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公开(公告)号：CN108604589A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201680081182.7
申请日：2016-12-14
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到通过在高温时、低温时、使用电压为高电压时抑制气泡的发生、硅凝胶和绝缘基板的剥离，能够抑制热循环所致的绝缘性能劣化，确保绝缘性能的半导体装置。其特征在于，具备：绝缘基板(5)，在上表面搭载有半导体元件(4)；基体板(1)，接合到绝缘基板(5)的下表面；壳体部件(2)，包围绝缘基板(5)，与基体板(1)的接合绝缘基板(5)的面相接；密封树脂(8)，填充到由基体板(1)和壳体部件(2)包围的区域，对绝缘基板(5)进行密封；盖部件(9)，与密封树脂(8)的表面相向，与壳体部件(2)粘合；以及按压板(10)，下表面和侧面的一部分与密封树脂(8)的表面密接，上表面从盖部件(9)的与密封树脂(8)的表面相向的面突出地粘合。
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公开(公告)号：CN111276448B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN201911191733.7
申请日：2019-11-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于提供绝缘可靠性高的半导体装置。此外，本发明还涉及电力转换装置。半导体装置(202)具有：半导体元件(2a、2b)；引线框(3)，其具有在上表面搭载半导体元件(2a、2b)的搭载部(10)；封装树脂(1)，其以引线框(3)的外部引线(12、14)凸出至外部的方式对引线框(3)及半导体元件(2a、2b)进行封装；以及树脂壁(6)，其设置于引线框(3)中的外部引线(14)和搭载部(10)之间的内部引线(13)之上。树脂壁(6)的上下方向的厚度比从封装树脂(1)的下表面至引线框(3)的下端为止的上下方向的厚度厚。
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公开(公告)号：CN111066142B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201780094087.5
申请日：2017-08-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，对于功率半导体装置，抑制封装树脂的裂纹和半导体装置的翘曲。本发明的功率半导体装置具有：半导体元件(4、6)；端子(9)，其与所述半导体元件(4、6)的上表面接合；框体(14)，其将半导体元件(4、6)以及端子(9)收容；以及封装树脂，其在框体(14)内将半导体元件(4、6)以及端子(9)封装，封装树脂具有：第1封装树脂(21)，其至少将半导体元件(4、6)覆盖；以及第2封装树脂(22)，其形成于第1封装树脂(21)的上方，在半导体元件(4、6)的工作温度下，第1封装树脂(21)与第2封装树脂(22)相比线膨胀系数小，第1封装树脂(21)与端子(9)之间的线膨胀系数之差比第2封装树脂(22)与端子(9)之间的线膨胀系数之差小。
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公开(公告)号：CN110249426A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201780085543.X
申请日：2017-02-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在绝缘基板(2)之上设置有半导体芯片(6)。引线框架(8)与半导体芯片(6)的上表面接合。封装树脂(12)覆盖半导体芯片(6)、绝缘基板(2)及引线框架(8)。具有比封装树脂(12)低的弹性模量的应力缓和树脂(13)局部地涂敷于引线框架(8)的端部。
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公开(公告)号：CN108369927A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680068081.6
申请日：2016-07-01
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/29 , H01L23/31 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/48111 , H01L2224/48227 , H01L2224/4903 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明得到在电力用半导体装置的温度循环、高温保存中防止有机硅凝胶的裂纹产生、耐热性和可靠性高的电力用半导体装置。其具备：在上表面形成有金属层22的绝缘衬底2；与金属层22的上表面接合的半导体元件3及主电极5；将金属层22与半导体元件3连接的金属配线4；与绝缘衬底2的下表面侧接合的金属构件1；包围绝缘衬底2、且与金属构件1的接合有绝缘衬底2的面相接的壳体构件6；密封树脂8，其填充于由金属构件1与壳体构件6所包围的区域，室温下的树脂强度为0.12MPa以上，微晶化温度为-55℃以下，在175℃下保存1000小时后的针入度为30以上且50以下，将绝缘衬底2、金属层22、半导体元件3、金属配线4和主电极5进行密封。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116072615A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211328971.X
申请日：2022-10-27
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够提高半导体装置的可靠性的技术。半导体装置具有：半导体元件；线状的配线部件，其与半导体元件的上部连接；涂覆部件，其与半导体元件以及半导体元件的上侧的区域的配线部件接触；以及封装部件，其对半导体元件、配线部件及涂覆部件进行保护，涂覆部件包含具有硅及金属各自与氧之间的共价键的物质、硅氧化物和硅氧烷。
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公开(公告)号：CN109743882B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN201780056129.6
申请日：2017-09-20
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 一种半导体装置，其特征在于，具备：绝缘基板(52)，在上表面和下表面具有导体层(51、53)，在上表面的导体层(51)搭载有半导体元件(4)；底板(1)，与下表面的导体层(53)接合；壳体部件(2)，包围绝缘基板(52)，被粘接于底板(1)的接合有下表面的导体层(53)的面；作为硅组合物的第一填充材料(9)，被填充于由底板(1)和壳体部件(2)包围的区域；以及作为比第一填充材料(9)硬的硅组合物的第二填充材料(10)，在区域内的第一填充材料(9)的下部包围绝缘基板(52)的周缘部，该第二填充材料被填充于从底板(1)起的高度比上表面高且比上表面的导体层(51)的与半导体元件(4)的接合面低的区域。
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公开(公告)号：CN108369927B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201680068081.6
申请日：2016-07-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明得到在电力用半导体装置的温度循环、高温保存中防止有机硅凝胶的裂纹产生、耐热性和可靠性高的电力用半导体装置。其具备：在上表面形成有金属层22的绝缘衬底2；与金属层22的上表面接合的半导体元件3及主电极5；将金属层22与半导体元件3连接的金属配线4；与绝缘衬底2的下表面侧接合的金属构件1；包围绝缘衬底2、且与金属构件1的接合有绝缘衬底2的面相接的壳体构件6；密封树脂8，其填充于由金属构件1与壳体构件6所包围的区域，室温下的树脂强度为0.12MPa以上，微晶化温度为‑55℃以下，在175℃下保存1000小时后的针入度为30以上且50以下，将绝缘衬底2、金属层22、半导体元件3、金属配线4和主电极5进行密封。
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公开(公告)号：CN107210291B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201680007637.0
申请日：2016-01-08
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L25/072 , H01L23/053 , H01L23/24 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L25/18 , H01L2224/29101 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/85205 , H01L2224/85801 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599 , H01L2924/014 , H01L2924/206
Abstract: 半导体装置(1)主要具备半导体元件基板(3)、半导体元件(13)、壳体件(15)以及密封树脂(29)。在半导体元件基板(3)中，在基底板(5)的表面隔着绝缘基板(7)配置有导电性的第1电路基板(9)。在壳体件(15)设置有从内壁向着配置有半导体元件(13)的一侧突出的电路基板台(17)和电极端子(19)。在电路基板台(17)直接安装有导电性的第2电路基板(21)。电极端子(19)与第2电路基板(21)通过布线(25)电连接，第2电路基板(21)与半导体元件(13)通过布线(27)电连接。
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公开(公告)号：CN109983571A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201680090921.9
申请日：2016-11-21
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于提供减少残留在接合材料内部的孔洞，可靠性高的半导体装置。半导体装置具备半导体芯片(1)、绝缘基板(3)、金属基座板(4)、树脂部(6)以及凸块(10)。半导体芯片(1)具有凹形状的翘曲。在绝缘基板(3)通过接合而搭载有半导体芯片(1)。在金属基座板(4)安装有绝缘基板(3)，且金属基座板(4)具有散热性。树脂部(6)将绝缘基板(3)及半导体芯片(1)进行封装。凸块(10)配置于半导体芯片(1)和绝缘基板(3)之间的接合部。半导体芯片(1)的凹形状的翘曲量为大于或等于1μm且小于所述凸块的高度。
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