂质含有层(41a)与金属导电层(21)接合。