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    功率模块
    2.
    发明授权
    功率模块 有权

    公开(公告)号：CN108292655B

    公开(公告)日：2021-01-01

    申请号：CN201680064838.4

    申请日：2016-11-01

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 原田耕三 ,  原田启行 ,  畑中康道 ,  西村隆 ,  田屋昌树

    IPC: H01L25/07 ,  H01L23/28 ,  H01L25/18

    Abstract: 得到一种功率模块，通过抑制高温时、低温时或使用电压为高电压时的气泡的发生以及硅胶与绝缘基板的剥离，能够抑制热循环所致的绝缘性能的劣化，确保绝缘性能。一种功率模块，其特征在于，具备：绝缘基板(2)，在上表面搭载有半导体元件(3)；基体板(1)，与绝缘基板(2)的下表面接合；壳体部件(6)，包围绝缘基板(2)，粘接到基体板(1)；密封树脂(8)，填充到由基体板(1)和壳体部件(6)包围的区域，对绝缘基板(2)进行密封；以及压板(9)，从壳体部件(6)的内壁向绝缘基板(2)的外周部的上方突出，紧固于内壁，并与密封树脂(8)相接。

    半导体装置及电力转换装置
    5.
    发明公开
    半导体装置及电力转换装置 有权

    公开(公告)号：CN111276448A

    公开(公告)日：2020-06-12

    申请号：CN201911191733.7

    申请日：2019-11-28

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 原田启行 ,  小杉祥 ,  岩井贵雅

    IPC: H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02M1/00 ,  H02M7/00

    Abstract: 目的在于提供绝缘可靠性高的半导体装置。此外，本发明还涉及电力转换装置。半导体装置(202)具有：半导体元件(2a、2b)；引线框(3)，其具有在上表面搭载半导体元件(2a、2b)的搭载部(10)；封装树脂(1)，其以引线框(3)的外部引线(12、14)凸出至外部的方式对引线框(3)及半导体元件(2a、2b)进行封装；以及树脂壁(6)，其设置于引线框(3)中的外部引线(14)和搭载部(10)之间的内部引线(13)之上。树脂壁(6)的上下方向的厚度比从封装树脂(1)的下表面至引线框(3)的下端为止的上下方向的厚度厚。

    功率半导体装置及功率半导体装置的制造方法
    6.
    发明公开
    功率半导体装置及功率半导体装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN111066142A

    公开(公告)日：2020-04-24

    申请号：CN201780094087.5

    申请日：2017-08-25

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 佐佐木太志 ,  吉冈佑毅 ,  原田启行 ,  梶勇辅

    IPC: H01L23/29 ,  H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

    Abstract: 本发明的目的在于，对于功率半导体装置，抑制封装树脂的裂纹和半导体装置的翘曲。本发明的功率半导体装置具有：半导体元件(4、6)；端子(9)，其与所述半导体元件(4、6)的上表面接合；框体(14)，其将半导体元件(4、6)以及端子(9)收容；以及封装树脂，其在框体(14)内将半导体元件(4、6)以及端子(9)封装，封装树脂具有：第1封装树脂(21)，其至少将半导体元件(4、6)覆盖；以及第2封装树脂(22)，其形成于第1封装树脂(21)的上方，在半导体元件(4、6)的工作温度下，第1封装树脂(21)与第2封装树脂(22)相比线膨胀系数小，第1封装树脂(21)与端子(9)之间的线膨胀系数之差比第2封装树脂(22)与端子(9)之间的线膨胀系数之差小。

    半导体装置以及电力变换装置
    7.
    发明公开
    半导体装置以及电力变换装置 有权

    公开(公告)号：CN109743882A

    公开(公告)日：2019-05-10

    申请号：CN201780056129.6

    申请日：2017-09-20

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 原田启行 ,  原田耕三 ,  盐田裕基 ,  山口义弘 ,  山田浩司

    IPC: H01L25/07 ,  H01L23/10 ,  H01L23/24 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/18 ,  H02M7/48

    Abstract: 一种半导体装置，其特征在于，具备：绝缘基板(52)，在上表面和下表面具有导体层(51、53)，在上表面的导体层(51)搭载有半导体元件(4)；底板(1)，与下表面的导体层(53)接合；壳体部件(2)，包围绝缘基板(52)，被粘接于底板(1)的接合有下表面的导体层(53)的面；作为硅组合物的第一填充材料(9)，被填充于由底板(1)和壳体部件(2)包围的区域；以及作为比第一填充材料(9)硬的硅组合物的第二填充材料(10)，在区域内的第一填充材料(9)的下部包围绝缘基板(52)的周缘部，该第二填充材料被填充于从底板(1)起的高度比上表面高且比上表面的导体层(51)的与半导体元件(4)的接合面低的区域。

    半导体装置
    8.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN119384721A

    公开(公告)日：2025-01-28

    申请号：CN202280097138.0

    申请日：2022-06-28

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 原田启行 ,  冈诚次 ,  石桥秀俊

    IPC: H01L23/12

    Abstract: 半导体装置（100）具有绝缘层（4）和第1电极图案（1）。第1电极图案（1）具有第1主体部（21）和第1台阶部（31）。第1主体部（21）具有第1面（11）、第2面（12）以及第1侧面（41）。第1面（11）与绝缘层（4）相对。第2面（12）处于第1面（11）的相反侧。第1台阶部（31）具有第3面（13）和第1台阶面（25）。第3面（13）与绝缘层（4）相对。第1台阶面（25）处于第3面（13）的相反侧。第2面（12）和第1侧面（41）的边界为第1边界（91）。第1侧面（41）和第1台阶面（25）的边界为第2边界（92）。在与第2面（12）垂直的剖面中，第1侧面（41）的长度比连接第1边界（91）和第2边界（92）的线段的长度长。

    半导体装置及其制造方法
    9.
    发明授权
    半导体装置及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN108604589B

    公开(公告)日：2022-03-15

    申请号：CN201680081182.7

    申请日：2016-12-14

    Applicant: 三菱电机株式会社

    Inventor： 原田启行 ,  原田耕三 ,  畑中康道 ,  西村隆 ,  田屋昌树

    IPC: H01L25/07 ,  H01L23/28 ,  H01L25/18

    Abstract: 得到通过在高温时、低温时、使用电压为高电压时抑制气泡的发生、硅凝胶和绝缘基板的剥离，能够抑制热循环所致的绝缘性能劣化，确保绝缘性能的半导体装置。其特征在于，具备：绝缘基板(5)，在上表面搭载有半导体元件(4)；基体板(1)，接合到绝缘基板(5)的下表面；壳体部件(2)，包围绝缘基板(5)，与基体板(1)的接合绝缘基板(5)的面相接；密封树脂(8)，填充到由基体板(1)和壳体部件(2)包围的区域，对绝缘基板(5)进行密封；盖部件(9)，与密封树脂(8)的表面相向，与壳体部件(2)粘合；以及按压板(10)，下表面和侧面的一部分与密封树脂(8)的表面密接，上表面从盖部件(9)的与密封树脂(8)的表面相向的面突出地粘合。

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